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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
Introduction The Hall effect 1879년 대학원생 Edwin Hall에 의해 발견 Conductors, semiconductors, insulators의 전도성 연구에 널리 이용되고 있음 전하 수송체(Charge carrier)의 종류(양전하, 음전하) 전하 수송체 밀도(Charge carrier density) 산출 본 Project 내용 Hall 효과의 개념이해 n형 반도체와 p형 반도체의 Hall 효과 측정 홀계수의 부호 및 크기 결정, 케리어 농도 결정 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
Theory(이론) 전류 I 를 흘리고 있는 직사각 판형 시편을 전류에 수직방향으로 가해진 자기장 B 속에 둔다. 로렌쯔 힘에 의해 전하 수송자가 휘게 되어 양쪽에 쌓임 전압(Hall voltage) UH 발생 : Hall coefficient n: concentration of charge carrier q: charge of a carrier 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
반도체 n형 반도체 주 케리어 : 전자 (q=-e) P형 반도체 주 케리어: 홀(hole) (q=+e) 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
장치개요 전자석 장치 pole pieces U-core Coil with 300 turns 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
전자석 균일하고 센 자기장 발생장치 자기장 B 는 전류 IB 의 함수 자기장 B Power supply 전류 IB 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
Teslameter & Hall Probe 자기장을 Tesla 단위로 측정 Teslameter Hall Probe , tangentiale B 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
자기장 발생을 위한 세팅 세팅 1 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
시편 n-Ge 시편, p-Ge 시편 시편의 구조 전류 흘리기 위한 단자 2개 (I) 홀 전압 측정을 위한 단자 두개 (UH) 전류 I n-Ge p-Ge 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
시편에 전류(I) 가하는 장치 및 홀 전압(UH) 측정장치 세팅 2 교류를 직류전압으로 변환 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
B-UB 측정을 위한 세팅 세팅 1+ 세팅 2 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
실험절차 n-Ge와 p-Ge에 대해 B에 따른 UH 측정 실험전에 UH 영점 조정 필요 I = 30 mA IB = 0 , pole pieces 제거 UB 측정하여 0 이 되도록 시편에 있는 보정용 potentiometer 조절 물성측정 및 실습
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Proj.2 Hall Effect in Semiconductors
분석 n-Ge와 p-Ge에 B-UH 그래프 그리기 RH 크기 및 부호 결정 (문헌값과 비교) n 계산 물성측정 및 실습
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