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Lect28; Avalanche photo diode (APD)
APD; pin+gain Gain; e,h Many e,h’s Very large field 이용 Field가 크므로 빠른 속도로 움직임 V<0 역 bias를 크게 걸어 줌 - P Large field N Si - 빠른 속도로 충돌 Si Si Si Si 추가적인 e와 h - Impact Ionization e,h pair 증가 gain
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(assuming gain is obtained by electron projection)
Impact Ionization
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Impact ionization rate
(carrier가 거리 당 impact ionization을 일으키는 정도) (electron) 질량이 다르기 때문에 서로 다르다 (hole) K가 0에 가깝거나 무한대에 가까워야 함 즉, 2개의 차이가 많이 나야 한다 그렇지 않으면 Impact ionization proces가 끝나지 않음;loop 속도가 느려짐
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Field의 방향은 n-type서 p-type으로
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K값을 작게 만드는 구조
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Avalanche 구조 Gain영역, 이 영역에서만 I.I.가 일어남 P I G N w x= x=w 전자에 의한 current 밀도
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장점; large gain possible
단점; large bias voltage speed reduction by gain built-uo time noise
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