PN접합 다이오드의 에너지 다이어그램 에너지 다이어그램2.

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PN접합 다이오드의 에너지 다이어그램 에너지 다이어그램2

PN 접합 다이오드 바이어스의 요약 순방향바이어스 역방향바이어스 전압연결 : 양극(N), 음극(P) 바이어스 전압은 항복전압보다 작아야한다. 소수반송자가 적은 역전류 형성 짧은 과도시간동안 다수반송자는 PN접합 반대방향으로 흐른다. 과도 이후 다수반송자 흐름없다’ 공핍영역이 넓어진다. 전압연결 : 양극(P), 음극(N) 바이어스 전압은 전위장벽보다 커야 한다. 전위장벽 : Si(0.7V), Ge(0.3V) 다수반송자가 순방향 전류 공핍영역이 좁다 다수반송자는 공핍영역을 향해 흐름 요약

복습문제 2 PN접합의 순방향 바이어스를 설명하라. PN접합이 어떻게 순바이어스 되는지를 설명하라. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스시의 공핍영역을 비교하라. 어느 바이어스 조건이 다수반송자를 흐르게 하는가? PN접합에서 역전류는 어떻게 형성되는가? PN접합에서 역방향 항복(breakdown)은 언제 일어나는가? 복습문제 2

1-8. PN접합의 전류-전압 특성 (I-V특성)

순방향 바이어스를 가한 경우의 I-V 특성 순방향 I-V 곡선

동저항 (Dynamic resistance) 교류저항 (ac resistance) rd’ = VF / IF 동저항

역방향 바이어스를 가한 경우의 I-V 특성 역방향 I-V 특성

역방향 바이어스를 가한 경우의 I-V 특성 역전류 역항복 (reverse breakdown) Reverse current 애벌런치(avalanche) 항복 최소 50V 이상 역방향 I-V 곡선

실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드의 특성곡선 비교 VT = 0.7 (Si) VT = 0.3 (Ge) 특성곡선 비교

온도에 따른 I-V 특성 전영역의 I-V 특성곡선 온도변화에 따른 I-V 특성곡선 온도에 따른 I-V 특성곡선

1-9. 다이오드 (diode) 1-9 다이오드 구조와 기호

다이오드의 순방향/역방향 회로 바이어스 연결 회로

여러가지 다이오드와 패키지 형태 다이오드 종류

다이오드 등가회로 (모델) 이상적인(ideal) 다이오드모델 이상적인 다이오드 모델

실용적인(practical) 다이오드모델 실용적인 다이오드 모델

복합(complex) 다이오드모델 복합 다이오드 모델

다이오드 등가회로 비교 VT IF VBIAS -VF 0.7V +IF rd’ R + rd’ VBIAS -VF 0.7V R 다이오드 등가회로 요약

예제 1-1 각 모델별로 순방향 전압과 전류, 제한저항 양단의 전압을 구하라. (rd’ = 10) 각 모델별로 역방향 전압과 전류, 제한저항 양단의 전압을 구하라. (IR = 1A) 예제 1-1

다이오드 검사 다이오드 검사

다이오드 고장 검사 다이오드 고장검사

제 1장 최종 점검 요약 용어정의 주요공식 자습문제 기초문제 제1장 최종 점검

기초문제 16번, 17번 각 다이오드가 순방향인지 역방향인지 결정하라. 50M의 역저항을 가진 게르마늄 다이오드라 할 때 기초문제 16번, 17번 각 다이오드가 순방향인지 역방향인지 결정하라. 50M의 역저항을 가진 게르마늄 다이오드라 할 때 각 다이오드 양단의 전압은? 기초문제 16

기초문제 18번 각 회로에서 미터에 표시된 값을 참고하여 다이오드가 적절하게 동작하는지 판단하라. 기초문제 18

기초문제 19 실리콘 다이오드에서 접지기준으로 각 점의 전압을 구하라. 기초문제 19