A 12GHz Lumped-element Hybrid Fabricated on a Micromachined Dielectric-Air-Metal (DAM) Cavity 플라즈마 응용 실험실 유 동 훈 새로운 혼성의 집중정수소자 (lumped elements) 들을 제시하였다.

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1 A 12GHz Lumped-element Hybrid Fabricated on a Micromachined Dielectric-Air-Metal (DAM) Cavity 플라즈마 응용 실험실 유 동 훈 새로운 혼성의 집중정수소자 (lumped elements) 들을 제시하였다. 제시된 하이브리드는 새롭게 계발된 dielectric-air-metal (DAM) 으로 배치되었다. 이 과정은 실리콘 기판의 한 쪽 면으로부터 작업된 모든 성분을 만들 수 있고, 뒷 면을 패키지의 한 부분처럼 남길 수 있다. 이 방법은 두 개의 웨이퍼로 결합된 매우 얇은 MEMS 패키지 장치를 실현시 키기 위해 필수불가결하다. 패턴화된 금속 접지는 모든 종류의 집중정수소자를 제공 할 수 있다. 이러한 집중정수소자중 직렬 인덕터는 세밀하게 조사되었고 직렬 인덕터 와 병렬 커패시터가 병합된 복합적인 장치가 제조 되었다.

2 1. 연구 배경 2. 연구 목표 3. 연구 내용 및 결과 3.1 DAM 과정 3.1.1 Structures of lumped elements 3.1.2 Series inductor 3.2 Design and Experiment of the hybrid 4. 결론 차례

3 오늘날 미세기계가공 기술은 고주파 (microwave componet) 부품들에 의해 진보되었다. 오늘날 미세기계가공 기술은 고주파 (microwave componet) 부품들에 의해 진보되었다. 이러한 고주파 부품들은 높은 Q-factor 와 높은 공진 주파수를 가지며, 이는 마이크로웨 이러한 고주파 부품들은 높은 Q-factor 와 높은 공진 주파수를 가지며, 이는 마이크로웨 이브 장치들의 웨이퍼 레벨 패키지를 가능하게 하였다. 몇 몇 구조는 습기와 같은 외부환경요소로부터 완벽히 분리되어야 하므로 장치의 앞면을 몇 몇 구조는 습기와 같은 외부환경요소로부터 완벽히 분리되어야 하므로 장치의 앞면을 감싸고, 다시 뒷면을 감싸는 두 개 이상의 웨이퍼를 사용하는 공정이 필요해지고 있다. 1. 연구 배경

4 뒷면을 패키지의 한 부분으로 사용할 수 있는 새로운 공정을 제시하고, 새로운 공정으로 뒷면을 패키지의 한 부분으로 사용할 수 있는 새로운 공정을 제시하고, 새로운 공정으로 제작된 집중정수소자 (Lumped elements) 를 활용함으로 써 12GHz 에서 동작하는 복합회 로를 디자인 한다. 2. 연구 목표

5 3. 연구 내용 및 결과 3.1 DAM 공정 (a) Patterning of Oxide layer and Alkaline Etching (b) Au Sputtering and Patterning (c) Spin-Coating of Resist Material (d) CMP (e) SiN Sputtering and Patterring for Via-Holes Via-Holes (f) Forming Via-Holes, Circuit-Elements and Etching Holes and Etching Holes (g) Removing Sacrifical Resist Material Ref. Y. Yoshida, T. Nishino, J. Jiao, S. S. Lee, M. Kumagai, Y. Suehiro, K. Miyaguchi, and T. Fukami, “A Novel Grounded Coplanar Wav eguide with Cavity Structure”, IEEE MEMS Conference Proceedings., 2003

6 3.1.1 Structures of lumped elements Series C shunt C Series L Shunt L

7 3.1.1 Series inductor Pattern and model of examined meander inductor Q and L vs. depth of cavity Resonant frequency vs. depth of cavity

8 3.2 Design and experiment of a hybrid Schematic view of the hybrid on the DAM Optical micrograph of the hybrid SEM image of the corner of the hybrid

9 The simulated and measured results of the Fabricated hybrid S 파라미터는 주파수 분포상에서 입력 전압 대 출력 전압의 비를 의미 12GHz 에서 반사가 가장 적고, port2, port3 에서 출력 값이 가장 큼을 알 수 있다.

10 4. 결 론  매우 얇고 밀집된 장치를 획득하기 위해 DAM cavity structure 를 제안하였다.  직렬 인덕터에서 공진주파수와 구멍깊이의 관계를 보여주었다.  디자인된 복합회로에서 측정 결과와 시뮬레이션의 결과가 일치 함을 나타내었다.