Lasers: Structures and Properties

Slides:



Advertisements
Similar presentations
 사회  4 학년 1 학기  1. 우리 시ㆍ도 모습 > (1) 지도에 나타난 우리 시. 도의 모습 (2/17) 지도를 알아보자 (1)
Advertisements

1 Chapter 2 Basic Physics of Semiconductors  2.1 Semiconductor materials and their properties  2.2 PN-junction diodes  2.3 Reverse Breakdown.
Graphene ( 그래핀 ). Carbon nanotube( 탄소 나노튜브 ) Multi-walled carbon nanotube.
녹는점과 끓는점 화학과 이 언정 손 나영 《수업 계획서》
Cities have always been the fireplaces of civilization, whence light and heat radiated out into the dark. - Theodore Parker ☞ 19C 미국 신학자, 목사 반노예주의 사회개혁가.
제10주제. 해방정국과 신탁통치문제 8.15는 일제의 식민지에서 해방된 기쁨의 상징으로 일컬어짐.
기술 개요 1 목 차 개발기술의 주요내용 2 3 기술적용 분야 및 기술의 시장성 기대효과 4.
아동이 살기 좋은 횡성군 만들기 추진위원회 2차 모임
2 전기회로의 기초 기초전자회로 PPT. ○ 생체의공학과 송지훈 35%
23장. 전기장(Electric Field) 23.1 전하의 특성 23.2 유도에 의해 대전된 물체 23.3 쿨롱의 법칙
아름다운 이들의 행복한 길음안나의 집.
LOOP ANTENNA TO WORRY ABOUT
& 국민연금법 국민건강보험법 사회복지법제 행정학부 김인철 사회복지학과 김건우
시대의 향기를 담은 고수필 고전문학원전강독 신태웅 김수연 이진솔.
Continued 디스플레이 및 조명용 LED 기술분석.
음향 시스템 사양서 DIGITAL MIXING CONSOLE SOUNDCRAFT : VI6 SPECIFICATIONS
Sources of the Magnetic Field
Epi-Plus epi structure
Scramjet engine 조사.
Chapter 6. Microwave resonators
Chapter 4 Microwave Network Analysis
케이블 진동 저감을 위한 스마트 복합 감쇠 시스템의 성능평가
LED는 어떻게 생겼나? 위에서 본 LED 사진 옆에서 본 LED 사 진 continued
일반물리학 및 실험2 이 훈 경.
Extrusion.
Thevenin’s Theorem 단위 DC 회로 V0 Rout (Output 저항) Vout (Output 신호,
Thermally Sensitive Resistor
반도체의 주요 응용 분야: optoelectronics
Q1: 플라스틱의 일반적 특성은? Q2: 플라스틱의 구조는? Q3: 유리전이온도 란?
ACTS LED가로등의 특징 및 장점. ACTS LED가로등의 특징 및 장점.
Photonic Switching Technology (광교환기술)
Chapter 12. Color Models and Color Applications
Chapter 12. Color Models and Color Applications
Application of Acoustic Sensing and Signal Processing for PD Detection in GIS 20003년 05월 10일 이 찬 영.
Chapter 10 Differential Amplifiers
Fabrication of thin-film InGaN light-emitting diode membranes by laser lift-off 손태홍 이광희.
DIGITAL VIDEO LINK FCC PRODUCT SPECIFICATION EL – V2202 TX / RX LINK 1
1.1 General Material Properties Composition Purity
신장규*, 윤의식** *경북대학교 전자전기컴퓨터학부 ** KAIST 전자전산학과
Extrusion (압출) 주입구에서 공급받은 원료를 중앙부로 밀어 넣는 공급부, 플라스틱의 전단에 의해 열이 발생되어 용융이 시작되는 용융부, 출구부의 압력을 상승시키는 가압부 (펌프부)로 구성.
Sensor Signal Conditioning
Electric properties and domain structure in Ba(Ti,Sn)O3 Ceramics
Electronic Devices and Circuit Theory
OLED (Organic Light Emitting Diode)
구조적 시스템 분석절차 실사례 자재관리 시스템 (자동차 부속 생산업체) 충북인력개발원 장 승 수.
28 원자의 양자역학 © 2014 Pearson Education, Inc..
Steady state에서 나오는 빛의 power
2.5Gbps 보급형 GPON Reach Extender 라인카드 기술
Physical transformations of pure substances
안과 레이저 (Opthalmology laser)
MODERN PHYSICS(2).
Agilent ADS 사용법.
Two-Port and Three-Port Networks
Performance analysis of SOFC+ST
Lect21:Pumping and Gain In equilibrium
Lecture 24. Semiconductor Laser
2. 사회복지 프로그램 개발의 과정 1)일반적 개발과정
재활용의 실태와 재활용품 만들기의 계획 실과 6학년 8 . 환경을 살리는 나의 생활> 2) 재활용품 만들기(5~6/8)
교수 매체의 종류와 활용.
아동안전관리 홍성훈 교수님 아동보육학과 박윤희
Applied Electronic Circuit
제 10장 가족치료모델 발 표 : 여금란.
Nd YAG laser 한방의료공학과 김희주.
6월 1주 주간메뉴표 NEW 엄마손 조식 쉐프 삼촌 중식 참새 방앗간 석식 ◎원산지 안내 : 쌀(국내산)
생산 > 생산관리 기본이론 Capacity.
ISO 9000:2000 이해와 필요성.
시민이 체감하는 편리한 건축인허가 절차 개선 추진.
소재기초과학II Presentation.
Progress Seminar 이준녕.
Chapter 11. The Uniform Plane Wave
Presentation transcript:

Lasers: Structures and Properties Prepared based on Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Junction Laser Operation Principles Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Threshold current density * For linear gain/current relationship, the dependence of Jth on Lc is, p.279 Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Laser Properties Minimization of the threshold current Reducing active layer thickness, d Increasing internal quantum efficiency, Increasing the differential gain Reducing the cavity and mirror losses d Semiconductor Optoelectronic Devices pp. 273-274 참조

Laser Properties Characteristic temperature, T0 constant Characteristic temperature, T0 레이저 다이오드의 열 특성 평가를 위하여 최대구동 온도를 측정 온도가 증가함에 따라 Itho는 증가하고, 어느 온도 이상에서는 광 전류의 특성 곡선이 직선 형태에서 곡선 형태로 변화하는 모습을 띤다. 70 ℃를 경계로 하여 기울기의 변화 25 ~ 70 ℃ 영역 : 156 K 70 ~ 100 ℃ 영역 : 73 K 온도 영역에 따라 To 가 다른 값을 가지고 온도가 상승할수록 작은 To 값을 가진다. 광구속 영역과 P 클래드 영역의 작은 전도대 에너지 차이 때문에 누설 전류가 고온에서는 빠르게 증가하기 때문. Ref) 김동환, 장준호, 유태경, 전자공학회, 1998

1 2 1 2 Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

3 1 3 Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Laser Properties External quantum efficiency *The optical power output into the modal volume due to a current J (Jth) , A : Junction area *The power coupled out through the cleaved facets as useful laser output and overcome losses *Differential quantum efficiency is defined as the increase in light output due to an increase in drive current Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Figure 7.8 Light-current characteristics of an etched mesa buried hetero- structure laser at different temperatures (from G. P. Agrawal and N. K. Dutta , Long wavelength Semiconductor Lasers, Ban Nostrand Reinhold , New York, @ 1996. Reprinted by permission of AT&T Bell Laboratories Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

7.3 Heterojunction Lasers Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya

Transverse dimension improvement & kink Semiconductor optoelectronic devices, by P. Bhattacharya