Chapter 7 전계 효과 트랜지스터.

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1 Chapter 7 전계 효과 트랜지스터

2 목 표 접합 전계 효과 트랜지스터(JFET)의 동작과 특성 고찰 JFET 파라미터의 정의와 적용 JFET 바이어스 회로 해석
목 표 접합 전계 효과 트랜지스터(JFET)의 동작과 특성 고찰 JFET 파라미터의 정의와 적용 JFET 바이어스 회로 해석 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET ; Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)의 동작과 특성 고찰 MOSFET 파라미터의 정의와 적용 MOSFET 바이어스 해석

3 개 요 전계 효과 트랜지스터는 게이트(gate)에 공급되는 (게이트와 소스 사이의) 전압에 의해 전류가 조절되는
개 요 전계 효과 트랜지스터는 게이트(gate)에 공급되는 (게이트와 소스 사이의) 전압에 의해 전류가 조절되는 전압제어 소자(하나의 반송자를 이용하는 단극소자) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 전자전류와 정공전류를 이용한 전류제어 소자 FET는 BJT에 비해 매우 높은 입력저항을 가지는 장점 FET는 BJT와 동일하게 이용

4 7-1. JFET JFET는 BJT처럼 전류 흐름을 제어
Fig 7-10 basic JFET circuit VGG 전압이VDD와 RD 회로에 흐르는 전류 흐름 제어

5 JFET의 단자 – 소스(source), 게이트(gate), 드레인(drain) JFET의 종류 – p-채널, n-채널
Fig 7-1 simplified & 7-4 schem. symbol JFET의 기본 구조 JFET의 기호

6 JFET의 기본 동작 전류는 게이트-소스 접합에 역방향바이어스를 걸어 pn 접합면에 공핍층을 형성하게 하여 채널의 폭을 조절함으로써 전류의 흐름을 제어(게이트는 양단이 동일하게 연결) VGG (역방향바이어스)의 변화에 따라 공핍층이 확장 및 축소되면서 채널폭이 변화하게 되어 RD를 통해 흐르는 전류 흐름 ID를 제어 드레인-게이트간의 역방향 전압이 게이트-소스간의 역방향 전압보다 크기 때문에 공핍영역이 드레인쪽으로 더 확산 Fig 7-2a JFET fwd biased please label terminals 바이어스된 n-채널 JFET

7 VGG 에 의한 채널 폭, 저항 및 드레인 전류의 변화
Fig 7-2a JFET fwd biased please label terminals VGG 에 의한 채널 폭, 저항 및 드레인 전류의 변화

8 7-2. JFET 특성과 파라미터 게이트-소스전압이 0일 때(VGS = 0V ), 드레인-소스간이 단락
VDD를 0V에서 점점 증가시키면 ID가 비례적으로 증가 (VDD 가 증가되는 것처럼 VDS 가 증가). 점 A와 B 구간을 저항영역(ohmic region) Fig 7-5a & b JFET circ. & drain curve 드레인 특성 곡선

9 - VGS = 0V 일 때 핀치-오프전압(pinch-off voltage) VDS가 계속 증가하더라도 드레인 전류가 일정
핀치-오프 전압 점 B에서 직선은 증가를 멈추고 ID 값이 일정 - VGS = 0V 일 때 핀치-오프전압(pinch-off voltage) VDS가 계속 증가하더라도 드레인 전류가 일정 (이때의 드레인 전류를 최대 드레인 전류 ; IDSS ) VDS를 증가시켜 점 C에 도달하면 항복현상(breakdown)이 발생 항복현상은 소자에 치명적이므로 JFET는 이 점 이하의 일정한 전류 영역에서 동작되어야 함. Fig 7-5a & b JFET circ. & drain curve 핀치-오프 전압

10 Fig 7-5a & b JFET circ. & drain curve
VGS = 0V일 때 JFET 동작 특성

11 VGS 를 변화 시켰을 때의 드레인 전류의 변화 곡선
VGS에 의한 ID 제어 게이트와 소스에 바이어스 전압 VGG를 인가하고, VGG를 조절하여 VGS가 음(-)의 값으로 증가하면 ID가 감소 Fig. 7-7a & b JFET circuit & curves VGS 를 변화 시켰을 때의 드레인 전류의 변화 곡선

12 Fig. 7-7a & b JFET circuit & curves
VGS 에 의한 ID의 변화

13 공핍 영역은 VGS가 음(-)의 값으로 증가할수록 더욱 확장하여 핀치오프 현상이 발생하게 되어 ID가 거의 0으로 감소
차단 전압 VGS 를 증가시키면 ID 가 거의 0으로 감소되는데 이를 차단현상(cutoff)이라 하고, 이때의 VGS를 차단전압(VP ;cutoff voltage) 공핍 영역은 VGS가 음(-)의 값으로 증가할수록 더욱 확장하여 핀치오프 현상이 발생하게 되어 ID가 거의 0으로 감소 ID는 IDSS의 최대값에서 거의 0인 최소값까지 변화 가능 (VGS의 변화에 의해) Fig 7-9 JFET cutoff 차단상태의 JFET

14 전달특성 곡선은 차단 전압(V GS(off) )과 핀치-오프 전압(VP) 사이에서 제어되는 VGS와 ID 의 관계를 도시
JFET 전달 특성 전달특성 곡선은 차단 전압(V GS(off) )과 핀치-오프 전압(VP) 사이에서 제어되는 VGS와 ID 의 관계를 도시 JFET의 특성곡선은 거의 포물선 형태이고, 이를 근사적으로 표현하면 ID = IDSS(1 - VGS/VGS(off))2 Fig 7-13 transfer curve JFET의 전달특성 곡선

15 gm = △ID/△VGS RIN = |VGS/IGSS| r’ds = △VDS/△ID JFET의 파라미터
순방향 전달 컨덕턴스 gm 은 드레인-소스 전압이 일정할 때 게이트-소스 전압의 변화분(△VGS)에 대한 드레인 전류의 변화분(△ID)의 비 gm = △ID/△VGS 게이트-소스 접합에 역방향 바이어스를 가하면 JFET의 입력저항은 매우 크게 증가(BJT에 비해 좋은 장점) 역방향 바이어스된 pn 접합은 커패시터로 동작하며, 그 용량은 역방향 전압의 크기에 의존 RIN = |VGS/IGSS| 드레인-소스 저항은 VDS 와 ID의 변화율(핀치-오프 위의 영역에서는 VDS의 변화에도 ID가 거의 일정하므로 VDS의 큰 변화는 ID의 작은 변화를 야기 r’ds = △VDS/△ID

16 7-3. JFET 바이어스 BJT와 마찬가지로 바이어스의 목적은 직류 게이트-소스 전압을 선택하여 바람직한 드레인 전류값과 적절한 Q 점을 선택하는 것 JFET 바이어스 – 자기바이어스(self-bias), 전압분배 바이어스(voltage-divider bias) Q 점은 전달특성 곡선의 중간부분에서 선택되는데 이는 최대 드레인 전류의 IDSS 중간값

17 VDS=VD-VS=VDD-ID(RD+RS)
자기 바이어스 JFET의 가장 일반적인 방법 게이트-소스전압 VGS는 n-채널은 (-), p-채널은 (+) 게이트에 공급하는 전압이 없기 때문에 VG=0V이고, 저항 RG는 바이어스에 영향을 미치지 않고 증폭기 응용시 접지로부터 교류신호를 분리할 때 사용 게이트-소스 전압은 (ID = IS , VG=0이므로 VS=IDRS) VGS = VG-VS=0-IDRS=-IDRS (n channel) VGS = -IDRS (p channel) VGS = +IDRS 접지를 기준으로 한 드레인 전압은 VD=VDD-IDRD VS=IDRS로 부터 드레인-소스 전압을 구하면 VDS=VD-VS=VDD-ID(RD+RS) Fig 7-16 n channel 자기 바이어스된 JFET

18 ID = IDSS(1 - VGS/VGS(off))2
자기 바이어스된 JFET의 Q 점 결정 JFET의 바이어스 점은 VGS 값에 대한 ID 또는 특정 ID 값에 대한 VGS의 값으로 결정 Q점 결정을 위한 RS 는 ID 와 VGS 로 결정 RS = | VGS/ID | VGS 값에 대해 ID 는 두 가지 방법으로 결정 - JFET의 전달특성 곡선 - 규격표의 IDSS 와 VGS(off)를 사용한 다음의 식으로부터 ID = IDSS(1 - VGS/VGS(off))2 Fig. 7-16a n channel JFET Fig 7-12

19 RS = |VGS/ID | RD = (VDD/2)/ID 중간점 바이어스
ID=IDSS/2 되는 전달특성 곡선의 중간점에 JFET를 바이어스 시키는 것이 중요 신호 조건하에서 중간점 바이어스는 IDSS와 0사이에서 드레인 전류의 스윙이 최대 RS 와 RD 는 근사화된 중간점 바이어스를 위해 결정 RS = |VGS/ID | RD = (VDD/2)/ID 아래의 조건과 같을 때 ID가 IDSS 의 거의 반 VGS  VGS(off)/3.4 Fig. 7-16a n channel JFET Fig 7-12 n channel curve

20 JFET의 전달특성곡선과 임의의 파라미터를 사용하여 자기 바이어스된 회로의 Q점을 결정하는 것이 가능
먼저 규격표의 IDSS와 다음의 공식을 이용하여 VGS 를 결정 VGS = -IDRS 부하선과 전달특성곡선의 교차점이 회로의 Q점 부하선은 VGS(off)(ID= 0A)인 점과 VP(ID = IDSS)인 점을 연결한 것 Fig 7-21 JFET self bias dc load line JFET의 부하점 결정

21 R1 과 R2 에는 게이트-소스 접합간의 역방향 바이어스를 위해 VDD가 적절하게 분배
전압분배 바이어스 R1 과 R2 에는 게이트-소스 접합간의 역방향 바이어스를 위해 VDD가 적절하게 분배 동작은 자기 바이어스와 동일 ID, VGS 를 결정하기 위해서는 VS = IDRS(ID=IS) VG = (R2/(R1 + R2))VDD VGS = VG – VS VS = VG – VGS ID=VS/RS ID=(VG-VGS)/RS Fig 7-23 n channel voltage divider 전압분배 바이어스

22 VGS = VG = (R2/R1 + R2)VDD ID = VG/RS
자기 바이어스와 마찬가지로 전달특성 곡선으로부터 Q점 결정 가능 첫번째 점은ID = 0 과VGS (ID=0 일 때 VGS = VG). VGS = VG = (R2/R1 + R2)VDD 두번쨰 점은ID , VGS = 0. ID = VG/RS Fig load line 전압분배 바이어스의 직류부하선

23 Q 점의 안정도 같은 형태의 소자라도 JFET의 전달특성은 매우 상이 이는 Q점 결정에 좋지 않은 영향을 미침
전압분배 바이어스는 자기 바이어스보다 덜 영향 Q 점의 안정도

24 7-4. MOSFET 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터( Metal Oxide Semiconductor Field Eeffect Ttransistor ; MOSFET)는 FET의 두번째 형태 pn 접합 구조가 아니라는 면에서 JFET와 상이 MOSFET의 게이트는 산화실리콘(Sio2) 층에 의해 채널과 격리 MOSFET는 공핍형(depletion MOSFET ; D-MOSFET)과 증가형 (enhancement MOSFET ; E-MOSFET) E-MOSFET는 채널의 형성되어있지 않음. Fig 7-29 D-MOSFET construction Fig 7-32 E-MOSFET construction D-MOSFET의 기호 D-MOSFET의 구조

25 D-MOSFET는 공핍형과 증가형 모드로 분류
공핍형 모드는 부(-)의 게이트-소스 전압을 인가하여 동작하고, 정(+)의 전압을 인가하면 증가형 모드로 동작 공핍형 모드 – 게이트에 (-) 전압을 인가하면 채널내의 전도전자를 밀어내고, 그 자리에 양이온이 발생하여 채널내의 전도전자가 부족하게 되고 드레인 전류가 감소하게 되므로 (-) 전압을 VGS(off)로 하면 채널이 완전 공핍되어 드레인 전류가 0 D-MOSFET의 동작(공핍형) Fig 7-30a depletion mode Fig 7-31 DMOSFET schem. symbols 증가형 모드 – 게이트에 (+) 전압을 인가하면 채널내로 전도전자를 끌어 들여 채널내의 전도전자가 증가하게 되어 채널의 전도도가 증가함으로써 드레인 전류가 증가 D-MOSFET의 동작(증가형)

26 E-MOSFET는 증가형 모드로만 동작하고, 구조적 채널 미 존재
게이트에 (-) 전압을 인가하면 SiO2 층의 접촉면에 얇은 음전하층의 채널이 형성 게이트-소스간의 전압이 증가할 수록 기판의 전도전자를 더 끌어들여 채널의 전도도 증가 기호에서 점선은 물리적인 채널이 존재하지 않음을 의미 E-MOSFET의 구조 Fig 7-32 n channel EMOSFET Fig 7-33 EMOSFET schem. symbols E-MOSFET의 기호

27 이중 게이트 MOSFET는 두개의 게이트를 가지며, FET의 결점인 높은 입력 커패시턴스로 인한 고주파에서의 사용 제한을 완화
측면 이중 확산 MOSFET(LDMOSFET) 와 V형 MOSFET (VMOSFET), TMOSFET는 고전력에 이용하기 위해 고안된 구조 이중 게이트 MOSFET는 두개의 게이트를 가지며, FET의 결점인 높은 입력 커패시턴스로 인한 고주파에서의 사용 제한을 완화 LDMOSFET VMOSFET Fig 7-35 and 36 LD and V MOSFETs Fig 7-38 dual gate schem symbol 이중 게이트 MOSFET TMOSFET

28 ID = IDSS(1 - VGS/VGS(off) )2
7-5. MOSFET 특성과 파라미터 D-MOSFET의 전달특성 D-MOSFET(증가형 모드)는 JFET의 특성과 파라미터가 적용 가능 ID 는 증가형과 공핍형 모드에서 똑같이 적용가능하고, JFET와 동일 ID = IDSS(1 - VGS/VGS(off) )2 Fig 7-13a & b n & p channel DMOSFET D-MOSFET의 전달특성 곡선

29 K = ID(on) /(VGS - VGS(th))2 , ID = K(VGS - VGS(th))2
E-MOSFET의 전달특성 E-MOSFET는 채널 증가만 이용 VGS 가 임계값 VGS(th) 에 도달할 때까지 드레인 전류 가 존재하지 않음. E-MOSFET의 전달특성 곡선은 JFET와 D_MOSFET의 식과는 상이 상수 K 는 MOSFET의 종류에 따라 다르며, 규격표에서 VGS가 주어졌을 때 ID(on) 인 ID 값으로 아래의 공식으로 유도 K = ID(on) /(VGS - VGS(th))2 , ID = K(VGS - VGS(th))2 Fig 7-40 a n channel curve E-MOSFET의 전달특성 곡선

30 7-6. MOSFET 바이어스 D-MOSFET의 바이어스
D-MOSFET의 바이어스인 제로 바이어스는 VGS=0으로 하고, 게이트에 교류신호를 인가하여 바이어스 점에서 입력된 전압에 따라 게이트-소스 전압이 변동(swing)하도록 동작 Fig 7-42 a & b zero bias D-MOSFET의 제로 바이어스

31 E-MOSFET는 제로 바이어스를 사용 못함. 전압분배 바이어스는 VGS 를 임계값VGS(th)보다 크게 하기 위함.
ID 는 다음의 공식에 의해 유도(VGS는 일반적인 전압분배 방식으로) K = ID(on)/(VGS - VGS(th))2 ID = K(VGS -VGS(th))2 VDS = VDD-IDRD E-MOSFET의 바이어스 Fig 7-44a Voltage-divider EMOSFET 드레인 귀환 바이어스는 게이트 전류가 무시되므로 RG 에서의 전압강하가 없어 VGS = VDS ID 는 다음에 의해 유도 가능 ID = VDD - VDS/RD

32 Fig 7-10 basic JFET circuit