㈜알앤디코리아 2012~2013 M.I.S Planning Team Sales 1’st Team New Technology of RNDKOREA Corp.

1. ㈜알앤디코리아 소개 2. 연혁 및 사업분야 3. 생산제품 4.Sputtering Target Products 5.Evaporation Material Products 6. 고순도 Al · Ti · Sn 제조 공정 7.Ni Alloy Target 제조 공정 8.Al Target 미세 조직 사진 9.Ni · Ti Target 미세 조직 사진 10.Ni–Ti Alloy Target 개발 11. 생산장비 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ 12. 분석장비 Ⅰ, Ⅱ 목차

1. ( 주 ) 알앤디코리아 소개 ㈜알앤디코리아 소개 3 / 19 ㈜알앤디코리아 는 국내 연구소 및 산업체에 다양한 Materials, Targets, Wafers, 화학제품 etc. 보다 편리하고 경쟁력 있는 상품으로 공급하기 위해 2000 년도에 설립되었습니다. 풍부한 기술력을 갖춘 자체 기술진의 꾸준한 연구개발로 RNDKOREA Corp. 기업부설연구소에서는 티타늄, 지르코늄, 크롬 타겟 etc. 국내 제작하여 최상의 경쟁력을 갖춘 다양한 종류의 반도체와 무선통신 분야의 소재를 직접 공급하고 있습니다. 또한, 다양한 고객요구에 따른 효율적인 서비스와 빠르게 변화하는 기술에 능동적으로 대처하기 위하여 국내 우수 대학의 연 구진을 주축으로 한 기술자문팀을 운영하고 있습니다. 창립 이후 지금까지 RNDKOREA 는 국내 업체 및 연구소의 다양한 어려움을 보다 빠른 시간 내에 해결하기 위한 최적의 솔루션 제공을 목표로 전세계에 걸쳐 제품 및 기술공급의 파트너로서의 역할을 수행하고 있으며, 국내 RND 제품을 아시아 및 유럽권의 전세계로 수출하고 있습니다. 끝임 없는 투자와 연구개발을 바탕으로 엄격한 품질관리에 따른 최상의 품질과 철저한 고객위주의 서비스로 항상 고객만족을 최우선으로 하고 있습니다. 앞으로도 항상 고객의 성공을 위한 동반자로서 최고의 서비스 제공을 위해 끊임없이 매진할 것 입니다. 생명과 자연이 공존하는 인류사회 열정과 창조의 기술발전 소통과 상생의 글로벌 사회로의 지향 소 / 재 / 산 / 업 / 의 / 성 / 공 / 파 / 트 / 너 ( 주 ) 알앤디코리아의 약속입니다.

2 월 RND KOREA 설립 5 월 독일 Matek Co., Ltd. 독점공급 계약 체결 8 월 회사 이전 ( 광명 ) 9 월 국산 Target 생산시작 (Al,Ni,Cu) 1 월 일본 Shinko XRD 용 5N Selenium 공급계약 체결 2 월 Half Mirror 용 Ni target 대체를 위한 Ni-Ti-W 합금 개발 3 월 Ceramic Target 에 대한 연구 개발 시작 12 월 국내 GDMS 분석 Service 시작 12 월 Next Chimica 와 precious metal 및 compound 대리점 계약 4 월 대만 UMAT 사 와 계약 / 대만으로 고순도 Target 수출 연혁 3 월 대만 Summit Tech 사와 계약 체 결 8 월 일본 NYC 사와 대리점 계약 체결 4 월 미국 LTS Chem 국내 대리점 계약 및 공급 시작 8 월 중국 Rare - Earth Metal 국내 공 급 계약 및 공급 9 월 Next Chimica 독일 Heraeus 사 인수로 Heraeus precious 및 com- pound 국내 공급 계약 11 월 인도 시장에 target 공급 4 월 ㈜알앤디코리아 법인 전환 6 월 삼성전자 동반성장 1 차 협력업체 지 정 6 월 본사 소재지 변경 ( 경기도 광명시 하안로 108, 에이스광명타워 710 호 ) 2,1. 연혁 및 사업분야 4 / 19

사업분야 2,2. 연혁 및 사업분야 5 / 19

Wire, Ingot, Plate, Rod, Lump, INVAR, KOVAR, INCONEL etc. Ag, Al, Co, Cr, Cu, Fe, In, Mg, Mo, Nb, Ni, Sn, Ta, Ti, W, W-10Ti, Zn, Zr...  순수 금속 : Al (4N & 5N), Ni (4N), Ti (4N5), W (3N5), Cr (2N5~3N5), Cu (4N8), Co (3N), Mo (3N5), Fe (3N), Graphite (4N8), Nb (3N), Sn (3N5), Zn (4N7), Zr (2N7)  Al Alloy : Al-1%Si, Al-0.5%Cu, Al-30ppmSi, Al-1Si-0.5%Cu, Al-1.5%Ti, Al-Cr  Ni Alloy : Ni-Cr(80:20wt%), Ni-7%V, Ni-Al, Ni-Fe, Ni-Cu, Ni-Nb, Ni-Ti  Ti Alloy : Ti-Al(50:50at%)  W Alloy : W-10%Ti  그 외 다양한 조성의 Alloy Target 생산 가능  순수 금속 : Al (4N & 5N), Ni (4N), Ti (4N5), W (3N5), Cr (2N5~3N5), Cu (4N8), Co (3N), Mo (3N5), Fe (3N), Graphite (4N8), Nb (3N), Sn (3N5), Zn (4N7), Zr (2N7)  Al Alloy : Al-1%Si, Al-0.5%Cu, Al-30ppmSi, Al-1Si-0.5%Cu, Al-1.5%Ti, Al-Cr  Ni Alloy : Ni-Cr(80:20wt%), Ni-7%V, Ni-Al, Ni-Fe, Ni-Cu, Ni-Nb, Ni-Ti  Ti Alloy : Ti-Al(50:50at%)  W Alloy : W-10%Ti  그 외 다양한 조성의 Alloy Target 생산 가능 3, 생산제품 6 / 19 생산제품

4. Sputtering Target Products Sputtering Target Products MaterialPurityG/SMaterialPurityG/S Al pure 5N, 4N<100 μm Ti 4N5<30 μm Al-1%Si 5N<30 μm Ti-Al (50:50at%) 3N500 μm Al-0.5%Cu 5N<30 μm Cu 4N8<30 μm Al-1%Si-0.5%Cu 5N<30 μm Co 3N<50 μm Al-1.5%Ti 4N<30 μm Cr 3N5<100 μm Ni pure 4N<50 μm Fe 3N100 μm Ni-Cr (80:20wt%) 3N5<30 μm Graphite 4N8 Ni-V (93:7wt%) 3N5<30 μm Nb 3N<200 μm Ni-Al 3N5<500 μm Sn 5N<100 μm Ni-Fe (81:19%) 3N<30 μm Zn 4N7<300 μm Ni-Cu (Monel) 4N<30 μm Zr 2N7<50 μm 7 / 19

5. Evaporation Material Products Evaporation Material Products MaterialPuritySizeMaterialPuritySize Al 5N, 4N Φ3x3mm Φ3x6mm Φ6x6mm Sn 4N Φ3x3mm Φ2x7mm Φ6x6mm Ni 4N 10x10x2mm Φ3x3mm Φ3x6mm Φ6x6mm Φ6x3mm Mg 4N 5mm under Φ4x4mm Mo 3N5 5mm under 10mm under Au 4N,4N5,5N Φ3x3mm Ti 4N5 Φ3x3mm Φ3x6mm Φ6x6mm Ag 4N Φ3x3mm Ta 3N5 5mm under 10mm under Cu 3N5 5mm under 10mm under W 3N5 5mm under 10mm under Co 5N,4N7 Φ3x3mm Φ6x6mm Nb 3N5 Φ3x3mm 10mm under Cr 4N 2-5mm Pd 4N Φ3x3mm Fe 3N 5mm under 10mm under Zn 4N Φ3x3mm Φ6x6mm In 4N 5mm under 10mm under Zr 2N7 5mm under 10mm under 8 / 19 Al 5N Ti 4N5 Ni 4N

Remove solidification structure 4 points per every target blanks 고순도 Al Alloy Billet 6. 고순도 Al · Ti · Sn 제조 공정 고순도 Al · Ti · Sn 제조 공정 9 / 19

Remove solidification structure Grain size control Ni : >99.99% Cr : >99.98% V : >99.95% W : >99.95% Ti : >99.995% 1. Add element materials 2. Remove impurity gas such as C,O,N,S in vacuum condition. Width 500mm Length 2,000mm 7. Ni Alloy Target 제조 공정 Ni Alloy Target 제조 공정 10 / 19

8. Al Target 미세 조직 사진 RNDKOREA Al target (5N) x 50 Japan Al target 5N x 50 Germany Al target (5N) x 50 Cf) 당사에서는 이미 조직 제어 기술을 보유하고 있음. [ 스퍼터링 타겟 기술이 발달한 나라별 조직 분석 및 미세 조직 비교 사진 ] Al Target 미세 조직 사진 11 / 19

9. Ni · Ti Target 미세 조직 사진 Ni (4N) Ni-20%Cr Ni-7%V (3N5)Ti 4N5 Ni · Ti Target 미세 조직 사진 12 / 19

10. Ni-Ti Alloy target 개발 사용 후 Ni 타겟  최대 3.5mm 정도만 사용  인듐 본딩이 필요함  최대 3.5mm 정도만 사용  인듐 본딩이 필요함 자성이 없는 타겟  최대 15mm 까지도 사용 가능  인듐 공정이 필요 없음  최대 15mm 까지도 사용 가능  인듐 공정이 필요 없음 Ni-Ti Alloy Target 개발 13 / 19

11.1. 생산장비 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ 진공유도 용해로 진공아크 용해로 단조기 열연기 냉연기 열처리기 가공기 분석기 접착기 생산장비 Ⅰ 14 / 19

11.2. 생산장비 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ Vacuum Induction Melting furnace Heat treatment furnace 생산장비 Ⅱ 15 / 19

11.3. 생산장비 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ Vacuum Arc Melting furnace Vacuum Induction Melting furnace (500kg/charge) 생산장비 Ⅲ 16 / 19

12.1. 분석장비 Ⅰ, Ⅱ ICP(Inductively couple plasma) 분석기 광학현미경 (Optical Microscopy) 경로테스트기 (Hardness Tester) X-ray 형광 분석기 (fluorescence analysis) Glow discharge mass spectroscopy (GDMS) National Research Council Canada RNDKOREA Research Institute Seoul National Univ. 분석장비 Ⅰ 17 / 19

12.2. 분석장비 Ⅰ, Ⅱ Vacuum Evaporator Optical Microscopy Inductively couple plasma (ICP) spectroscopy 분석장비 Ⅱ 18 / 19

감사합니다 ㈜알앤디코리아 경기도 광명시 하안로 108, 에이스광명타워 710 호 ( 경기도 광명시 소하동 1365 번지, 에이스광명타워 710 호 ) 웹사이트 이메일 대표전화 / 팩스