1. 순수(pure)반도체 ex) Ge, Si 2. 불순물(impurity)반도체 반도체(semiconductor) 1. 순수(pure)반도체 ex) Ge, Si 2. 불순물(impurity)반도체 n형 반도체(n-type) 순수반도체(4족) + doping of 5족 불순물 (P, As, Sb, Bi) 전자의 이동 p형 반도체(p-type) 순수반도체(4족) + doping of 3족 불순물 (Al, B, In, Ga) hole(양공 or 정공)의 이동 – (+)전하의 효과 - 전자 이동의 반대
반도체(semiconductor) i 3. 다이오드(diode) → p–n - 순방향 - - 역방향 – - 순방향 - - 역방향 – 정류 (rectification) 작용 : 교류(AC) → 직류(DC)
발광다이오드(LED - Light Emitting Diode) 반도체(semiconductor) 발광다이오드(LED - Light Emitting Diode) p-n diode → n-type 에 더 많은 전자를 다량 doping 전자(electron) → 양공(hole) 빛(light) – emitting!! 반도체 소자의 종류 p-type 과 n-type 의 에너지 준위차 → 빛의 색(color) 결정 Diamond(C) - UV AlGaAs – IR, red ZnSe - green, blue InGaN/AlGaN/GaN – orange, yellow, green, blue, violet, UV ZnSe – green, blue 특징 1. 작은 크기(small size) 2. 긴 수명 → 영상표시장치, 조명, LED 전광판, 신호등 etc.
반도체(semiconductor) 트랜지스터(trangister) 증폭(amplification)작용 Emitter : 전자를 보내는 곳 Base : 기초나 출발점의 의미를 가지므로 전자(전류)를 제어 Collector : 수집, 전자들이 모이는 곳, 전원을 연결하는 역할 증폭(amplification)작용 : emitter와 base 사이의 전압을 조절, collecter 에 흐르는 전류를 증가 스위치(switch)작용 : 증폭이 극대화된 상태에서 emitter와 base 사이의 전압을 정해진 값 이하일 때 collecter 에 흐르는 전류가 0 이고 이상일 때는 다량의 전류를 흐르게 함