新入 社員 敎育 資料(回路 PARTS) LG Electronics / 冷氣 OBU 1. 回路 開發 中日程 2. 電子 部品에 대하여 3. PCB 回路 說明 1997.09.09 冷氣 硏究室 電裝/回路TEAM LG Electronics / 冷氣 OBU

회로 개발 중일정 TRIPLE Empowerment & Boundaryless 2/27 구분 기획 130 日 14日 104(74)日 17日 15日 개발 일정 MOCK UP SPEC’ 검토 도면 작성 부품입고 E/S제작 E/S시험 도면 심의 도면 고밀도 제작 JIG TEST P.P 입 P.P 제(2) 양산1호 合 心 Ⅰ 合 心 Ⅱ 合 心 Ⅲ 合 心 Ⅳ 合 心 Ⅴ 合 心 Ⅵ (60) (15) (5) (50) (60) 배포(7) (67) (28) (5) P.P 시(10) (15) S/W 1. 기능 검토(SPEC’) 2. 설계기준서 초안 3. I/O PORT 선정 4. MICOM CHIP 선정 5. MANUAL STUDY 6. 개발 TOOL, OTP발주 S/W CHECK TEST P/G CHIP E/S 양산 발주 F/CHART DEBUG 확인 양산입고 양. 입 S/W CHECK LIST S/W DEBUG MASK 발주 S/W DEB’ MASK 발주 확인 양,발 양. 입( 10주 ) 양산 ((45)) CHIP E/S (4주) ( 2주 ) 설계기준서 심 의 양산 RISK 발주(10주) H/W NECK 회로 TEST ART WORK CHECK TEST 고 밀 도 제 작 1. 회로 초안 작성 2. 부품 SPEC’ 검토 3. DESIGN 검토 도입품 발주 회로도 PCB 제작 소전 TEST 형식 승인 광고 촬영 (정격 개발) 작성 NECK ITEM( 부품 ) T/BOARD 제작 CHECK 도면 CHECK 제작 개발 의뢰 ( 신뢰성 ) EMI TEST 용 도면 작성 L/W 제작 CHECKER 협의 제품 1. 시장조사 2. FIELD CLAIM 분석 3. 구조 구상 (PCB장착) 1. 제품 TEST 방법 결정(LQC) 2. 부품 TEST 방법 결정(IQC) 1. 사내 기능 교육 자료 1. 개발 일정표 2. 목표 원가 관리표 3. 요구 품질 전개표 4. NECK 기술 연구 개발표 5. P.M 분석(특허) 1. S/W CHECK LIST 2. 회로 정수 보고서 (PIN 출력 파형) 3. 부품 개발 LIST (도입 포함) 4. 설계 기준서 5. SVC 교본 초안 6. 사용설명서 초안 7. C급 원가 검토 1. TEAM DEBUG’ 2. BOM 작성 3. 규격 ( 부품) 1. B급 원가 검토 2. 초품 성적서 3. 특허 출원 1. A급 원가 검토 T O T A L 2 7 5 日 소 요 1. S/W 1인, H/W 1인 개발 기준임. 2. E/S 제작까지 15일 소요로 S/W는 선행 개발 전제임. Empowerment & Boundaryless 2/27

마이크로 컴퓨터 (MICRO COMPUTER)의 약칭 전자 부품에 대하여 TRIPLE 마이콤(MICOM) 냉장고 MICOM CHIP을 이용하여 주변 회로를 구성하고 구성된 주변회로를 정해진 규칙에 따라 제어하는 냉장고. 마이콤(MICOM) 이란 마이크로 컴퓨터 (MICRO COMPUTER)의 약칭 퍼스콤 (PERSONAL COMPUTER) 컴퓨터 일반적으로 마이콤(MICOM)이란 반도체 칩 (LSI CHIP) 반도체 MICOM CHIP (가전용 범용 CHIP) 기계식 냉장고 란 ? MICOM CHIP이 없이 전장품을 이용하여 전기회로를 구성하고 운전하는 냉장고 Empowerment & Boundaryless 3/27

전자 부품에 대하여 마이콤(MICOM)구성 마이콤(MICOM)역활 TRIPLE 중앙처리장치(CPU), 입출력 포터(PORT), ROM, RAM, TIMER PROGRAM MEMORY COMP’ MOTOR 냉동,장 센서 ROM RAM 제상 히터 입 력 포 터 출 력 포 터 DISPLAY S/W 입력 댐퍼 MOTOR 중앙 처리 장치 댐퍼 S/W 입력 부져구동 도어 S/W 입력 DISPLAY 부 TIMER ONE CHIP MICOM 마이콤(MICOM)역활 사람의 두뇌가 보고 듣고 읽어 판단하여서 말이나 행동 등의 반응을 하는 것과 같이 냉장고의 온도와 각종 스위치를 읽어서 ROM의 PROGRAM대로 각종 부하를 제어 하는 역활 Empowerment & Boundaryless 4/27

전자 부품에 대하여 MICOM CHIP 종류 TRIPLE MAKER (TOSHIBA,NEC,LG등)별, BIT(8BIT,4BIT등)별,핀수(24핀,42핀 64핀등)별 등 종류는 나누는 기준에 따라서 다양함. MASK CHIP 확정된 PROGRAM을 MAKER에서 대량 생산한 CHIP MASKING 유무에 따라 MASK CHIP을 받는데는 8주 이상 소요됨으로 개발시 적용이 불가능함으로써 WRITING장비만으로 간단히 PROGRAM을 WRITING할 수 있는 MICOM CHIP ( MASK CHIP의 약 3배정도 가격) OTPROM CHIP WRITING 한다 (CHIP을 굽는다) OTPROM 이란 ONE TIME PROGRAMMABLE ROM의 약칭으로 PROGRAM을 WRITING 장비를 이용하여 단 한번만 WRITING할 수 있는 MICOM CHIP을 말함 OTPROM CHIP PROGRAM WRITING 장비 Empowerment & Boundaryless 5/27

전자 부품에 대하여 저항(RESISTOR) 1) 저항의 종류 TRIPLE Empowerment & Boundaryless 전류의 흐름을 제어하여 기기를 보호하는 일종의 발열체로써 일정한 전력을 가하면 전력량에 비례한 발열을 함. 저항(RESISTOR) 1) 저항의 종류 * 탄소 피막 저항 (카본 피막 저항 )----- 현재 사용하는 저항 대부분이며 가격이 저렴함. * 금속 피막 저항 ----- 탄소 피막에 비하여 내열, 온도계수가 적으며 냉장고 온도 기준 저항으로 사용 * 권선형 저항 : 전력용에 사용 2) 저항기 COLOR 표시 (일반 저항) (고정밀도 저항) 예) (일반 저항) 1,2 색대 3 색대 4 색대 1,2,3 색대 4 색대 5 색대 색상 색상 . 갈,회,적,금일 경우 18 * 10 K Ω ± 10% 1,2 숫자 승수 허용오차 1,2,3 숫자 승수 허용오차 흑 10 - 흑 10 - 갈 1 10 1 ±1 % 갈 1 10 1 ±1 % 적 2 10 2 ±2 % 적 2 10 2 ±2 % 등 3 10 3 - 등 3 10 3 - 황 4 10 4 - 황 4 10 4 - (고정밀도 저항) 녹 5 10 5 ±0.5 % 녹 5 10 5 ±0.5 % . 적,청,갈,적,갈일 경우 261 * 10² KΩ ± 1% 청 6 10 6 - 청 6 10 6 ±0.25 % 보 7 10 7 - 보 7 10 7 ±0.1 % 회 8 10 8 - 회 8 10 8 - 백 9 10 9 - 백 9 10 9 - 금 - 10 -1 ±5 % 금 - 10 -1 ±5 % 은 - 10 -2 ±10 % 은 - 10 -2 ±10 % Empowerment & Boundaryless 6/27

전자 부품에 대하여 CAPACITOR(콘덴서) TRIPLE . 용량 오차 : 통상 ±수 % ~ ±20% 電荷를 축적하는 부품 으로써 전원 회로 평활용또는 신호선 부의 노이즈 필터로 사용. . CAPACITOR 에 축적된 에너지 W = 1/2 CV²( W:JOUL, C: 정전 용량, V: 전압 ) . CAPACITOR 용량 : F, uF(=10 F), pF(=10 F)표시 . 표시된 용량은 전해 CAPACITOR는 120Hz, 그외CAPACITOR 는 1Khz의 주파수에서 측정한 값임. . 용량 오차 : 통상 ±수 % ~ ±20% 전해, 세라믹 CAPACITOR는 ±10 ~ ±50% 것도 사용된다. 1) FILM CAPACITOR . 무극성이며 고주파 특성이 좋고,유전 손실이 적고, 절연 저항이 높은 특징이 있다. . 종류 : ⓐ 폴리에스터(마일러) CAPACITOR ⓑ 폴리스티렌 CAPACITOR ⓒ 폴리 카보네이트 CAPACITOR 2) 전해 CAPACITOR . 소형으로 대용량이며 극성이 있으며 전원 회로의 필터로써 많이 사용된다. . 종류 : ⓐ 알루미늄 전해 CAPACITOR ⓑ 탄탈 전해 CAPACITOR 3) 자기 CAPACITOR (세라믹) . 소형이며 유전체로써 세라믹을 사용한 CAPACITOR . 종류 : ⓐ 티탄산 바륨계 자기 CAPACITOR ( 고유전율 자기 CAPACITOR )--- TiO₂+ BaO ⓑ 스테아타이트계 자기 CAPACITOR --- 규산과 마그네슘 산화물을 주원료로 바리움과 마그네슘 산화물을 혼합 ⓒ 티탄계 자기 CAPACITOR (온도 보상용 자기 CAPACITOR) --- 산화 티탄을 주원료로 SrO,ZnO, CaO, MgO을 첨가 -6 -12 일반 CAPACITOR + 전해 CAPACITOR - 가변 CAPACITOR 반고정 CAPACITOR *** CAPACITOR 기호*** Empowerment & Boundaryless 7/27

전자 부품에 대하여 반도체 TRIPLE Empowerment & Boundaryless 도체 : 구리, 알루미늄 등 전기를 잘 통하는 물질. 부도체 : 고무 등 전기를 잘 통하는 물질. 반도체 : 게르마늄, 실리콘 등 도체와 부도체 중간의 저항률을 가진 물질. 반도체는 온도가 상승하면 전기 저항이 크게 감소한다. N형 반도체 P형 반도체 Si(실리콘, 4가) 반도체에 5가의 As(비소)를 극소량 첨가하면 반도체 내부에 자유전자가 1개 남는다. 이 남은 자유전자가 전기를 운반하게 된다. Si 반도체에 3가의 B(붕소)를 첨가하면 B(붕소)의 전자가 1개 부족하여 1쌍의 결합 부문에 전자가 없는 구멍(정공 또는 홀)이 발생한다. 이 정공의 이동으로 전기가 운반된다. 남는 자유전자가 전기를 운반한다. B Si 정공의 이동으로 전기를 운반한다. Si Si As Si Si 참고) 정공의 이동 시간의 흐름 전자는 빈곳을 채우려고 이동하게 된다. 이 전자의 이동이 마치 정공의 이동같이 보이게 된다. Empowerment & Boundaryless 8/27

- - + + 전자 부품에 대하여 PN접합 다이오드 TRIPLE Empowerment & Boundaryless 접합면 정공 전자 PN 접합 반도체 : 전압을 가하지 않으면 P형 반도체의 정공과 N형 반도체의 전자가 접함면을 넘어 이동할 수 없다. I P형 N형 - + 정공은 -극으로 끌린다. 전자는 음의 전하로 +극으로 끌린다. 역방향 전압을 가할때 P형 N형 + - +극으로 끌린다. -극으로 끌린다. 정방향 전압을 가할때 PEAK역전압 : 수백 V V 실리콘다이오드: 0.7V 게르마늄 다이오드 :0.2V 이와 같이 한 방향으로 전류가 흐르는 성질을 이용한 것이 PN 접합 다이오드이고 줄여서 다이오드라 한다. 역방향 항복 전압을 적극적으로 이용한것이 제너 다이오드임. 반도체 재료를 조정해서 역방향 전압을 수V~수십V의 낮은 내전압의 소자를 만드는일이 가능하다. P N PN 접합 다이오드 회로 기호 회로 기호 Empowerment & Boundaryless 9/27

전자 부품에 대하여 트랜지스터 TRIPLE PNP형 트랜지스터 NPN형 트랜지스터 : 2개의 PN 접합을 이용한 소자로써 조합하는 방법에따라 PNP, NPN형의 2종류의 트랜지스터가 만들어지며 수동소자(저항,콘덴서,코일등)와 결합하여 증폭,발진,스위치등의 동작을 행한다. PNP형 트랜지스터 NPN형 트랜지스터 VEB B E C VBC P N IE IB IC VEB B E C VBC N P IE IB IC NPN형과 같이 이미터의 일부 정공이 VBE 전압에 의해 베이스로 이동하고 더욱 큰 전압 VCE 에 의해 얇은 베이스를 통과하여 이미터에서 컬렉터로 전류가 흐르게 된다. BE 사이에 VBE 전압을 가하면 이미터의 일부 전자는 베이스의 정공과 결합하는데 베이스가 매우 얇고 EC 사이에 더욱 높은 전압 VCE를 가하므로 이미터의 대부분의 전자는 베이스를 지나 컬렉터로 이동하여 전류가 흐른다. PNP형 트랜지스터 NPN형 트랜지스터 트랜지스터 반도체 E C B E C B 2 S A ( A : PNP 트랜지스터 고주파용 ) 2 S B ( B : PNP 트랜지스터 저주파용 ) 2 S C ( C : NPN 트랜지스터 고주파용 ) 2 S D ( D : NPN 트랜지스터 저주파용 ) Empowerment & Boundaryless 10/27

전자 부품에 대하여 바리스터 TRIPLE Empowerment & Boundaryless 1. VARISTOR의 정의 : VARISTOR(voltage variable resistor)는 [전압에 의해서 저항치가 큰 폭으로 변하는 소자] 를 말한다. 전류 전압 갑자기 증가한다. 거의 흐르지 않는다. VARISTOR 회로의 전압이 갑자기 높아지든지 이상전압이 순간적으로 걸리는 경우 등에는 그 이상분을 저항이 갑자기 낮아진 VARISTOR가 흡수한다. 1. VARISTOR의 용도 고압방전,SURGE 및 NOISE 억제 모터나 RELAY 등의 개폐 SURGE 흡수 VARISTOR 정전기 SURGE 흡수 통신,계측,제어장치의 보호 Empowerment & Boundaryless 11/27

전자 부품에 대하여 트랜스 TRIPLE Empowerment & Boundaryless 1. TRANS ENERGY 전달 구조 Ii(t) Io(t) Ii(t) : 1차측 전류 Vi(t) : 1차측 전압 Io(t) : 2차측 전류 Vo(t) : 2차측 전압 Np : 1차측 COIL 권선수 Ns : 2차측 COIL 권선수 Vi(t) Vo(t) Np Ns 1) 1차 COIL : CORE에 감긴 COIL에 교류 전류를 흘려 교류 자속을 만든다. 2) CORE : 교류 자속을 2차 COIL로 유효하게 전달하는 역활 3) 2차 COIL : COIL 중심을 자속이 관통하면 기전력이 유기된다. 2. TRANS 원리 1) 1차 COIL에 시간의 함수인 전류( Ii(t) )가 흐른다. 2) 1차 전류에 의거 전류에 비례하는 교류 자속[ ψ(t) ] 이 발생하여 자성재료인 CORE를 흐른다. 3) CORE를 통하는 교류 자속은 전부 또는 일부가 2차 COIL을 쇄교하여 FARADAY’S LAW의 전자 유도 작용에 의거 2차 COIL에 유기 전력(Vo(t))가 발생하여 자속 변화를 적게 하려는 유기 전류가 흐르게 된다. 4) 이때 2차측에 흐르는 전류는 ENERGY 법칙에 의거 아래와 같이 결정된다. Vi(t) * Ii(t) = Vo(t) * Io(t) ------- (a) 동손및 철손이 없다고 가정할때 2차 COIL에 유기되는 전압(Vo(t))는 권선수에 비례하므로 Np / Vi(t) = Ns / Vo(t) --------- (b) 가 된다. (b)식을 (a)식에 대입하면 Ii(t) * Np = Io(t) * Ns 가 되어 결국 1차측 전류 * 1차측 권선수 = 2차측 전류 * 2차측 권선수가 되도록 2차 COIL에 전류가 흐른다. Empowerment & Boundaryless 12/27

전자 부품에 대하여 써미스터 1. 개요 TRIPLE 2. 종류 Empowerment & Boundaryless 1. 개요 THERMISTOR란(THERMALLY SENSITIVE RESISTOR의 약칭) 온도 변화에따라 저항치의 변화가 큰 저항체을 말함. 2. 종류 (1) NTC THERMISTOR(NAGATIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR) ----- 온도가 상승하면 저항치가 저하한다. (부온도 특성 THERMISTOR) ① 코발트,망간,니켈의 산화물을 주성분으로한 분말을 성형 소결해서 만든 반도체임 ② 용도 : 온도 검출기 (2) PTC THERMISTOR(POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR) ----- 온도가 상승하면 저항치가 상승한다. (정온도 특성 THERMISTOR) ① 티탄산바륨(BaTiO)계,산화아연계,실리콘계등이 있지만 티탄산바륨계가 재료로해서 가장많이 사용된다. ② 용도 : 가전기기의 온도제어(헤어드라이어), COMP 기동용 (3) CTR THERMISTOR(CRITICAL TEMPERATURE RESISTOR THERMISTOR) ----- 어느 온도에서 전기적 저항이 급변한다. ① 산화 VANADIUM에 Si,Sr,La,Pb,Mg등의 산화물을 혼합 성형 소결한 세라믹임. ② 용도 : 급변 특성을 이용한 온도 제어,경보 장치 Empowerment & Boundaryless 13/27

전자 부품에 대하여 TRIPLE 3. NTC THERMISTOR의 기본특성 M Empowerment & Boundaryless R = R0 exp ( B/T-T0) R0 : 온도 T0(K)의 저항값 K는 273.15 R : 온도 T(K)의 저항값 B : THERMISTOR 정수( 1,000 ~ 10,000 정도의 값을 갖는다.) ( 냉동실용 : 3,745 K ±2%, 냉장실,제상용 :3,434 K ±2% ) (2) 저항 온도 계수 α α = (1/R) dR/dt = - B / T² ( B 정수가 크면 클수록 온도계수 α 는 크게된다.) (3) 열시정수 Υ (sec) THERMISTOR의 주위 온도나 THERMISTOR에 흐르는 전류가 급격하게 변하였을 경우 그 변화에 어느 정도의 빠르기로 저항값이 변화하는가를 나타내는 정수임. (4) 열방산 정수 δ ( mW / ℃ ) THERMISTOR 에 전류를 흘리면 자기가열을 하여 온도가 높아지게 되는데 온도 1℃ 상승하기 위한 전력임 4. THERMISTOR 온도 제어 방법 전원 * 예) 냉동실 NOTCH가 “적”일 경우 COMP OFF온도-20℃(A점전압 2.898V) 릴레이 설정온도-18℃(A점전압 2.762V) M R1 COMP ON 온도-16℃(A점전압 2.627V) 압축기 모터 CO * A점 전압 (아나로그 신호) 이 입력되면 A/D 변환(8bit 분해능,256단계)후 MICOM에서 처리한다. * 냉동실용 -18℃ 에서 저항 오차 19.999±4.339K( 온도 ± 0.792℃) * 냉장실용 2℃ 에서 저항 오차 27.475±3.189K ( 온도 ± 0.73℃) RF1(기준저항) MICOM 16.2KF S1 A점 THERMISTOR (냉동실 센서) Empowerment & Boundaryless 14/27

전자 부품에 대하여 TRIPLE Empowerment & Boundaryless (냉장,제상용 써미스터) 27.475±3.189K ( 온도 ± 0.73℃) Empowerment & Boundaryless 15/27

전자 부품에 대하여 TRIPLE Empowerment & Boundaryless (냉동실용 써미스터) 19.999±4.339K( 온도 ± 0.792℃) Empowerment & Boundaryless 16/27

전자 부품에 대하여 電磁 繼電器(ELECTROMAGNETIC RELAY)라 하며 제어 입력 회로를 형성하는 릴레이 TRIPLE 코일에 흐르는 전류의 電磁 作用에의해 동작 복귀하는 繼電器를 말함. 입력회로와 출력회로가 전기적으로 절연된 상태에서 신호를 전달하거나 출력 부하를 제어할수 있다 X 릴레이 부하 * 릴레이 개념도 제어회로 피제어회로 장점 COIL 기호 ⓐ ⓑ X ⓒ 접점 기호 ⓐ FORM A CONTACTS (NORMALLY OPEN CONTACTS) 복귀 스프링 접극자 (가동철편) ⓑ FORM B CONTACTS (NORMALLY CLOSED CONTACTS) NC 단자 철심 ⓐ FORM C CONTACTS (CHANGEOVER CONTACTS) 가동접촉편 (접점스프링) 계철 NO 단자 동작 설명 RELAY는 電磁石部와 開閉部로 구성되어 있으며, 電磁石部는 COIL,鐵心,繼鐵,接極子(可動 鐵片) 등으로 구성되어 있읍니다. COIL에 전류를 흘리면 鐵心, 繼鐵, 可動 鐵片으로 구성된 磁路에 磁束이 흘러 이 磁束에의해 可動 鐵片은 鐵心面으로 향해 吸引된다. 開閉部는 이 可動 鐵片에 의해서 驅動되며 接点을 開閉한다. 고정접점 ( b 접점 ) 코일 고정접점 ( a 접점) 단자 가동접점 ( c 접점 ) Empowerment & Boundaryless 17/27

PCB 회로 설명 1. 전원회로 TRIPLE Empowerment & Boundaryless - MICOM 및 디스펜서의 펌프모터의 전원을 공급하기 위한 전원회로이다. A 부는 릴레이 구동전원(12Vdc)과 MICOM에 전원을 공급하고, B 부는 디스펜서의 펌프모터에 전원을 공급한다. - 각 부위별 측정 전압은 아래와 같다. A 부 B 부 부 위 VA1 양단 CM1양단 CM2양단 CE2양단 CC2양단 2차측 양단 CE6양단 CE7양단 전 압 220Vac 14Vac 17Vdc 12Vdc 5Vdc 17Vdc 15Vdc 12Vdc - VA1(바리스타)은 과전압 및 전원성 잡음인 NOISE방지를 위한 부품으로 입력이 385V이상의 전원이 인가되었으때, 내부소자가 단락되면서 파괴되어 전원FUSE가 끊어져 2차측 회로부품을 보호하는 역할을 한다. Empowerment & Boundaryless 18/27

PCB 회로 설명 2. 발진회로 3. RESET회로 TRIPLE Empowerment & Boundaryless - IC1(MICOM)의 내부 논리소자들의 정보 송.수신에 대한 동기용CLOCK발생 및 시간계산을 위한 기본 시간 발생을 목적으로 하는 회로임. - OSC1은 SPEC’이 바뀔 경우 IC1에서 계산하는 시간이 바뀌어지거나 동작을 하지 못하므로 반드시 정격부품을 사용하여야 한다. 4Mhz(0.25㎲) 4Mhz(0.25㎲) (1㎲): 1 machine cycle <발진주파수> <MICOM내부입력> :최소 4주기가 들어와야 최소 명령 실행 3. RESET회로 - RESET회로는 초기전원투입시 또는 순간정전에 의해 MICOM에 전원이 재인가될때 MICOM내부에 있는 RAM등 여러부분을 초기화화하는 기능을 한다. - 전원투입 초기에 MICOM의 RESET단자에는 일정시간 “LOW”(0V)전압이 인가되고, 일반동작중에는 RESET단자는 5V가 된다. Empowerment & Boundaryless 19/27

PCB 회로 설명 4. 부하/부저 구동, 문열림 감지회로 TRIPLE Empowerment & Boundaryless - 냉장고 성능에 필요한 각종 부하(COMPRESSOR,FAN MOTOR, 제상히터 DAMPER MOTOR, GRILLE FAN HEATER)를 구동하는 구동회로와 냉동,냉장실의 문열림 상태를 감지하는 회로이다. - 실제 부하들을 구동하기 위하여 MICOM(IC1)에서 소신호(“H”)를 출력 → DRIVE IC(IC5)가 동작 → RELAY의 COIL에 전류흐름 → RELAY의 접점이 동작(접촉) → 부하 구동 - 각 부위별 전압은 아래와 같다. (1) 부하 구동 상태 CHECK 부하의 종류 COMP, 기계실FAN 냉동실 FAN MOTOR 제상히터 전자식 DAMPER MOTOR G-HEATER 2400rpm 2800rpm 측정부위(IC5) 10번 11번 12번 14번 13번 16번 상태 ON 1V 이내 OFF 12V (2) 부저 구동 상태 CHECK : 부저음 발생시 IC5(15번)에 12 V 전압의 3.125㎑ 주파수 확인 부저음 정지시 “ 12 V 전압 확인 (3) 문열림 감지 회로 CHECK : 문열림시 IC1(8번)에 5 V 전압의 60㎐ 주파수 확인 문닫힘시 “ 5 V 전압 확인 Empowerment & Boundaryless 20/27

PCB 회로 설명 5. 디스펜서 펌프 모터 구동회로 TRIPLE Empowerment & Boundaryless - 디스펜서부 펌프 S/W를 누르면 펌프MOTOR는 정회전을 시작하여 스위치를 놓으면 정지(0.6초) 후 역회전(0.5초)를 실시한다. (토출파이프 내부의 잔수를 제거하기 위하여 역회전을 함) 체크 포인트 모터동작상태 정지 정회전 정지 역회전 정지 놓음 느름 펌프스위치 조작 0.6초 0.5초 펌프모터 동작 정회전 정지 역회전 펌프스위치부 CC14 양단 H L H H H 펌프모터부 IC1(11번) H H H L H IC1(12번) H L H H H A + , B - 단 연결,전압측정 0 V 12 V 0 V -12 V 0 V Empowerment & Boundaryless 21/27

PCB 회로 설명 6. 온도 감지회로 TRIPLE Empowerment & Boundaryless - 위 회로는 냉동실, 냉장실 온도를 맞추기 위한 냉동실 센서, 냉장실 센서와 제빙시 물온도 감지를 위한 제빙센서, 증발기에 부착되어 제상시에 필요한 제상센서의 온도를 감지하기 위한 회로로써, 각 온도센서의 SHORT또는 OPEN시의 상태는 아래와 같다. SENSOR 체크 포인트 정상 (-30℃ ~ 50℃) SHORT시 OPEN시 F1-SENSOR(냉동센서) A 점 전압 1.0 ~4.0 V 0 V 5 V D-SENSOR(제상센서) B 점 전압 F2-SENSOR(제빙센서) C 점 전압 R1-SENSOR(냉장센서1) D 점 전압 R2-SENSOR(냉장센서2) E 점 전압 Empowerment & Boundaryless 22/27

PCB 회로 설명 7. S/W 입력회로 8. OPTION 지정 회로 (냉장실 온도보상) TRIPLE - 위 회로는 냉장고 점검을 위한 TEST S/W, 전자식 댐퍼 REED-S/W의 신호를 감지하기 위한 입력회로이다. 8. OPTION 지정 회로 (냉장실 온도보상) - 위 OPTION회로는 약냉SVC시 간단히 OP1을 절단하여 냉장실 온도를 보상하기 위한 회로이다. - OP1의 절단시 냉장실은 현재온도에서 -3℃ 보상된다. Empowerment & Boundaryless 23/27

PCB 회로 설명 9. 전자식 MOTOR DAMPER 구동회로 ① ② ③ ④ TRIPLE 열림 닫힘 냉장실 중칸 DAMPER 열림 닫힘 냉장실 하칸 DAMPER 1.6초 1.6초 9.1초 7.4초 ON OFF DAMPER REED S/W HIGH LOW IC1(MICOM) 9번 입력 NO. 냉장실 상태 ① 중칸 닫힘 모터운전 모터정지 하칸 닫힘 ② 중칸 열림 운전 정지 하칸 닫힘 ③ 중칸 열림 운전 정지 하칸 열림 ④ 중칸 닫힘 운전 정지 하칸 열림 - 냉장실 온도조절을 GAS댐퍼 대신 전자식 MOTOR구동식 댐퍼를 이용하는 경우에는 위와 같이 댐퍼의 개폐를 구동,제어할수 있도록 구동회로와 댐퍼의 개폐상태를 감지하는 REED-S/W부로 구성된다. - 전자식 TWIN댐퍼는 1개의 댐퍼MOTOR로 냉장실 중칸,하칸온도를 각각 제어한다. - AC MOTOR를 구동하여 2분 이내에 REED-S/W의 상태변화가 없으면 고장으로 판단하고 고장표시한다. - 전원을 초기 투입하면 댐퍼의 상태를 감지하기 위해 온도에 관계없이 1회전한다. Empowerment & Boundaryless 24/27

PCB 회로 설명 10. 온도 보상 입력회로 TRIPLE Empowerment & Boundaryless - 저항값 조정에 의해 냉동,냉장실의 온도를 보상하는 회로이다. - 예) 냉동실 온도보상저항(R1)을 10㏀(현재저항) → 18㏀(수정저항)로 바꾸면 냉동실 온도가 2℃ 상승함. Empowerment & Boundaryless 25/27

PCB 회로 설명 11. KEY 버튼 입력 및 DISPLAY부 점등회로 TRIPLE 위 회로는 조작 표시부에 있는 기능조작 KEY의 눌림여부를 판단하고, 각 기능 표시용LED(LED MODULE)를 점등시키기 위한 회로로써, 구동 방식은 SCAN방식임. Empowerment & Boundaryless 26/27

PCB 회로 설명 TRIPLE 12. PCB 전체회로 Empowerment & Boundaryless 27/27