(1-1)PDP 역사 플라즈마 발광 현대 PDP 와 유사 형태의 시작 상업화된 PDP 현대 PDP 기술개발의 전환기 18 세기 1927 년 Volta 전지발명 인공적으로 가스방전 Bell Tel. Lab 가스 방전 단색 TV 수상 1940 년 Bacon 과 Pollard Dekatron Tube 개발 1950 년 Burroughs 社 Nixie 방전 표시장치 최초의 문자 표시 1956 년 DC 유형 전극 Matrix 구조 연구 시작 Bitzer 와 Slotto AC 유형 전극 구조 채용 1964 년 De-Boa 100 * 100 단색 표시 DC 형 PDP 1966 년 Owens AC 형 PDP 의 발명 1968 년 Holz 와 Ogle Self-Scan TM 형 PDP 1970 년 Matsushita 社 Monochrome DC 형 PDP 상업화 1980 년 Photonics 社 단색 60” AC 형 PDP 대형화 가능성 제시 1988 년 Photonics 社 64 계조 표현 가능 AC 형 PDP 개발 1991 년 Thomson Tubes Elec. 0.4mm Pixel 고해상도 22” AC 형 PDP 개발 1992 년 Fujitsu 社 ADS 방식 256 계조 AC 형 PDP 개발 1993 년 NHK 연구소 40” HDTV 용 DC 형 칼라 PDP 개발 Plasmaco 社 30” XGA 급 모니터 개발 HDTV 구현 가능성 제시 Fujitsu 社 21” 26 만 VGA 급 AC 형 칼라 PDP 최초 양산 1996 년 Fujitsu 社 42” 16:9 면방전 AC 형 칼라 PDP SID 보고 NEC 社 33” 고휘도 AC 형 칼라 PDP SID 보고

(1-2) 우리나라 PDP 개발 동향 년도 PDP Size 제조사 ” VGAOrion ” VGAOrion ” VGALG Electronics ” VGA 50” (1360*768), Wide, HD 42” VGA, Wide 50” VGA, Wide 50” XGA, Wide, HD HEI LG Electronics Samsung SDI ” 1360*768, Wide, HDLG Electronics ” 853*480 63” 1366*768, Wide, HD 65” 1366*768, Wide, HD Orion Samsung SDI ” 1920*1080, Wide, Full_HDLG Electronics ” 1920*1080, Wide, Full_HDSamsung SDI ” 1920*1080, Wide, Full_HDSamsung SDI

유지전극 배치 및 형상 전극 alignment Address 전극 多 전극 구조 ITO 전극 구조 전극 구조 (2-1)PDP 패널 구조 Fujitsu / 전극 stripe type Pioneer / 1994 돌출형 구조 (T 형 ) LG 전자 / 1999 ITO hole 형성 구조 LG 전자 / 2000 ITO Bullet 형성 구조 SDI / 2002 Short & long gap Fujitsu / 전극 면방전형 구조 SDI / 전극 MARI 구조 Fujitsu / 1992 어드레스전극 패드 Fujitsu / 1996 ALIS 구조 Matsushita / 1999 Fence (ITO-less) Matsushita / 1999 Positive Column Noritake / 2001 격벽 내 대향 전극 LG 전자 / 1999 더미 전극 형성 SDI / 1999 전극 Alignment 패드

Well type Delta type Straight Type 격벽 및 Pixel 구조 (2-2)PDP 패널 구조 Fujitsu / 1992 Straight type( 반사형 ) Matsushita / 1997 비대칭 격벽 구조 LG 전자 / 1998 Fish bone 구조 Fujitsu / 1995 Meander 구조 Hitachi / 1996 격자형 구조 SDI / 2001 SDR 구조 Dai Nippon Printing/1997 단차 보조 격벽 LG 전자 /1999 단차 감광성 격벽 Pioneer / 2000WAFFLE SDI / 2002 팔각형 격벽 Black Stripe 구조 상판 유전층 의 착색 상판 유전층 형상 유전층 구조 Fujitsu / 1979 적층형 유전층 Pioneer / 차등유전층 LG 전자 / 1997 굴곡유전층 (BM 층 ) Matsushita / 2001 유전층 groove Fujitsu / 1990착색유전층 NEC / 1997 유전층 내 칼라필터 Fujitsu / 1992 유지전극 간 색보정 차광층 도입 Fujitsu / 1997 차광층 + 광흡수방지층 LG 전자 / 1997 버스전극과 동일 높이의 차광층

다층 보호막 단층 보호막 구조 (2-3)PDP 패널 구조 Fujitsu / 1970 유전층 보호막 적용 NEC / 1991 MgO 막의 부분 형성 Fujitsu / 1992 결정방향제어 결정방향제어 Sharp / 2001 결정 or 결정 or Owens-Illnois / 1973 MgO 포함 다층 구조 Pioneer / 2004 MgO+ 결정층 Oki / 1994 층별 roughness 차별 보호막 및 반사막 추가 형광막 배치 형광막 구조 Fujitsu / 1988 반사형 형광막 Fujitsu / 1989 Straight 격벽의 측벽 Pioneer / 1992 MgF 2, MgO 보호막 Toshiba / 1997 자외선 반사층 NEC / 1989 Well 격벽의 측벽

希가스 외 첨가 가스 希가스 Gas 조성 (2-4)PDP 패널 구조 Owens-Illnois / 1975Ne+Xe Hitachi / 1989 Ne+Xe 외 Ar, He, Kr NEC / 1996Ne+Xe+Ar+He Matsushita / 1996 Ne+Xe 10%~100% Matsushita / 2004 Xe5% 이상 + 수소

패터닝 성막 유전막 형광체 격벽 보호층 버스전극 /BM 어드레스전극 배면기판배면기판 투명전극 전면기판전면기판 (3)PDP 제조방법 증착 및 패터닝법 LGE 레이저 패터닝법 (ILP) 인쇄법 감광성 패이스트법 LGE 동시형성법 (CPBB) SDI Off-set 법 ( 전사법 ) 인쇄법 Coater 법 LGE 단층 Green Sheet 법 PVD, CVD E-beam 법 Ion Plating 법 Pioneer CVD 법 인쇄법 감광성 패이스트법 SDI Off-Set 법 ( 전사법 ) LGE 다층 Green Sheet 법 Pioneer Green Sheet 법 인쇄법 Coater 법 인쇄법 Fuhitsu/ KR A Sand Blast 법 LGM Etching 법 MEI&Torray 감광성 패이스트법 Fuhitsu인쇄법 Dispensing 법

` 어드 레스 소거 초기화 ADS파형ADS파형 (4-1)PDP 구동방법 Fujistu/ 일본특허 제 호 강방전 리셋 FHP / 특허공보 호 차등 리셋 전압 LG / 특허 호 APL 별 리셋개수조절 Matsushita / 특허 호 선택적 리셋 LG / 특허 호 Deep 리셋 Plasmaco / 미국특허 제 호 Ramp 파형 SDI/ 특허 호 CLOVER 리셋 Matsushita / 특허공보 호 High Xe Reset Fujistu/ 일본특허 제 호 강방전 리셋 NEC/ 일본특허 제 호 세폭, 광폭 소거 Fujistu/ 일본특허 제 호 둔파 소거 LG/ 특허 제 호 램프후 램프업 소거 Pioneer/ 특허 제 호 램프후 세폭 소거 Matsushita/ 특허공보 호 램프후 램프다운 소거 Fujistu/ 특허공보 호 선택적 기입 Fujistu/ 일본특허 제 호 선택적 소거 NEC/ 일본특허 제 호 SCAN 전압감소 LG/ 특허 분할구동 Fujistu/ 특허 호 1 적응 주사 ( 전력절감 ) NEC/ 일본특허 제 호 데이터 지연분산인가 Fujistu/ 특허공보 호 고속구동 (delta Vy) LG/ 특허 호 기입소거 혼합 FHP/ 특허 호 SCAN IC 저감 FHP/ 특허공보 호어드레스전력절감 Pioneer/ 특허 호 CLEAR 구동 Fujistu/ 특허 호 ALIS 구동 Fujistu/ 특허 e - ALIS 구동 Pioneer/ 특허 Super-CLEAR 구동

유지 ADS파형ADS파형 (4-2)PDP 구동방법 NEC/ 일본특허 제 호 고마진 (1 st 유지 광폭 ) Matsushita/ 특허 호 고효율 (2 회방전 ) NEC / 특허 호 고효율 ( 방전후 저압 ) 특허 부하별 기울기 특허 부하별 유지방전수 Matsushita/ 특허 호 Peak 휘도향상 Fujistu / 일본특허 제 호 TERES 구동 Fujistu/ 특허공보 고효율 ( 혼합모드 ) LG/ 2001 특허 저가형 통합파형 향후 추가항목 : 온도구동, 화질구현방안 (LLE, 50Hz, 계조선형성, 디더링, 오차확산 ) 일본특허 EMI 저감

신뢰성 향상 신뢰성 향상 저가격 초기화 파형생성 전력회수 기입 전극 회로 전력회수 유지 전극 회로 (5)PDP 구동회로 Illinois/ US 4,866,349 직렬 LC NEC/ JP H 병렬 LC SEC/ KR 자기 결합형 Pioneer/ JP H 이중 공진형 SEC/ KR 전류주입 SDI/ KR Vs/2 유지 Matsushita/ JP H Ramp 기울기 생성 Matsushita/ JP H Square + Ramp LGE/ KR ΔVy 용 비교기 JP IPM 적용 NEC/ JP 통합 보드 Fujitsu/ JP H TERES + ER 보호 회로 노이즈 감쇄 회로 회로 효율 향상 Matsushita/ JPHalf-resonant NEC JPQuarter-resonant LGE/ KR Dual-resonant 통합 TCP/COF 보호 회로 노이즈 감쇄 회로

(6)PDP 특허분쟁 ’97 후지츠 : 국내 4 사 Fujitsu / US 5,541,618 ADS 구동방식 Fujitsu / US 5,661,500 형광체 stripe Fujitsu / US 6,297,590 블랙 매트릭스 * 국내 4 사 : LG 전자, 삼성 SDI, 오리온전기, 현대전자 ‘03 삼성 SDI : 후지츠 ‘04 마쯔시타 : LG 전자 ‘05 삼성 SDI : 마쯔시타 ‘06 파이오니아 : 삼성 SDI Pioneer / US 5,182,489격벽구조 Pioneer / US 5,640,068 ITO 전극형상 소송 자료 미공개 미공개 SDI / US 6,090, 464 강화 기판 SDI / US 6,256,001 SDI / US 6,472,820 SDI / US 6,670,774 SDI / US 6,849,992 SDI / US 6,954,188 Matsuhita / US 5,786,542 Matsuhita / US 6,150,766 Matsuhita / US 6,268,890 Matsuhita / US 6,603,262 Matsuhita / US 6,633,285 Matsuhita / US 6,738,033 SDI / US 6,674,237 SDI / US 6,828,731 SDI / US 6,884,142 조사중