Chapter 6. BJT의 특성 및 바이어스 회로

Presentation on theme: "Chapter 6. BJT의 특성 및 바이어스 회로"— Presentation transcript:

1 Chapter 6. BJT의 특성 및 바이어스 회로

2 2.1 BJT의 동작원리: NPN, PNP BJT

3 Operating mode

4 Structure and Symbol of Bipolar Transistor

5 단자 전압과 전류의 관계

6 2.2 BJT의 I-V 특성 곡선

7 Continued

8 소신호 등가회로

9 Visualization of Transconductance

10 Base resistance

11 Early Effect Representation
CH4 Physics of Bipolar Transistors

12 CE resistance By Early Effect

13 단자전압과 전류의 상관관계: PNP CH4 Physics of Bipolar Transistors

14 2.3 BJT의 DC bias

15 Chapter 6 실험방법

16 실험 준비물

17 실험시 주의사항 실험하기전에 power supply 전류 limit을 100mA에 설정해 놓아야 함 BJT의 방향확인
E B C

18 실험시 주의: Current gain인 값에 차이
2017년 실험결과의 예 이론=106.6, 측정결과=240  값의 차이가 결과 예측에 어려움이 있음. (b) 측정결과 (a) simulation IB=6µA의 경우 simulation과 측정결과 비교

19 실험방법 수정 RB와 RC를 short 시키고 측정

20 실험방법 수정: 측정결과를 아래 table에 기록
Data sheet에 나오는 값 또는 simulation으로 Is를 유추하여 계산해야 함. VBE와 IC 의 한 동작점에서 찾으면 됨.

21 오타 수정

22 오타 수정 VBE

23 4.1 BJT DC 특성 실험

24 측정해서 아래의 표에 기록

25 실험방법 변경 RB를 short 시키고 측정

26 Continued

27 4.2 BJT의 bias회로 실험

28 측정결과를 아래 table에 기록 Data sheet에 나오는 값 또는 simulation으로 Is를 유추하여 계산해야 함.
VBE와 IC 의 한 동작점에서 찾으면 됨.

29 4.3 BJT의 특성을 바탕으로 소신호 등가회로 계산

30 Continued 위실험결과(I-V curve 실험)로 부터 VA와 값을 찾아서 표 6.5를 기록해야 함.