LED 제작공정 LED 모듈/응용제품 패키징 칩 공정 LED 에피성장 기판 MOCVD 한국광기술원
LED 칩 공정 Photolithography Etching Metallization Lapping/Polishing Dicing 된 LED 칩 Etching Metallization Lapping/Polishing Dicing 0.3 mm 한국광기술원
에피성장 (Epitaxy) 기판 기판 (CH3)3Ga + NH3 = GaN + 3CH4 (byproduct) MO gas * 에피탁시 (Epitaxy) : 결정방위가 유사한 분자구조를 기판 위에 화학적(MOCVD) 또는 물리적(MBE) 방법으로 p-n 접합층을 형성. on (epi) + arrangement (taxy) n형 dopant (Si2H6) (CH3)3Ga NH3 p형 dopant (Cp2Mg) (CH3)3In p-GaN InGaN QW n-GaN 기판 기판 ~ 1080 oC (CH3)3Ga + NH3 = GaN + 3CH4 (byproduct) MOCVD 방법에 의한 박막성장 MO gas
칩 제작공정 (Nitride LED) 1. 전극/절연막 증착 4. Oxide etching (RIE) LED 구조 LED 구조 SiO2 (절연막) Metal(투명전극) LED 구조 LED 구조 기판 기판 2. 노광 (photolithography) 5. PR 제거 후 GaN etching (ICP) Mask PR LED 구조 LED 구조 기판 기판 3. Development 절연막 제거후 RTA LED 구조 LED 구조 기판 기판
칩 제작공정 (Nitride LED) 6. PR coating 8. Metallization 기판 기판 7. 노광 (photolithography) 9. Lift-off 기판 기판 10. Lapping/Polishing 기판 기판 11. Scribing/Breaking
LED 칩 (Nitride LED) (+) (-) Sapphire 투명전극 (금속박막 또는 금속산화물) (+) (-) P p-GaN (0.2 um) QW’s n-GaN (3 um) GaN buffer Sapphire Chip dimension = 0.3 x 0.3 x 0.1 mm3
LED 칩 (AlGaInP) (+) (+) (-) (-) Window (p-GaP) Window (p-GaP) Upper confining layer Active layer Upper confining layer Lower confining layer AlGaInP MQW Active layer Lower confining layer AlAs/AlGaAs DBR Wafer bonding Substrate (n-GaP) Substrate (n-GaAs) (-) (-)