서강대-하이닉스반도체 트랙프로그램 2011년 3월 서강대학교 1.

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1 서강대-하이닉스반도체 트랙프로그램 2011년 3월 서강대학교 1

2 서강대-하이닉스반도체 트랙프로그램 개요 기간 목적 대상 규모 일정 서류제출 면접전형 장학금 지급 서류 문의
2008년 3월부터 2014년 2월까지 6년간 목적 반도체 및 설계기술인력 양성 "SoHy II 프로그램" 설치 운영 대상 병역필/면제, 전자공학, 물리학, 화공생명공학 등 반도체분야 전공학생 규모 20명 이상/년 (총 120명 이상/6년) 일정 매학기 리쿠르트 기간 중 (별도 공지 예정)   하이닉스에 On-line으로 제출 서류제출 서류전형 → 직무적성필기검사 (HYNAT) → 1차면접(Gr.장) → 2차면접(본부장) 면접전형 선정된 학기부터 지급 (3월 선정의 경우 1학기부터) 장학금 지급 서류 신청서, 수학계획서, 성적/재학(졸업)/어학증명서, 각 1부 * 지도교수 추천서는 선택 사항으로  윤규한교수에게 직접 제출 문의 총괄간사/전자공학 : 범진욱 교수 R815 물리학 (학과장): 정현식 교수 R1023 화공생명공학 (전담교수) : 문준혁 교수 RA421 산학연계자문 (특임교수) : 윤규한 교수 BI303

3 트랙프로그램 상세내용 구 분 내 용 비 고 양성인력 규 모 장학생 지원요건 장학금 인턴쉽 참고사항 기타특전
구 분 내 용 비 고 양성인력 규 모 전자공학 전공자 + 물리 화공생명 전공자 20명 이상/년 지원 대상 : 3학년 2학기 이상 학부생 및 석사과정생 (3학년 1학기부터 응모 가능, 장학금은 3학년 2학기 이후 지급) 합격자 석사 연계 진학 가능 (각 전공별 대학원 진학가능) 병역필/면제 장학생 지원요건 전자공학 전공 학부생 : TRACK 필수 6 과목 18학점 이수 석사과정생 : TRACK 필수 6과목, 선택 2과목 총 24학점 이수 물리/화공생명공학 전공 학부생, 석사과정생 이수과목 요건 없음/반도체 관련 과목 이수자 우대 성적평점 2.87/4.3 이상 TOEIC 650점 이상 장학금 학부 학비보조금 지원 : 100만원/월, 인턴십 1회 실시 (실습비 별도 지원 ) 성적우수자 300만원 배낭여행 지원금 석사 학비보조금 지원 : 등록금 + 30만원/월, 우수장학생 추가 지원금 지급 가을 학기 졸업자는 8월경 입사 인턴쉽 하계 및 동계 방학 4주간 현업 실습 교육 4학년 하계/동계방학 기간 중 실시 (실습비 등 별도 지원) 석사 진학자는 하이닉스와 협의 후 대학주관 특수연구 실시가능 참고사항 기타특전 학부 장학금 지급은 최대 18개월 / 석사 장학금 지급은 최대 24개월 하계 혹은 동계방학 기간 “하이닉스반도체 장학생 워크숍 (교수/VIP 참여)” 개최 (강원도 등 역외) 우수한 소수 하이닉스 장학생 해외연수 지원 (반도체 관련교수 연구실과 동참 및 경비지원) 매월 마지막 주 목요일 오후 5시 “하이닉스반도체 장학생의 날” 워크숍 및 애로사항 토론 외 각종 지원

4 트랙프로그램 커리큘럼 및 이수기준 구 분 2학년 3학년 4학년 1학기 2학기 1학기 2학기 1학기 2학기 TRACK 이수기준
구 분 2학년 3학년 4학년 1학기 2학기 1학기 2학기 1학기 2학기 커리 큘럼 전자 필 수 9과목 회로 이론 I(3) 회로 이론 II (3) 물리전자공학 I (3) 물리전자공학 II(3) 디지털 회로 설계 (3) 전자회로 I(3) 전자회로 II (3) VLSI 시스템 설계 (3) 산학 1과목 [메모리설계 및 testing 기술(3), 반도체 소자및 공정실무 (3) 중 택1] 선 택 8과목 중 택2 반도체 집적회로 해석 및 설계 (3) 컴퓨터 아키텍처 (3) 반도체 공학 I(3) 반도체 공학 II (3) 광전자공학 I(3) RF IC 공학 (3) 전자재료 부품 I(3) 고급 디지털 회로 설계 (3) 필요 시 추가 공고 물리 화공생명 필 수 1과목 산학 1과목 [메모리설계 및 testing 기술(3) , 반도체 소자및 공정실무 (3) 중 택1] (전자공학 전공자와 별도 성적 관리함) TRACK 이수기준 (입사요건/졸업시까지) o 전자공학 전공 학부 졸업자 : 필수 9과목 + 선택 2과목 = 11과목 (33학점) 이상 이수 석사 졸업자 : 필수 1과목 (산학 2과목 중 택일) o 물리 및 화공생명 전공 학부 졸업자 : 해당학과와 하이닉스가 협의하여 결정한 과목 이수 석사 졸업자 : 학부 졸업자 기준 + 필수 산학 1과목은 반드시 이수 o 필수과목 및 전체 수강과목 평점 2.87/4.3 이상 o 권장사항: 석사 진학 시 희망 연구분야에 대해서 입사 후 직무 연계성에 대해 하이닉스 Mentor와 상의 분 야 전자공학, 물리, 화공생명 분야 내 설계, 소자, 제품 Test, 공정 및 제반 반도체 관련 분야

5 장학생 처우 강화 – 학사 장학생 ■ 학사 - 등록금 미지급 기본처우 : - 월 100만원 - 등록금 지급 - 월 20만원
구분 개선 前 개선 後 학사 기본처우 : - 등록금 지급 - 월 20만원 - 등록금 미지급 - 월 100만원 성적우수자 처우: - 학점 3.8 /4.5 이상 (3.63/4.3 이상) & 토익 800 이상자 ☞ 배낭여행비 300만원 지원 (1회 限) ※ 기존 선발된 서강대 학사 장학생은 졸업 시까지 기존 처우(개선 前) 부여 ※ 2011년 신규 선발 장학생은 개선 後 처우 부여

6 장학생 처우 강화 - 석 박사 장학생 ■ 석박사 (선발시기에 관계 없이 모든 석  박사 장학생에게 적용) 우수논문 포상
제도 선발기준 처우기준 우수논문 포상 자격요건 : SCI 저널에 제 1저자 논문 게재자 우수 장학생 기본 자격 : - SCI 저널에 제 1저자로 논문 5편 (설계는 2편) 이상 게재자 - 게재 논문 평균 Impact Factor 2.3 이상 자 선발 절차 - 기본 자격 충족자 논문발표회 출전기회부여 - 논문 우수성 및 당사 적합도 검증 통해 최종 우수장학생 선발 입사시 Signing Bonus 최대 5천 만원 입사시 주택자금 무이자 융자 최대 2억원 전문연구요원 T/O 우선 배정 해외 Post-Doc 요청시 1년간 입사연기 입사전 부서배치로 1: 1멘토링 관리 구분 Impact Factor 포상금 (만원 / 件) 비고 석사 박사 설계 설계 外 SCI 논문 1이하 100 70 20 ＊ 설계 外 :소자/공정 / PKG 등 1초과~2이하 30 2초과~3이하 40 3초과~4이하 200 60 4초과