Chapter 6. BJT의 특성 및 바이어스 회로
2.1 BJT의 동작원리: NPN, PNP BJT
Operating mode
Structure and Symbol of Bipolar Transistor
단자 전압과 전류의 관계
2.2 BJT의 I-V 특성 곡선
Continued
소신호 등가회로
Visualization of Transconductance
Base resistance
Early Effect Representation CH4 Physics of Bipolar Transistors
CE resistance By Early Effect
단자전압과 전류의 상관관계: PNP CH4 Physics of Bipolar Transistors
2.3 BJT의 DC bias
Chapter 6 실험방법
실험 준비물
실험시 주의사항 실험하기전에 power supply 전류 limit을 100mA에 설정해 놓아야 함 BJT의 방향확인 E B C
실험시 주의: Current gain인 값에 차이 2017년 실험결과의 예 이론=106.6, 측정결과=240 값의 차이가 결과 예측에 어려움이 있음. (b) 측정결과 (a) simulation IB=6µA의 경우 simulation과 측정결과 비교
실험방법 수정 RB와 RC를 short 시키고 측정
실험방법 수정: 측정결과를 아래 table에 기록 Data sheet에 나오는 값 또는 simulation으로 Is를 유추하여 계산해야 함. VBE와 IC 의 한 동작점에서 찾으면 됨.
오타 수정
오타 수정 VBE
4.1 BJT DC 특성 실험
측정해서 아래의 표에 기록
실험방법 변경 RB를 short 시키고 측정
Continued
4.2 BJT의 bias회로 실험
측정결과를 아래 table에 기록 Data sheet에 나오는 값 또는 simulation으로 Is를 유추하여 계산해야 함. VBE와 IC 의 한 동작점에서 찾으면 됨.
4.3 BJT의 특성을 바탕으로 소신호 등가회로 계산
Continued 위실험결과(I-V curve 실험)로 부터 VA와 값을 찾아서 표 6.5를 기록해야 함.