고속변조 단일모드 레이저 다이오드 구현 기술이전

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1 고속변조 단일모드 레이저 다이오드 구현 기술이전
IT R&D Global Leader [별첨 5] 고속변조 단일모드 레이저 다이오드 구현 기술이전 ETRI Technology Marketing Strategy 임 영안 광무선융합플랫폼연구실 부품소재연구부문 ETRI OOO연구소(단, 본부)명

2 기술이전의 성격 ㈜QSI 는 GaAs 기반의 레이저 반도체 제조회사
새로운 사업영역 진입을 위해 InGaAsP/InP 기반의 반도체 제조기술 필요 제조기술 획득과 미래유망기술이 접목된 기술이전 향후 Optical interconnection의 중요성 증대  고속변조 레이저 다이오드 기술 부품소재연구부문

3 목 차 ---------------------------------------------- 1. 기술의 개요
목 차 1. 기술의 개요 2. 기술이전 내용 및 범위 3. 기술의 사업성 4. 국내외 시장 동향 부품소재연구부문

4 1. 기술의 개요: 필요기술 고속변조 단일모드 레이저 다이오드 구현 기술 에피성장기술 회절격자 제작기술
레이저 다이오드 설계 및 측정 기술 레이저 다이오드 제작기술 부품소재연구부문

5 1. 기술의 개요 MOCVD 기반의 에피성장기술 화합물팹기반의 소자제작 기술 회절격자 제작기술 설계 및 측정기술
부품소재연구부문

6 2. 기술이전 내용 및 범위 (1) InGaAsP/InP 에피성장기술 ETRI 제작용 InGaAsP/InP 성장
업체보유 MOCVD 장비 InGaAsP/InP 전환 기술지원 회절격자 제작 기술 홀로그램을 이용한 회절격자 형성 장치 설계도 제공 ETRI 홀로그램 장치를 이용하여 2인치 wafer에 회절격자 형성하여 제공 ( 2인치 4장) 부품소재연구부문

7 2. 기술이전 내용 및 범위 (2) 단일모드 레이저 다이오드 설계 및 측정 기술 레이저 다이오드 제작 기술 도파로 구조 설계서
단일모드를 위한 회절격자 및 구조 설계서 반사형 회절격자의 최적 설계 4G 변조를 위한 구조 설계서 레이저 다이오드 제작용 마스크 설계도 및 마스크 full set 고속 변조특성 측정 기술 (setup 구성 제공 및 측정 방법 교육) 레이저 다이오드 제작 기술 공정 설계도 레이저 다이오드 공정 기술 4G 이상 직접변조가 가능한 반사형 회절격자를 가진 단일모드 레이저 다이오드 500개 부품소재연구부문

8 2. 기술이전 내용 및 범위 기술 개발 현황 기술성숙도(TRL : Technology Readiness Level) 단계 : ( 6 )단계 부품소재연구부문

9 3. 기술의 사업성 기술의 특징 본 기술이전은 InGaAsP/InP 기반의 4G 변조가 가능한 단일모드 레이저 다이오드의 제조 기술을 제공하여 업체의 신규시장진입 지원. 에트리는 InGaAsP/InP 기반의 레이저 다이오드 제작을 20여년간 진행하여 왔으며, 본 기술이전과 관련된 기술에 대한 국내 최고의 기술력을 보유하고 있어, 국가연구기관의 중소기업지원의 흐름에 적합한 기술이전. 기대효과 레이저 다이오드 대량생산 설비를 완비한 QSI와 ETRI의 통신소자 기술의 접목을 통해 신규시장 창출이 가능. (기술경쟁력과 생산경쟁력의 결합) 부품소재연구부문

10 4. 국내외 시장 동향 Optical interconnection 시장은 data center, 스마트기기간 connection을 중심으로 급격히 시장확대. Home theater의 경우 틈새시장으로 현재 고가의 AOC(active optical cable)를 대체할 수 있으면, 시장침투 가능 부품소재연구부문

11 감사합니다. ※ 하단의 문의처 소개후, 발표후 개별기술 상담이 가능함을 다시 한 번 안내함
※ 하단의 문의처 소개후, 발표후 개별기술 상담이 가능함을 다시 한 번 안내함 ♣ 연락처 : 부품소재연구부문, 임영안 책·연 ( , ETRI OOO연구소(단, 본부)명