LED 제작공정 LED 모듈/응용제품 패키징 칩 공정 LED 에피성장 기판 MOCVD 한국광기술원.

Slides:



Advertisements
Similar presentations
Proprietary ETRI OOO 연구소 ( 단, 본부 ) 명 1 GaN 전력반도체 결정성장 장치 개발을 위한 소자 및 공정기술 ETRI Technology Marketing Strategy ETRI Technology Marketing Strategy IT R&D.
Advertisements

Lab. for Micro Electro Mechanical Systems, Dept. of Mechanical Engineering Photolithography.
ITO GLASS. 상판 (Front Plate) 하판 (Back Plate) 요구특성 고투과율 저저항화 막두께의 균일성 BUS 전극과의 밀착성. 내열성, 내약품성. ITO(Indium Tin Oxide) - Sputter 법 ( 전도성이 가장 우수 ) - Ion Plating.
CVD(Chemical Vapor Deposition) 1.CVD(Chemical Vapor Deposition), 화학기상증착 기술이란 ? 먼저 CVD 기술을 이해하기 전에 CVD 기술이 반도체 제조공정 중 어디에 위치하고 어떻게 사용되는지를.
CONTENTS Ⅰ. INTRODUCTION Ⅱ. TFT LCD 제조 공정 Ⅱ -1. TFT 제조공정 Ⅱ -2. COLOR FILTER 제조공정 Ⅱ -3. CELL(LCD) 제조공정 Ⅱ -4. MODULE 제조공정 Ⅲ. 단위공정 설명 Ⅲ -1. 증착공정 Ⅲ -2. PHOTO.
CVD ( 화학시상증착 ) 공정. 화학기상증착 공정이란 ? 화학 반응을 수반하는 증착기술로서 부도체, 반도체, 그리고 도체 박막의 증착에 있어 모두 사용될 수 있는 기술.
LED 패키징 기본(단기)공정 교육 초대의 말씀 교육 일정
Ppt宝藏_www.pptbz.com_提供 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX.
직장인의 논리적 대화 습관.
휴먼 배너 (Mobile LED) 제안.
Epi-Plus epi structure
LED는 어떻게 생겼나? 위에서 본 LED 사진 옆에서 본 LED 사 진 continued
1. 반도체란 반도체 물질의 특성, 기능 그리고 기능별 용도 1.1 반도체 물질의 특성, 기능 그리고 기능별 용도
Contents 1. 농협 소개 2. 농협에 대한 이해 3. 함께 하는 농협의 모습 4. 농협의 비전과 약속 5. 참고자료.
산화막 (Oxide, SiO2)란?.
반 도 체 제 조 공 정 F l o w C l e a n R o o m T / F T e a m C O R P O R A T
반도체 소자와 공정.
회사소개서 ㈜ 나노 OOO MEMS사업부 ‘04.8 경기도 성남시 중원구 상대원동 선일테크노피아 1205호
LCD 디스플레이 구미대학교 컴퓨터정보전자과.
Metallization 금속 막의 용도 적층 방법 진공 시스템 스퍼터링 요약.
42.11 트랜지스터 (Transistor) 트랜지스터 : 입력되는 전기신호를 증폭시킬 수 있는 3개의 단자로 이루어진 반도체 소자 FET(Field- Effect- Transistor) : S 단자(소스, source)와 D단자(드레인.
Lab. Of Intelligent Material and Technology
Silicon Wafer란 ?.
반도체의 주요 응용 분야: optoelectronics
반도체 제조 공정 리소그래피 공정 공주대학교 전기전자제어공학부 최 복 길.
산업에서의 플라즈마 물성 참조표준 활용 국가핵융합연구소 윤 정 식.
Vacuum III ( Vapor Deposition)
반도체 공정.
신소재 기초 실험 OXIDATION(산화공정).
순환&면역 6조 박아름 이명동 최제춘.
Company Profile ㈜티씨케이.
(principle and method of photovoltaic cell)
Fabrication of thin-film InGaN light-emitting diode membranes by laser lift-off 손태홍 이광희.
국제엘렉트릭코리아 소개 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX. 국제엘렉트릭코리아 소개 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX.
MONOLITHIC FABRICATION PROCESSES
국제엘렉트릭코리아 소개 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX. 국제엘렉트릭코리아 소개 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX.
Photolithography Lab. for Micro Electro Mechanical Systems, Dept. of Mechanical Engineering.
LCD - CF 제조 공정.
GaN전력소자연구실/IT부품산업기술연구부
제 9 장 반도체(Semiconductors)
새로운 물질, 나만의 스마트폰 디자인하기.
2013 Educational Program for LED Manufacturing Practice
안녕하세요. LG실트론입니다. 당사에서는 아래와 같이 해외 학사/석사/박사 졸업자 및 졸업예정자를 대상으로 일반입사와 산학장학생을 모집합니다. 많은 분들의 지원 부탁 드립니다. ▣ 모집기간 (목)~2.8(금) ▣ 모집 대상 ▶일반입사 - 포닥/박사:
Plasma Display Panel의 공정 기술
강아지풍선 채색체험,야광 판매 제안서 본사:인천 부평구 원적로269번길10 Tel:(032)
전기, 안전하고 효율적으로 사용하기(2) 학습 주제 < 생각열기 >
탈모에 대하여 임현민, 노수진, 유민상,정다인.
Manufacturing Processes
1) 디스플레이(Display)는 무엇인가 ?
화공안전공학 인천대학교 안전공학과.
Growth Epitaxial growth Wafer growth
무역과 마케팅 전략 국제마케팅의 의의와 유형 국제마케팅 전략.
NH Card 사후관리자료(4회차) 농협청주교육원교 수 서 영 식.
광주대교구 대성동 본당 ‘사랑의 샘’ 꾸리아 소속 ‘사도의 모후pr.‘2000차주회
우리나라의 수자원 물 보기를 금같이 우리나라의 수자원 현황 우리나라의 수자원 이용 현황.
위험물질 위치 현황도 경기도재난안전본부 주식회사(1/2) 저장시설 N 잔디밭 5동 11동 위험물 유해화학물질 가스 범례 :
위험물질 위치 현황도 경기도재난안전본부 주식회사(1/2) 저장시설 N 잔디밭 5동 11동 위험물 유해화학물질 가스 범례 :
체크포인트 가정 내 일어나는 사고에 대해 알아보고 사고예방을 위해 주의한다. | 예방법 장소별 사고 – 방과 거실 1 2 높은 곳 에 물건 두지 않기! 날카로운 모서리는 천으로 씌우기!
위험물질 위치 현황도 경기도재난안전본부 주식회사(1/2) 저장시설 N 잔디밭 5동 11동 위험물 유해화학물질 가스 범례 :
위험물질 위치 현황도 경기도재난안전본부 주식회사(1/2) 저장시설 N 잔디밭 5동 11동 위험물 유해화학물질 가스 범례 :
휴대용 복합가스 측정기 소하119안전센터 소방장 김형진
지역의 자연 환경과 인문환경 조사 사회 1학년 1학기 Ⅰ.지역과 사회 탐구>1.지역사회의 지리적 환경(3/6
강의 프레젠테이션 현대 사회와 미디어 11강. 매스 미디어와 정치.
6-2. 전해질과 비전해질 구별해 보기 학습 주제 < 생각열기 >
유체역학 마이크로마노미터의 이론과 공식을 설명하라. 환경공학과 김기복.
위험물질 위치 현황도 경기도재난안전본부 주식회사(1/2) 저장시설 N 잔디밭 5동 11동 위험물 유해화학물질 가스 범례 :
IT R&D Global Leader [첨부 제4호] 미세피치용 삼차원 적층 공정 기술 ETRI
친환경 LED조명(거실,방,주방) 특가 판매 아파트단지 입주민들 가정의 전기료 절감,조도 개선을 위한
FBAR capping wafer 제작 기술
당신을 위한 NH 연금보험.
Presentation transcript:

LED 제작공정 LED 모듈/응용제품 패키징 칩 공정 LED 에피성장 기판 MOCVD 한국광기술원

LED 칩 공정 Photolithography Etching Metallization Lapping/Polishing Dicing 된 LED 칩 Etching Metallization Lapping/Polishing Dicing 0.3 mm 한국광기술원

에피성장 (Epitaxy) 기판 기판 (CH3)3Ga + NH3 = GaN + 3CH4 (byproduct) MO gas * 에피탁시 (Epitaxy) : 결정방위가 유사한 분자구조를 기판 위에 화학적(MOCVD) 또는 물리적(MBE) 방법으로 p-n 접합층을 형성. on (epi) + arrangement (taxy) n형 dopant (Si2H6) (CH3)3Ga NH3 p형 dopant (Cp2Mg) (CH3)3In p-GaN InGaN QW n-GaN 기판 기판 ~ 1080 oC (CH3)3Ga + NH3 = GaN + 3CH4 (byproduct) MOCVD 방법에 의한 박막성장 MO gas

칩 제작공정 (Nitride LED) 1. 전극/절연막 증착 4. Oxide etching (RIE) LED 구조 LED 구조 SiO2 (절연막) Metal(투명전극) LED 구조 LED 구조 기판 기판 2. 노광 (photolithography) 5. PR 제거 후 GaN etching (ICP) Mask PR LED 구조 LED 구조 기판 기판 3. Development 절연막 제거후 RTA LED 구조 LED 구조 기판 기판

칩 제작공정 (Nitride LED) 6. PR coating 8. Metallization 기판 기판 7. 노광 (photolithography) 9. Lift-off 기판 기판 10. Lapping/Polishing 기판 기판 11. Scribing/Breaking

LED 칩 (Nitride LED) (+) (-) Sapphire 투명전극 (금속박막 또는 금속산화물) (+) (-) P p-GaN (0.2 um) QW’s n-GaN (3 um) GaN buffer Sapphire Chip dimension = 0.3 x 0.3 x 0.1 mm3

LED 칩 (AlGaInP) (+) (+)     (-) (-) Window (p-GaP) Window (p-GaP) Upper confining layer Active layer Upper confining layer Lower confining layer AlGaInP MQW Active layer Lower confining layer AlAs/AlGaAs DBR Wafer bonding  Substrate (n-GaP)   Substrate (n-GaAs)  (-) (-)