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42.8 pn 접합 n형 반도체와 p형 반도체의 접합 : 다수 나르개(major charge
Carrier)의 운동 → n형 : 전자, p형 : 양공 다수 나르개의 운동 He 풍선 공기 He의 확산 풍선터짐 (drift) n측 전자나 p측의 양공이 퍼진다(확산된다) →퍼짐전류(Idrift) n-p 결합층에 공간전하(d0)를 형성 →고갈영역(depletion region) 공간 전하 →접촉 퍼텐셜 V0를 유도 Electronic Materials Research Lab in Physics,
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pn 접합(계속) 42.9 접합 정류기 소수 minor 나르개 운동
물론 n형반도체의 경우 전자가 major이지만 양공에 의한 minor 운동도 존재한다. P형 반도체는 반대. 42.9 접합 정류기 그림 42.14(a): 전지의 양극단자가 p형 반도체에 연결 → “순방향 바이어스”(forward bias) → p형은 더욱 양성 n형은 더욱 음성 → V0 d0 V0 V0의 높이를 낮춤!
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42.9 정류정합기(계속) 순방향 바이어스 : V0를 낮춤 →d0(고갈영역)을 줄임 →보다 많은 다수 나르개들이 낮아진 언덕을 넘어설수 있다 (외부 전압으로 일단 순방향 전류 증가) 역방향 바이어스 : 전지의 양극이 n형 반도체와 음극이 p형 반도체와 연결 (reverse bias) → 외부 기전력이 접촉 퍼텐셜 V0를 증가시킴 V0 d0 V0 D0(고갈영역)가 증가 Idrift 는 현저히 감소 소수 나르개의 전하 이동은 유지 : 작은 역방향 전류
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42.9 접합 정류기(계속) (그림42.12) pn접합에서의 forward or reverse
bias 경우 전류 흐름 (forward : 전류증가 reverse : 전류감소) 접합 정류기 (Rectifier) 그림 42.13(b), (c)에서 한쪽 방향 전류만 통과 Electronic Materials Research Lab in Physics,
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