2 본 자료는 당사가 작성한 사업설명서와 당사의 사업계획에 의거 작성되었습니 다. 본 자료에서 제시되는 향후 전망은 합리적 예측에 근거하고 있으나 경영환경의 변화에 따라 그 결과가 달라질 수 있으므로 투자가 자신의 판단과 책임하에 투 자를 결정하셔야 합니다. 본 자료는.

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2 2 본 자료는 당사가 작성한 사업설명서와 당사의 사업계획에 의거 작성되었습니 다. 본 자료에서 제시되는 향후 전망은 합리적 예측에 근거하고 있으나 경영환경의 변화에 따라 그 결과가 달라질 수 있으므로 투자가 자신의 판단과 책임하에 투 자를 결정하셔야 합니다. 본 자료는 어떤 경우에도 법적 책임소재의 증빙자료로 사용될 수 없습니다.

3 Chapter 1 : TES 바로알기 Chapter 2 : 반도체 장비 시장 전망 Chapter 3 : TES 의 성장전략 Chapter 4 : Investment Highlight Chapter 5 : APPENDIX TES, 시장의 色을 바꾸다

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5 5 수입의존도가 높고 시장규모가 큰 전공정 장비군 전공정 장비의 13% 를 점하는 핵심장비 ( 투자비중 2 위 ) 고부가가치 장비 / 짧은 교체주기 (3~4 년 ) 높은 진입장벽으로 Niche Market 보유 - 소자업체 / 제품에 따라 Customizing 필수 미세공정 진화로 CVD 장비 적극 사용 ( 스퍼터링 장비의 한 계 극복 ) ▶ Wafer 제조공정에 사용되는 산화막 형성장치의 일종 ▶ 원료가스를 반응기에 주입 후 열프라즈마를 이용 박막형성 ( 전도성 박막 / 절연막 ) ▶ 증착법에 따라 LP CVD, AP CVD, HP CVD, PE CVD 로 구분 - PE CVD → 압력대신 저압기상프라즈마를 형성시켜 증착 ▶ 미세공정 적합장치 (1 장의 Wafer 에 약 40 회 CVD 공정 수행 ) ※ 특징 : 재료고유특성유지 / Uniformity 및 Step Coverage / 뛰어난 Gap-Filling

6 6 TES, 시장의 色을 바꾸다 A사A사 N사N사 AS 사 Yesterday A사A사 TES Tomorrow A사A사 N사N사 AS 사 Passivatio n Metal1 Metal2 PMD STI PMD ACL SiON TEOS HTSiN SiN PEOX HDP WSiX W FOX BPSG 총 30~40 개의 공정 (60 나노 D 램 기준 ) 총 30~40 개의 공정 (60 나노 D 램 기준 ) 120~140 여대의 CVD 장비 소요 (300mm 웨어퍼 생산라인 1 개 기준 ) 120~140 여대의 CVD 장비 소요 (300mm 웨어퍼 생산라인 1 개 기준 ) Today

7 7 TES, 시장의 色을 바꾸다 반도체 설비투자 공정 변화 미세화 진화 대구경화 PE CVD 장비 필요 해외 200mm Regen 수요 발생 미세공정에 적합한 막질구현 CVD 필요 기존 장비의 Regen 필요 300mm 설비 국내 신규 증설

8 8 ReGen 시장 창출 및 최첨단 PE CVD 국산 장비 개발 1 초고속 성장 질주 : CAGR 131.7% (2002~2007) 2 창업원년부터 흑자경영 시현 3 200220032004200520062007 10 113 189 175 345 668 ( 억원 ) 2008 Hynix 200mm PE CVD 납품 삼성전자 200mm PE CVD 납품 300mm PE CVD Hynix 매출 본격화 “ 고속성장 실현 ” TES, 시장의 色을 바꾸다

9 TES 바로 알 기 1.Products 2.Technology 3.Market Positioning 4.Performance Chapter 1

10 10 1. Products 구분 200mm PE-CVD ReGen / Own Brand 300mm PE-CVD ReGen / Own Brand 비 고 H/W (Transfer Module) TELIA200 TELIA300 Challenger 300 S/W TES 개발 Own Software 탑재 막질구현에 따른 구분 Si3N4SiH4 SiONSiH4 SiO2SiH4,TEOS ACL SiCN 현재 외산장비 사용 SiOC 기타 ReGen / Remodeling BPSG O3TEOSHARP WSiX W : 개발 완료 : 개발 예정 TES 바로 알기

11 11 PE-CVD 박막 증착기 술 200mm ReGen 장비 ∙ PE CVD HT SiN (TELIA200) ∙ PE CVD PE-SiH4 Regen ∙ PE CVD ACL ReGen ∙ 유휴 장비 고성능 장비화 ∙ 200mm 장비 아시아 태평양 지역 이전으로 해외 판매확대 ∙ 설비자산 효율적 활용 ∙ 생산성 강화 ∙ 원가절감 및 수익성 개선 300mm Own Brand ∙ PE CVD HT SiN PE-SiH4 (TELIA300) ∙ PE CVD ACL (CHALLENGER300) ∙ 미세공정 적용 장비 ∙ 신성장 Blockbuster 제품 ∙ 국산화율 제고 ∙ 외산장비 대체 ∙ 원가절감 및 수익증대 Fab Solution 장비 - 보유기술 활용 극대화 - 다양한 사업기회 창출 HF Dry Etcher Bevel&Back Side Etcher ACL 用 PE-CVD 태양전지用 PE-CVD LED 用 MO-CVD Flowable Oxide 用 CVD Plasma Oxidation 用 PE-CVD Low K 用 PE-CVD 대당 USD350 만 이상의 큰시 장 고가장비 재활용 R&D 확장성이 높은 수입대체 기술 미세공정 Solution 국책과제 기술 2. Technology TES 바로 알기

12 12 3. Market Positioning Major Customers Vanguard Competitors 국내 PE-CVD 시장 M / S TES (25%) A 사 (11%) 기타 (64%) 주 : 2007.6.30 매출 기준 / 기타는 외산 장비 ▶ 선정 부문 : 상생프로젝트 /ACL 부문 사업자 나노반도체 원천기술 상용화 부분 사업자 ▶ 시행사 : 삼성전자, 하이닉스, 동부하이텍 ▶ 참여기관 : 학계, 연구기관, 산자부 ▶ 장비개발 Source 다변화 ▶ 기술적 우위 선점 ( 장비개발전문가 그룹 ) ▶ 개발기간 단축 및 개발비용 최소화 국책과제 사업자 선정 TES 바로 알기

13 13 4. Performance 매출 및 손익 실적 ( 억원 ) CAGR : 95.2 % 668 200520062007 97.1% 93.6% 175 345 매출 손익 ( 억원 ) 영업이익 11.4% 21.4% 당기순이익 영업이익률 24.9% 20 74 166 18 64 150 200520062007 TES 바로 알기

14 반도체 장비 시장과 TES 1. 반도체 산업 기상도 2. 반도체 장비시장 현황 3. 반도체 장비 시장의 환경변화와 TES Chapter 2

15 15 1. 반도체 산업 기상도 DRAM [ Turn-Around 국면 진입 ] ▶ Bit Cross 발생 ▶ 8˝ 생산 Line Fade-Out ▶ 후발업체 감산 ▶ Line 가동 일시중단 ( 프로모스 ) ▶ CAPAX 축소 ▶ 미세공정 기술격차 ▶ 투자매력 감소 Nand Flash [ 수요 급증 기대 ] ▶ 중국 IT 수요 본격 증가 - 북경올림픽 - Apple 의 중국 진출 ▶ 3G 휴대폰, PMP 판매 증가 ▶ SSD 제품 공급 증가 등 반도체 장비시장과 TES

16 16 2. 반도체 장비 시장 현황 ( 억불 ) ( 억불 ) (%) 53% 21% 19% 7% PE-CVD AP-CVD MO-CVD LP-CVD 한국 아시아태평양 43 57 74 73 80 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 200720082009 7.3 9.3 9.7 2.3 3 3 2.9 10.1 2007200820092010 전공정 장비 시장 규모각 CVD 장비 비중 PE CVD 장비시장 규모 반도체 장비 전공정 장비 반도체 장비시장과 TES

17 17 ► 주력제품 1Gb 로 전환 ► 200mm 효율성 저하 극복 ► 300mm Line 확대 (M10, M11, C2 Line) ► Nand 전용 300mm Fab 가동 (M11) ► 300mm 48 Nano 공정 전환 3. 2008 년 반도체 장비 시장의 환경변화와 TES CAPEX 투자 : 약 7 조원 ▶ 1Gb D Ram 생산본격화 ▶ 1GB MLC 양산 ▶ 60 Nano 비중 확대 ▶ 50 Nano 비중 확대 ▶ 15 Line 300mm 증설 ▶ SAS 2 기 300mm 증설 CAPEX 투자 : 약 4 조원 PE-CVD 장비 수요 지속 반도체 신규장비 추가 반도체 장비시장과 TES

18 TES 의 성장 전략 1. 경영 Vision 2.Growth Roadmap 3. 경영 목표 4. 주식시장내 TES 의 위 상 5.2008 경영계획 Chapter 3

19 19 1. 경영 Vision TES 의 성장전략 CHALLENGER 300 (300mm PE CVD ACL) CHALLENGER 300 (300mm PE CVD ACL) 2009 - 매출 : 2000 억원 - 영업익 : 600 억원 200mm PE CVD ACL Regen TELIA 300 (300mm PE CVD HT NiT /PE-SiH4) TELIA 200 (200mm PE CVD HT NiT / PE-SiH4) + + 신제품 매출 확대 300mm 신제품매출 확대 TELIA / CHALLENGER BBSE Launching DRY HF ETCHER Launching Solar Cell PE CVD Launching 300mm 신제품매출 확대 TELIA / CHALLENGER BBSE Launching DRY HF ETCHER Launching Solar Cell PE CVD Launching R&D 강화 정예 R&D 인력 구성 특허, 무형자산 취득 교육, 보상체제 확립 정예 R&D 인력 구성 특허, 무형자산 취득 교육, 보상체제 확립 자기자본 확충 코스닥 상장 업계평균 이상 최고가 주가 정책 코스닥 상장 업계평균 이상 최고가 주가 정책

20 20 2. Growth Roadmap 반도체장비 Regen 전문기업반도체장비 Solution Provider 2006200720082009 차세대 제품 출시 - Flowable Oxidation, SiCN, SiOC, Low K, Plasma Oxidation 300mm Own Brand 판매 매출 증가 200 / 300 mm PE CVD ReGen Solar cell PE CVD 용 장비 판매 신제품 출시 - BBSE / 태양전지용 PE CVD, LED 용 MO CVD, HF Dry Etcher Own Brand 판매 본격화 200 /300 mm PE CVD ReGen 300mm HT Nit 판매 개시 Own Brand 개발 → 300mm HT NiT PE-SiH4 / ACL ReGen 사업 - 삼성전자 200mm PE CVD ReGen 납품 - 하이닉스 200mm PE CVD ReGen 납품 Own Brand 개발 및 판매 개시 Own Brand 판매 본격화 및 후속 신제품 출시 매출 2,000 억 Club 진입 TES 의 성장전략

21 21 매출 연도별연도별제품별제품별거래처별거래처별 ( 억원 ) 3. 경영목표 668 1,379 2,000 668 1,379 2,000 214 431 23 199 746 433 500 1,000 500 668 1,379 2,000 기타 300mm PE CVD 200mm PE CVD 기타 수출 삼성전자 Hynix 250 275 140 23 578 423 178 200 810 800 300 90 TES 의 성장전략

22 22 3. 경영목표 손익 ( 억원 ) 150 166 323 358 550 620 당기순이익 영업이익 24.9 (%) 26.0 31.0 22.4 23.4 27.5 EPS( 주당순이익 ) 영업이익률 당기순이익률 이익목표이익목표이익률이익률 TES 의 성장전략 3,884 원 7,546 원 11,687 원 * 주 : ’08 / ’09 년 EPS 는 공모 후 평균자본금 기준

23 23 4. 2008 경영 계획 [ ] 매출 TES 의 성장전략 ReGen 신제품 TELIA300 / Challenger 300 기타 LCD 장비 / BBSE / Solar Cell 장비 [ 매출계획 : 433 억원 ][ 매출계획 : 200 억원 ][ 매출계획 : 746 억원 ] ▶ 국내 : 305 억원 ▶ 해외 : 128 억원 소계 : 433 억원 ▶ 국내 : 506 억원 ▶ 해외 : 240 억원 소계 : 746 억원 ▶ LCD 장비 / 부품 등 : 100 억원 ▶ BBSE : 100 억원 ▶ Solar Cell 장비 - 선진 대기업과 MOU 체결 - 구현 가능장비 개발 매출 시현 200 / 300mm

24 24 4. 2008 경영 계획 TES 의 성장전략 R&D R&D 투자 ▶ 연구인력 충원 : 석박사급 00 명 ▶ R&D 투자 증액 - 57 억원 (’07)  102 억원 (’08) ▶ 연구원 및 주요 인력 사기 앙양 - 자사주 취득 보상책 ▶ 산학연 연구활동 강화 - 서울대, 연대, 고대, 성균관대, 한동대 ▶ 정부과제 우선대상자 선정 - ’07 : 상생 프로젝트 - ’08 : 나노반도체 원천기술 상용화 사업자 ▶ 특허 및 무형자산 취득 - 특허 전담팀 운영 / 무형자산 인센티브 도입 ▶ R&D Roadmap 개발 일정 관리 R&D 그룹 기능 강화 R&D 투자 구분 20082009 비고비고 1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4Q DRAM66nm45nm FLASH5745nm35nm CVD ACL 양산 및 시장 확대 Flowable Oxide44444 SiCN/SiOC222211 Low-K112222 PlasmaOxidation33333 ETCH HF Dry Etcher5555 BBSE510 Solar Cell CVD LED MO CVD LCD 장비양산, Up Grade, 제품 및 시장 확대 R&D 투자금액 ( 억원 ) 22272818125 #1,#2 공장, 죽전시설투자 52100 년간 투자금 합계 102 억원 117 억원

25 25 R&D 투자 재무적 측면비재무적 측면 ▶ 세계 No.1~No.3 IT 회사가 고객 ▶ 설립후 130% 의 CAGR 및 지속 흑자 경영 시현 ▶ 최상의 투자가치 보유 ▶ Hidden Asset 보유 → 유형자산 평가익 48 억원 ▶ 동업계 최상의 1 인당 매출액 → 13 억원 (’08E) 구분 EPS( 원 )BPS( 원 ) 유보율 (%) 2008(E)7,54619,9633,800 20073,8848,0681,500 상장 후 명품 주 식화 TES 의 성장전략 4. 2008 경영 계획 ▶ 대표이사 업계 30 년 경험과 Personality - 반도체 1 세대 ( 삼성전자, 하이닉스 ) - 동탑 / 철탑 산업훈장 수상 ▶ 미래 Vision 보유 - R&D 투자 : 57 억원 (’07) → 102 억원 (’08) - LED 제조용 MO CVD, LCD, Solar Cell 제조용 PE CVD 개발 ▶ 희소성 있는 주식 - 유통가능 주식수 : 1,706,668 주 ( 공모주 : 851,455 주 ) ▶ 주주중시 경영지향 - 배당성향 제시 ( 동업계 최상 수준 )

26 Investment Highlights 1.Credible Company 2.Leading Company 3.Value Company 4.Strong Company Chapter 4

27 27 1. Credible Company GrowthProfitabilityFinancial Strength 97.1 93.7 2005 20062007 -7.4 (%) 11.2 20.6 24.9 200520062007 (%) 71.5 69.4 69.2 200520062007 [ 매출액 성장율 ][ 영업이익율 ][ 부채비율 ] Investment Highlight

28 28 2. Leading Company ReGen 시장 창출 상생 프로젝트 Fab Solution 유휴장비 고성능 장비화 설비자산의 효율적 운영기여 수출 시장 확대 국산화율 제고 외산장비 대체 국가경제 기여 보유기술 활용 극대화 신장비 개발 고객기업 경쟁력 강화 TES 의 반도체 CVD 증착기술 Investment Highlight

29 29 3. Value Company EPSBPSCPS 3,884 (원)(원)(원)(원)(원)(원) 1,1161,186 8,068 5,245 5,8683,873 1,3141,208 TES AP 사 J사J사 TES AP 사 J사J사 TES AP 사 J사J사 ※ 주 : 1$ = 930 원 적용 Investment Highlight

30 30 4. Strong Company ▶ 국책과제 - 국산장비 구매 확대 ▶ 반도체 시장 전환 국면 진입 ▶ Capa 증설 Rush ▶ 지속되는 ReGen 수요 ▶ 국책과제 - 국산장비 구매 확대 ▶ 반도체 시장 전환 국면 진입 ▶ Capa 증설 Rush ▶ 지속되는 ReGen 수요 ▶ Steady Seller : 200 / 300 mm ReGen ▶ Block Buster : 300mm HT NiT / ACL ▶ 차세대 신제품 출시 - BBSE, LED 제조용 MO CVD, Solar Cell 제조용 PE CVD 등. ▶ Steady Seller : 200 / 300 mm ReGen ▶ Block Buster : 300mm HT NiT / ACL ▶ 차세대 신제품 출시 - BBSE, LED 제조용 MO CVD, Solar Cell 제조용 PE CVD 등. ▶ Management Team - 경험과 Know-How 보유 ▶ R&D Capability - 선행투자 및 기술개발 - R&D 투자 강화 ▶ Management Team - 경험과 Know-How 보유 ▶ R&D Capability - 선행투자 및 기술개발 - R&D 투자 강화 ▶ 미세공정 최적 Solution 보유 ▶ 자체 S/W 탑재로 End-User 요구 대응 ▶ 국책 과제 - 상생 프로젝트 - 나노 반도체원천기술 상용화 ▶ 미세공정 최적 Solution 보유 ▶ 자체 S/W 탑재로 End-User 요구 대응 ▶ 국책 과제 - 상생 프로젝트 - 나노 반도체원천기술 상용화 Business Model Market Condition Technology Investment Highlight Human Capital

31 Appendix 1. 공모 정보 2. 요약 재무제표 3. 경영진 4. 지적재산권 보유 현황 5.IR Team Chapter 5

32 1. 공모 정보 Appendix

33 33 2. 요약 재무제표 대차대조표대차대조표손익계산서손익계산서 ( 백만원 ) Appendix 과목 200720062005 유동자산 25,29313,6965,864 당좌자산 23,67310,3143,799 재고자산 1,6193,3812,065 비유동자산 27,32814,1936,099 투자자산 8,3165,5722,252 유형자산 11,8947,7083,220 무형자산 4,086913627 기타비유동자 산 3,0311,021627 자산총계 52,62127,88911,964 유동부채 10,9407,9143,697 고정부채 10,5833,5411,289 부채총계 21,52411,4254,986 자본금 1,927 800 자본잉여금 2,2722,273- 이익잉여금 27,48512,2656,177 자본총계 31,09716,4656,977 과목 200720062005 매출액 66,82334,48417,454 매출원가 45,58824,40713,140 매출총이익 21,23910,0774,314 판관비 4,5672,9682,353 영업이익 16,6727,1091,961 영업외수익 1,6871,22539 영업외비용 1,516976282 경상이익 16,8427,3581,719 법인세 등 1,872933- 38 당기순이익 14,9706,4251,757

34 3. 경영진 Appendix

35 35 4. 지적재산권 보유현황 번호번호 내용출원일등록일주무관청 1 반도체 처리장비 내의 통신제어 방법 2004.12.282006.02.24 특허청 2 가스라인 누설점검장비 2005.08.04 특허청 3 반도체 제조장비 2005.05.132007.07.05 특허청 4 가스배기 시스템 및 반도체 제조장비 및 이를 이용한 박막제조 방법 2006.05.11 대만출원 5 가스배기 시스템 및 반도체 제조장비 및 이를 이용한 박막제조 방법 2006.11.10 중국출원 6 팬구동 모니터링 장비 및 그 방법 2005.07.132007.07.23 특허청 7 비정질 탄소막의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 2005.11.112007.04.30 특허청 8 히터용 여과기판 연결부재 2006.05.292007.01.22 특허청 9 웨이퍼 이송 로봇 및 이를 구비한 클러스터 툴 2006.11.292008.02.13 특허청 10 챔버내의 웨이퍼용 리프트 2006.10.262007.08.02 특허청 11 기판 처리 장비 2006.11.29 특허청 12 기판지지 어셈블리와 기판처리 장비 및 기판 처리 방법 2007.02.26 특허청 13 비정질탄소막의 제조방법 및 이를 적용한 반도체 소자의 제조방법 2007.05.15 특허청 14 비정질탄소막의 제조방법 및 이를 적용한 반도체 소자의 제조방법 2007.05.15 특허청 15 비정질탄소막의 제조방법 및 이를 적용한 반도체 소자의 제조방법 2007.05.22 특허청 번호번호 내용출원일주무관청 16 플라즈마 처리 장비 2006.12.08 특허청 17 반도체 제조 장비 2007.06.20 특허청 18 가스분사장비 및 이를 구비하는 기판처리 장비 2007.08.14 특허청 19 비정질 탄소막의 제조방법 및 이를 적용한 반도체 소자의 제조 방법 2007.08.14 특허청 20 Method of Forming Amorphous carbon Film and Method of Manufacturing Semiconductor Device Using The Same 2007.08.24 일본출원 21 Method of Forming Amorphous carbon Film and Method of Manufacturing Semiconductor Device Using The Same 2007.08.15 미국출원 22 Method of Forming Amorphous carbon Film and Method of Manufacturing Semiconductor Device Using The Same 2007.08.28 대만출원 23 Method of Forming Amorphous carbon Film and Method of Manufacturing Semiconductor Device Using The Same 2007.09.14 중국출원 24 전극조립체 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장비 2007.09.05 특허청 25 절연막 형성 방법 2007.08.31 특허청 26 플라즈마 처리장비 2007.09.14 특허청 Appendix

36 5. IR Team