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42.11 트랜지스터 (Transistor) 트랜지스터 : 입력되는 전기신호를 증폭시킬 수 있는 3개의 단자로 이루어진 반도체 소자 FET(Field- Effect- Transistor) : S 단자(소스, source)와 D단자(드레인 drain)사이에서 전하들이 이동하고, G단자 (게이트, gate)에 전기 퍼텐셜을 부가하여 전하의 흐름을 조절 S D source drain G 절연층 활성층 반도체 FET의 일종 : MOSFET ↓ →현대 반도체 산업의 중심 Metal-oxide-semiconductor-FET ↓ G(gate)가 열리는 ON 상태와 G가 닫히는 OFF상태를 빠르게 반복하는 장치 ↓ Digital 회로에 사용
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42. 11 트랜지스터 (계속) MOS FET의 기본 구조 작동원리
Si에 약간 도핑하여 p-형 반도체 또한 아주 강하게 도핑화하여 n-형 반도체를 적층 Active layer(활성층, ISD이 형성되는 층) 형성!!! 절연층(SiO2)을 사이에 두고 gate 전극 작동원리 ①Source와 기판 : 접지, UG=0, VD>0일 경우 VDS≠0 → IDS 형성 ② 이때, VGS<0을 가하면, n-형 반도체 채널의 전자가 p-형반도체쪽으로 밀려난다. → “OFF상태” ON-OFF의 반복 : “전기신호의 여닫개역할” Electronic Materials Research Lab in Physics,
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42.11 트랜지스터 (계속) 중요한 두가지 기능 - 전기 신호의 ON-OFF - 전기 신호의 증폭 기능 FET
TFT(thin film transistor)로 변화 소자의 소형화 평판 디스플레이 Electronic Materials Research Lab in Physics,
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