안녕하세요. LG실트론입니다. 당사에서는 아래와 같이 해외 학사/석사/박사 졸업자 및 졸업예정자를 대상으로 일반입사와 산학장학생을 모집합니다. 많은 분들의 지원 부탁 드립니다. ▣ 모집기간 - 2013.1.31(목)~2.8(금) ▣ 모집 대상 ▶일반입사 - 포닥/박사:

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1 안녕하세요. LG실트론입니다. 당사에서는 아래와 같이 해외 학사/석사/박사 졸업자 및 졸업예정자를 대상으로 일반입사와 산학장학생을 모집합니다. 많은 분들의 지원 부탁 드립니다. ▣ 모집기간 (목)~2.8(금) ▣ 모집 대상 ▶일반입사 - 포닥/박사: 기졸업자 또는 졸업예정자 및 Course Work이수자 - 석사: 기졸업자 또는 2014년 5월 이전 졸업자 ▶ 산학장학생 - 석사/박사 재학생 중 회사로부터 장학금 수혜를 희망하는 자 ▣ 지원방법 - On-line 이메일 접수(~2.8(금)까지) - 자유양식의 Resume를 으로 송부 - 지원상 문의사항은 인사팀 송부 전화 상담은 언제든지 환영입니다. 원하시는 분은 이메일로 연락처를 남겨주시기 바랍니다. ▣ 전형방법 - 서류전형 결과 발표 : 2월초 예정 - 면접: 3월 중 미주 현지 면접 - 입사일정: 최종 합격자에 한하여 개별 협의

2 ▣ 모집 분야 구분 관련 전공 및 요구 역량 반도체 Wafer Growing 결정성장 또는 결정 Bulk특성
(결정결함 거동 해석, 산소 및 제3원소 거동해석)연구 Wafering 실리콘 재료의 Polishing연구(Polishing 연마제나 Pad 연구 포함) 실리콘 세정 기술 연구 EPI 재료공학, 금속공학, 화학공학 전공자 Thin Film, CVD(MOCVD, APCVD, LPCVD, FECVD) Epitaxial Growth 전공 Sapphire 결정학, 물리, 화학 관련 전공자, 정밀기계가공 분야 전공자 Single crystal growth Heat&Mass Transport Phenomena Fluid Dynamics&Phase Transition 450㎜ 단결정 재료/신소재 전공자 결정성장 또는 결정 Bulk 분석 메커니즘 이해 및 결정결함 거동 해석 Simulation 해석 능력 SiC, SiO2 연마재나 Diamond 입자를 이용한 Si 재료의 연삭 (Warp Bow제어, 평탄도 및 Damage Layer 제어) SiO2 연마재 및 우레탄 Pad를 이용한 Si 표면 경면 연마 (평탄도 및 표면결함 제어) 세정기술 연구 (Si 표면 미세 파티클, 유기물, 메탈 불순물 제거) Bulk GaN 1) 1. Bulk GaN Crystal Growth (HVPE, Ammnothermal, Flux, etc) 2. 화합물 반도체, 질화물 단결정 성장 3. 기타 결정성장 또는 GaN Film 성장 재료공학, 화학공학, 물리학, 세라믹공학, 반도체 공학 등 초정밀분석 화학분석 ICP-MS, GC-MS, OES, TXRF, PL, Raman, FT-IR 표면특성 표면구조분석: SIMS, XPS, AFM/SPM 전기적특성 Electrical measurement, 광 특성전공: SPV, SLTS, PL, C-V 결정특성 결정구조해석, 미세구조분석, 전자현미경: X-ray, TEM, FIB, SEM