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Lecture 24. Semiconductor Laser
Gain PN Junction Eg 잘 타버리는 성질이 문제로 부각됨. *carrier confinement(밀도를 높여줌) Energy barrier에 의해 캐러어가 갇힘. 캐리어 밀도 높아짐. AlGaAs GaAs AlGaAs P I N 구조 Forward bias. 가운데 영역의 Eg를 조절하여 빛의 색을 조정한다. (Al,GaAs의 비율을 조절함. Bandgap engineering) Hetero Junction Diode
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*photon confinement Photon을 waveguide로 guiding 즉, active region의 n 값이 외부보다 커야함. 다행히 Eg가 작은 쪽이 n 값이 커서 자동으로 만족됨. I 영역의 두께가 충분히 작으면 single mode 양쪽은 표면을 매끈하게 잘라주어서 Mirror cleaving . 거울의 효과를 낼 수 있다.
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Single mode 불순물로 인한 internal loss
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g<0이면 아직 population inversion 도달 못함.
g=0일 때가 transparence g>0이면 threshold.
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전류밀도. : carrier life time, d:I 영역 두께 Assume lasing
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Emission spectrum
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