외층 공정요약 및 불량분석 정면 Lamination & 노광 DES

정면 공정 Process 브러쉬 수세 S/E 수세 -이물제거 및 조도 형성 -Brush : #600 / #800 미세 조도 형성 -Etching rate : 0.5~1.0㎛ -H2SO4 & H2O2 type -안정제 Cleaning Roller 산세 수세 건조 -유기오염 제거 -H2SO4사용 -제품 표면의 수분 제거 - Hole 건조 주의 -건조온도 :60~80℃

정면 공정 원리 Brush 1) 조도형성 2) 동도금 이물 3) 적층찍힘 1,2차 Brush 조합 주요 Factor Fiber Resin+ Mineral 2) 동도금 이물 주요 Factor Mineral 입도 Mineral 밀도 2차 Brush 1차 Brush 3) 적층찍힘 입도 size: 13.4 ~ 53.6㎛ Mineral 밀도 : 30% 입도 size : 13.4 ~ 37.7㎛ Mineral 밀도 : 45%

정면 공정 원리 Soft Etching 1) 미세 조도 형성 Copper Grain 2) 관리 Factor Brush Brush+Pumice Brush+S/E Copper Grain 2) 관리 Factor H2SO4 / H2O2 / 안정제 농도 : Etch Rate 결정 Cu 농도 : 미세 조도 형성, 포화용해도 이상 시 석출 Micro Etching : crystal 보다 boundary의 attack이 더 빠르게 진행됨 3) 불량유형 Anchor Effect : 미세 조도가 잘 형성된 유형 => Dry Film 밀착력 강화

Lamination & UV Exposure Process Heating Roller 드라이필름 Heating Roller Clean roller Cleaning Roller Clean roll Pre heater Lamination -노광의 첫 단계 -표면 이물 제거 -Adhesive roll 이용 -라미네이션 전 제품 예열 -제품 표면에 감광성 필름 밀착 -고온, 고압의 Hot roll 이용 Cleaning Roller UV광선 마스터 필름 Exposure Accumulator Clean roll -고온 상태의 제품을 냉각 시킴 -노광전 Final clean -표면 이물 제거 -Adhesive roll 이용 - UV광을 이용한 감광성 필름 노광 마스터 필름 (Art work) 이용 제품 표면에 회로 형성

Lamination & UV Exposure 1) Dry Film 원리 Carrier film Blinder Polymer Monomer Initiator Plasticizer Inhibitor(Stabilizer) Dye Adhesive Agent Photoresist Cover film 3) 불량유형 이물 주름 관리 Factor Hot Roller 온도 Hot Roller 압력 D/F Chip 관리 Air Pocket dent

Lamination & UV Exposure 노광 원리 1) Mechanism PCB Air주입 Art Work Film 가압 Glass 마일라 UV 가압 밀착식 I + UV - I* I* + M - I-M· I-M· + M - I-M-M~~M· 2) 공정 parameter : 적정 UV Intensity & 적산 광량 Soft Contact 방식 현상 후 노광 된 영역의 dry film 3) 불량유형 진공 진공 밀착실 Packing 고무 노광밀착 short 이물에 의한 단선

Lamination & UV Exposure Alignment 원리 불량유형 Art work PCB 외층 노광 편심 드릴 편심 Target 1 dx2 dt2 dt1 Target 2 dy2 dym : panel의 sensing hole dxm : Film의 sensing target

DES Process 에칭 노광 현상 박리 건조 - 미경화된 D/F 제거 - NaCO3 사용 -미경화된 D/F 기준으로 회로 가공(동박 부식) - Oxford system 사용 박리 건조 -경화된 D/F 제거 -NaOH 사용 -표면 건조 -산화방지

DES 반응 Mechanism 1) 현상 a. 농도관리 - 전도도 meter : Na2CO3 농도관리 - pH meter : 작업에 따른 신액 보충 b. 소포제 관리 - 소포제 투입양 - 소포제 type 결정 현상단 Sludge에 의한 short 발생 방지 2) Etching Cupric chloride etching CuCl2 + Cu -- 2CuCl 2CuCl + 2HCl + H2O2 --- 2CuCl2 + 4H2O 아염소산나트륨 : NaClO3 & H2O2 Alkaline etching : (NH4OH) Sulfuric Acid-Hydrogen Peroxide etching : H2O2 & H2SO4 Ferric chloride etching : FeCl2

DES a. 농도관리 - 전도도 meter : HCl 농도 조절 - 비중 : H2O 조절 - ORP (Oxidation & Reduction Potential) : H2O2 농도 조절 Etch Rate Vs Redox control Rage b. 압력조절 고여있는 에칭액 에칭액 판넬 상단 수막현상(puddling)에 의한 Etching 편차 최소화

DES 3) 박리 a. 농도관리 - 전도도 meter : NaOH 농도관리 b. 소포제 관리 - 소포제 투입양 - 소포제 type 결정