Proprietary ETRI OOO 연구소 ( 단, 본부 ) 명 1 GaN 전력반도체 결정성장 장치 개발을 위한 소자 및 공정기술 ETRI Technology Marketing Strategy ETRI Technology Marketing Strategy IT R&D.

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1 Proprietary ETRI OOO 연구소 ( 단, 본부 ) 명 1 GaN 전력반도체 결정성장 장치 개발을 위한 소자 및 공정기술 ETRI Technology Marketing Strategy ETRI Technology Marketing Strategy IT R&D Global Leader [ 첨부 제 4 호 ] 문재경 (jkmun@etri.re.kr) jkmun@etri.re.kr RF 융합부품연구팀 / 광무선융합부품연구부 융합부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

2 Proprietary 2 목 차 ---------------------------------------------- 1. 기술의 개요 2. 기술이전 내용 및 범위 3. 경쟁기술과 비교 4. 기술의 사업성 - 활용분야 및 기대효과 5. 국내외 시장 동향 융합부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

3 Proprietary 3 1. 기술의 개요 ▣ GaN 전력반도체 에피, 소자 및 공정기술  GaN 전력소자 에피 설계 및 성장 기술과 전력소자 설계 및 제조공정 기술은 차세대 GaN 전력반도체 전용 결정성장 장치 개발에 필요함 융합부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

4 Proprietary 4 2. 기술이전 내용 및 범위 ▣ 기술이전 내용 및 범위  내용 : 전력반도체용 GaN 에피성장, 전력소자 및 제조공정 기술  범위 : 전력소자용 GaN 에피 구조 및 성장 기술 GaN 전력소자 칩 제작 공정 기술 GaN 전력소자 칩 시제품 및 판매 실시권리 ( 관련특허 포함 ) ▣ 기술 개발 현황 융합부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부  전력 - 에피 / 소자 설계 / 제작 관련 독자적인 기술 개발  에피구조 / 소자구조 관련 특허 보유  기술 개발은 시제품 단계

5 Proprietary 5 3. 경쟁기술과 비교 ▣ 경쟁기술 대비 우수성  기술의 특징 저온 완충층을 이용하는 저결함을 갖는 고품질 GaN 에피성장 기술 고전자 이동도 및 전자농도 제어를 위한 AlGaN 에피성장 기술 내부식성 부품 코팅 차별화를 통한 유지보수 비용 절감 등을 통한 에피기술 차별화 기존의 전력소자에 비해 GaN 전력소자의 높은 전력밀도에 의한 칩의 면적 감소  기존 경쟁기술 대비 개량된 부분 기술적 측면 : 저결함 GaN 에피성장기술, 내부식성 부품 코팅을 통한 에피기술 차별화 사업적 측면 : 에피 자체 조달 및 수입 감소 / 역수출로 인한 수익, 칩면적 감소에 의한 수익성 증가 융합부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부 회사명 항복전압 [V] 온저항 [mΩ·cm 2 ] 공정기술 NEC12605GaN on Si Sumitomo6727.6GaN on SiC Toshiba3802GaN on SiC ETRI1584.9 GaN on Si

6 Proprietary 6 4. 기술의 사업성 ▣ GaN 전력소자 에피 및 소자 기술  예상 응용제품 및 서비스 : 전력반도체용 에피기판, 전력소자칩 자체  사업성 : 제품화 후 관련 시장 진출로 안정적 지속 성장 가능  기술이전 업체 선정에 대한 의견 기술능력 : 화합물반도체 장비 및 공정 기술을 확보하고 있는 기업 재무능력 ( 또는 기업규모 ) : 제한없음  사업화 시 제약조건 융합부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부 S( 강점 )W( 약점 ) Breakdown voltage close to that of SiC Electron mobility twice that of SiC 4” epiwafers already available (Nitonex, Picogiga, IMEC, Azzuro, …) Thermal conductivity ¼ that of SiC No bulk GaN substrate available at reasonable price GaN epiwafer substrates are insulators: No vertical device design easily feasible O( 기회 )T( 위협 ) Lots of possible suppliers GaN industry is mature thanks to opto markets 30% device price reduction is expected with GaN compared to SiC GaN power device developments started 10 years after SiC Not much GaN switches in the market place yet Inverter/Converter Power Semiconductors 예상 응용 제품군 GaN vs. SiC SWOT 분석 Hybrid Car Motor Control Electronics & Computing Power Switch

7 Proprietary 7 5. 국내외 시장 동향 융합부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부 전력반도체 시장 전망 ( 출처 : Power Management Market, iSuppli, 2009 년 ) GaN Power device 시장 ( 출처 : Yole 2010 )  세계 전력반도체 시장 규모는 2009 년 200 억 달러, 2010 년 230 억 달러, 2011 년 250 억 달러, 2012 년 260 억 달러, 2013 년 280 억 달러로 연평균 9% 로 성장 예측 (Power Management Market, iSuppli, 2009 년 )  국내에서는 아직 독자 개발된 GaN 전력에피 및 소자는 없는 실정임  GaN 에피기판과 소자 시장은 2015 년 각 각 3.5 억달러, 1 억달러 규모로 예상 (Yole 2010)

8 Proprietary ETRI OOO 연구소 ( 단, 본부 ) 명 8 감사합니다. ♣ 연락처 : 광무선융합부품연구부, 남은수 부장 (042-860-6550, esnam@etri.re.kr) www.etri.re.kr