Proprietary ETRI OOO 연구소 ( 단, 본부 ) 명 1 S-band 30W GaN HEMT 기술 ETRI Technology Marketing Strategy ETRI Technology Marketing Strategy IT R&D Global Leader.

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1 Proprietary ETRI OOO 연구소 ( 단, 본부 ) 명 1 S-band 30W GaN HEMT 기술 ETRI Technology Marketing Strategy ETRI Technology Marketing Strategy IT R&D Global Leader [ 별첨 5] 강 동 민 (kdm1597@etri.re.kr) @etri.re.kr 광무선융합부품연구부 /RF 융합부품연구실 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

2 Proprietary 2 목 차 ---------------------------------------------- 1. 기술의 개요 2. 기술이전 내용 및 범위 3. 경쟁기술과 비교 4. 기술의 사업성 - 활용분야 및 기대효과 5. 국내외 시장 동향 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

3 Proprietary 3 1. 기술의 개요 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부 ▣ S-band 30W GaN HEMT 기술 -“ 수요자 중심 화합물반도체 부품 산업기반 강화 ” 과제의 결과물인 S- band 30W GaN HEMT 기술은 선박, 레이더, 미사일 등 민 / 군수용으로 활용도가 높고 선진국에서의 기술 도입이 매우 어려워 자체적으로 기술 확보가 필수적인 민 / 군수용 선박, 레이더의 핵심 기술 중의 하나임. - 해외 기업체의 주요 상품군인 S-band 용 GaN 전력소자 및 모듈을 대체할 수 있는 기술로서, 주요 기술이전 내용으로는 S-band 30W GaN HEMT 소자의 공정에 대한 문서 및 소자 / 모듈에 대한 성능 평가 기술 등이 기술 이전 내용에 포함됨.

4 Proprietary 4 2. 기술이전 내용 및 범위 ▣ 기술이전의 내용 기술명 : S-band 30W GaN HEMT 기술 - 동작주파수 : 3 GHz - 출력전력 : > 30 Watt (44.8 dBm) - 전력이득 (Gain) : > 6 dB - 전력효율 (PAE) : > 35 % - 차단주파수 (f T ): > 10GHz - 최대발진주파수 (f max ): > 30GHz - 드레인 포화전류 (Idss) : > 500 mA/mm - 트랜스컨덕턴스 (Gm) : > 150 mS/mm - 문턱전압 (Vth) : -3.0 ± 0.5 V - 게이트 길이 (Lg) : 0.5 ± 0.1 µm 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

5 Proprietary 5 2. 기술이전 내용 및 범위 ▣ 기술이전의 범위 기술명 : S-band 30W GaN HEMT 기술 - S-band 용 GaN HEMT 소자 Layout - S-band 용 GaN HEMT 소자 시험절차서 - S-band 용 GaN HEMT 소자 시험결과서 - S-band 30W GaN HEMT 소자 시제품 및 판매 실시 권리 - 관련 기술문서 및 지적재산 (TM/TDP, 특허 ) 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

6 Proprietary 6 2. 기술이전 내용 및 범위 ▣ 기술 개발 현황  기술개발단계 : 기술개발완료 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부 S-band GaN 전력소자 공정흐름도  에피구조  S-band GaN HEMT 소자 및 패키지

7 Proprietary 7 2. 기술이전 내용 및 범위 ▣ 기술 개발 현황  기술성숙도 (TRL : Technology Readiness Level) 단계 : ( 5 ) 단 계 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

8 Proprietary 8 3. 경쟁기술과 비교 ▣ 경쟁기술 대비 우수성 ▣ GaN 전력소자는 기존의 전력소자에 비하여 전력밀도가 높아 칩의 면 적을 줄일 수 있음. ▣ GaN 전력소자는 기존의 전력소자에 비하여 주파수특성이 우수하여 광 대역 및 고주파용 고출력 전력증폭기 제작에 유리함 ▣ GaN 전력소자는 기존의 전력소자에 비하여 입출력 임피던스가 높아 정 합회로의 구현이 용이함. 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

9 Proprietary 9 4. 기술의 사업성  예상 응용 제품 및 서비스  사업성 : RF 전력증폭기 시장은 2014 년 22 억불로 매년 15% 성장하면 2020 년에는 51 억불로 예상됨 [ 자료 : Global Industry Analysts, Inc.(2009.2)/ IDC 2008]  기술이전 업체 조건 : GaN HEMT 소자 활용 기술을 확보하고 있는 기업  사업화시 제약 조건 : 상용화 수준까지 도달하기 위해서는 발열문제, 고내압 특성, 장기 신뢰성 등을 해결해야 함 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부

10 Proprietary 세계 제일의 IT 강국으로서 세계 최고 수준 의 민수용 RF 기술 보유 전력 소자 등 반도체 관련 학계 및 연구소의 우수한 인력 및 축적된 경험 강 점 (Strength) 약 점 (Weakness) 기 회 (Opportunity) 위 협 (Threat) 국방 -IT 육성계획에 따른 정책적 지원 국내 전자소자 기반 기술 확보 군수 시스템 업체의 관심으로 상용화 가능성 높음 부품, 소재 등 기반산업의 취약으로 인해 대외 의존성 상존 외국의 경우 정부 주도적으로 전력반도체 등 핵심 기술 개발을 꾸준히 진행해와 기술 적 격차가 있음 선진국의 앞선 기술력을 단시일에 따라잡기 는 어려움 핵심기술 확보를 위한 국가, 업체별 경쟁 심화와 높은 시장 진입 장벽 4. 기술의 사업성 SWOT 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부 10

11 Proprietary - GaN 반도체는 군수용으로 활용 : 군수용 RF 부품은 GaN devices 로 전환되는 추세이며, 2014 년 군수용은 전체 GaN 시장의 46% 를 차지하고 있음. - 세계 시장 규모 : 2014 년 – 1.7 억불 11 이동통신용 전력증폭기 시장 레이더용 GaN 반도체 시장 구분 20102011201220132014CAGR 국내 783.7777.6790.8798.7807.10.74% 세계 6.5 6.6 6.70.74% - 시장 : 세계시장 6.6 억불, 국내시장 798 억원 규모 (2013 년 기준 ) ※자료 : IDC 2008, MARKET ANALYSIS:Worldwide Cellular Basestation Semiconductor 2008-2013 Forecast and Analysis - 현재 90% 이상 수입에 의존하는 LDMOS 전력증 폭기는 향후 특성이 우수한 GaN 전력증폭기로 대 체될 전망 표. 이동통신 기지국용 전력증폭기 시장 ( 단위 : 억원 / 억불 ) 5. 국내외 시장 동향 부품소재연구부문 / 광무선융합부품연구부 11

12 Proprietary ETRI OOO 연구소 ( 단, 본부 ) 명 12 감사합니다. ♣ 연락처 : 부품소재연구부문, 강동민 선 · 연 (042-860-1592, kdm1597@etri.re.kr) www.etri.re.kr ※ 하단의 문의처 소개후, 발표후 개별기술 상담이 가능함을 다시 한 번 안내함