연구 진행 상황 보고서 Insulin Pump CPF & BEPatch DBS & 안면자극 약물 주입 펌프 2주전 계획 연구 개발 완료 및 전달 의료기기 허가 반기보고 준비 논문 투고 전자석 수정 제작 연구 결과 Sleep mode 전류 문제 해결 완료 (50~100uA) Sleep mode off 조건 1. 버튼 클릭 2. RTC IRQ (기초 주입) 6/30일 의료기기평가원 방문 반기보고서 작성 예산 실적 및 계획 작성 문제점 및 대책 PCB 수정 필요 (Pull-down 저항, 스위치) 목표 및 계획 PCB 수정 후 7/7까지 전달 디바이스 6대 제작 임상시험 진행 예산 및 보고서 제출 완료

연구 진행 상황 보고서 AEP X-Project 2주전 계획 연구 결과 문제점 및 대책 목표 및 계획 임피던스 측정 F/W Test 저전력 / 소형화 AFE test 완료 Oz, 귓속 신호 비교 (SSVEP, AEP, Alpha) 연구 결과 문제점 및 대책 목표 및 계획 임피던스 측정 F/W Test (~7/8) 저전력 소형화 H/W Version.1 제작

Test version H/W verification 실험 환경 및 Setting Test device : #1, #2 실험 장소 : 국제관 2층 청각교육센터 내 Shield room LLR (100Avr, 1~100Hz, 12,000V/V), ABR(500Avr, 300~3,000Hz, 120,000V/V) [TEST #1] AEP Device 기능 성능 검증  (Oz, 귓속 신호 Quality 비교) 소리 검증 : 600Hz, 1kHz, 8kHz / 10, 30, 50dB HL Test signal : Electrode short noise level, LLR, ABR, EEG, SSVEP [TEST #2] 저전력 / 소형화 AFE Test Xproject target signal : evoked potential Test signal : LLR(w/ Prep.), LLR(w/o prep, Battery), SSVEP

[Test #1] Test version H/W 검증 결과 summary Board #1 Board #2 Sound Left O Right Electrode Short LLR setting 0.3720(μVp-p) 0.0818(μVrms) 0.3018(μVp-p) 0.0629(μVrms) ABR setting 0.1362(μVp-p) 0.0267(μVrms) 0.1330(μVp-p) 0.0261(μVrms) LLR 측정 ABR 측정 EEG 측정 (alpha wave test) Ch. 1 Ch. 2 Ch. 3 SSVEP

[Test #2] Test version H/W 저전력 / 소형화 AFE Test AFE #1 AFE #2 Buffer의 Input impedance 영향 INA 증폭 시 Saturation 여부 Buffer HPF Active INA Reference Amp LPF ADC INA Amp HPF LPF ADC Active Reference

[Test #2] Test version H/W AFE #3 AFE #4 AFE #5 INA Amp HPF ADC Active Reference LPF 제거  Aliasing effect에 의한 신호 왜곡 여부 INA Amp ADS1299 50 10 24 206.8 1 INA HPF ADC Active Reference Amp 제거 / 증폭률 감소  신호 측정 여부 INA ADC Active Reference HPF 제거  신호 Saturation 여부

[Test #2] Test version H/W 검증 결과 summary Electrode short (100Avr.) (μV p-p / μVrms) Raw data > 6min. (μVrms) LLR (w/ Prep) (w/o prep, Battery) SSVEP AEP 0.3720 0.0818 0.7045 O AFE #1 0.4816 0.0849 0.8766 AFE #2 0.1971 0.0359 0.3895 AFE #3 0.2283 0.0377 0.3748 AFE #4 0.2280 0.0370 0.4336 AFE #5 0.2146 0.0375 0.6488 소모전력 비교 (1ch. 기준) AEP AFE #1 AFE #2 AFE #3 AFE #4 AFE #5 13.5mA 0.48mA 0.32mA 0.28mA 0.24mA 0.2mA

[Test #2] Test version H/W Electrode short (AEP : 0.3720μVp-p / 0.0818μVrms / 0.7045μVrms ) LLR setting AFE #1 AFE #2 Noise level 100 Avr. (μV p-p) (μVrms) Raw data Test 1 0.5342 0.088 0.8795 0.2451 0.0441 0.3777 Test 2 0.4549 0.0805 0.8766 0.1674 0.0297 0.4029 Test 3 0.5433 0.0889 0.8737 0.1811 0.0358 0.3880 Test 4 0.4764 0.0840 0.2179 0.0372 Test 5 0.4196 0.0849 0.1353 0.0334 Test 6 0.4612 0.0834 0.2358 0.0352 Averaging 0.4816 0.1971 0.0359 0.3895 AFE #3 100 Avr. (μV p-p) (μVrms) Raw data 0.2050 0.0379 0.3819 0.2303 0.0377 0.3781 0.2583 0.0402 0.3645 0.2461 0.0424 0.2318 0.0346 0.1986 0.0337 0.2283 0.3748 AFE #4 AFE #5 0.2295 0.0365 0.4289 0.2353 0.0437 0.9291 0.2267 0.0413 0.4336 0.2200 0.0394 0.5977 0.1998 0.0337 0.4385 0.2184 0.0385 0.4196 0.1867 0.0344 0.1860 0.0323 0.2608 0.0415 0.1891 0.0353 0.2648 0.0346 0.2391 0.0359 0.2280 0.0370 0.2146 0.0375 0.6488

[Test #2] Test version H/W Electrode short 결과 분석 AEP Board setting (Chip만 변경) AEP : 0.7045μVrms  저전력 : 0.8766μVrms (증가) INA 전 Buffer / HPF 영향 0.8766μVrms  0.3748μVrms (큰 폭 감소, AEP 보드보다 성능↑) LPF 제거  Aliasing effect 고주파 성분 증가(aliasing 발생) (첨부 자료의 파형 참조) Amp 제거 / 증폭률 감소  신호 측정 여부 0.3748μVrms  0.4336μVrms (Noise 증가  초단 증폭률↑ 유리, ADC noise 대비 신호↑) HPF 제거  신호 Saturation 여부 0.4336μVrms  0.6488μVrms로 Noise level 증가 Offset : 3.5μV  60μV로 증가 & Baseline이 흔들림으로 인해 Noise가 크게 측정됨

[Test #2] Test version H/W LLR 측정 (권치헌, w/ Prep) 초단 Buffer, HPF 제거 Buffer의 Input impedance 영향 비교 INA 증폭시 Saturation 여부 Noise level 결과와 같이 AFE #2의 신호가 더 깨끗 초단 Buffer와 HPF 제거! AFE #1 AFE #2

[Test #2] Test version H/W LLR 측정 (권치헌, w/ Prep) LPF 제거 영향 비교 고주파 Noise 증가 (aliasing) Digital LPF로 해결 가능? AFE #3 AFE #2 AFE #3 - LRF

[Test #2] Test version H/W LLR 측정 (권치헌, w/ Prep) Amp 제거  증폭률 감소(4800 V/V) HPF 제거  신호 Saturation 확인 AFE #3 대비 AFE #4와 AFE #5의 noise level 도 컸고 신호도 Noisy : 증폭률 클수록 유리 신호 Saturation 안됨 AFE #4 AFE #3 AFE #5

[Test #2] Test version H/W LLR 측정 (안중우, w/o Prep, Battery) Impedance = Active(38.8k), Reference(20.5k), Ground(8k) AFE #1 AFE #2 AFE #3 AFE #4 AFE #5

[Test #2] Test version H/W 최종 AFE 선정 HPF, LPF 유지 INA 증폭률을 500V/V로 증가시켜 전체 증폭률 12,000V/V 유지 전체 소모전류 : 0.24mA (1ch. 기준) INA LPF HPF ADC Active Reference 전체 AFE Noise 비교 Noise level 100 Avr. (μV p-p) (μVrms) Raw data AEP 0.3720 0.0818 0.7045 AFE #1 0.4816 0.0849 0.8766 AFE #2 0.1971 0.0359 0.3895 AFE #3 0.2283 0.0377 0.3748 AFE #4 0.228 0.037 0.4336 AFE #5 0.2146 0.0375 0.6488 AFE FIN 0.1550 0.0285 0.2777