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The Fabricatioin of Ceramics

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1 The Fabricatioin of Ceramics
3.1 General 3.2 Cost 3.3 Raw materials 3.4 Powder preparation – mixing 3.5 Calcination 3.6 Shaping 3.7 High-temperature processing 3.8 Finishing 3.9 Porous materials 3.10 The growth of single crystal

2 3.1 General The objectives of fabrication are to produce 1. A material with specific properties, 2. A body of a required shape and size within specified dimensional tolerances 3. The required component at an economic cost The material properties : controlled by the composition, affected by the grain size, porosity of the sintered ceramic The latter features : affected by the method of fabrication The key stages in the fabrication : calcination, sintering The fabrication process comprises five stages: 1. the specification, purchase and storage of raw materials; 2. The preparation of a composition in powder form; 3. Forming the powder into a shape; 4. Sintering 5. finishing

3 압전세라믹 제조공정 Start material Poling Weighing Materials Electroding Mixing
Surface Grinding Drying Sintering Calcination Press Grinding Mesh Drying Binder

4 3.3. Raw materials The labels on analytical reagents : impurities is important moisture check : a loss in weight after heating Aspect of the composition :moisture, humidity - loss method in weight after heating to a suitable temperature Chemical composition : aspect of the specification of a ‘raw materials’ Reactivity : particle size, perfection of the crystals comprising the particles Raw material parameters : modified by the subsequent processing, correction, variations, balance Test for standard process : product with specified properties The storage of material is important

5 재료 질량 측정의 예 몰비, x(mol%) 분자량, M x×M PbZrO3 0.47 346.417 162.816 49.5461
PbTiO3 0.43 Pb(Mn1/3Sb2/3)O3 0.1

6 - Resonance frequency, Fr, Anti- Fa - Mechanical quality factor, Qm
Impedance analyzer - Resonance frequency, Fr, Anti- Fa - Mechanical quality factor, Qm - Electromechanical coupling factor, Kp - Young’s modulus, Y - Piezoelectric constant, d31 - Permittivity,  Piezo - d33 meter - Piezoelectric constant, d33 The Archimedean principle - Density,  압전세라믹 특성평가 Disk d t

7 3.4 Powder Preparation – Mixing1
1st step : weigh out the raw material (allowance for impurity, moisture content) 2nd step : mixing – eliminating aggregate, reducing the particle size During calcining : matter of neighbouring particles – interdiffuse mixing이 잘 이루어지지 않으면 소결(sintering)시 aggregates사이에 공간이 생겨서 응어리지게 된다. Milling process : 혼합 및 agglomerates를 분쇄해줘 결정(crystals)의 diffusion이나 소결시 장점으로 작용함 Ball-mill은 주로 습식방식이 쓰이며 원형통에서 회전시킨다. 최고정점에서 파도처럼 떨어지는 것에 의해 전단 및 분쇄 작용이 된다. 액상의 비율은 100%~200%사이에서 잘 혼합이 이루어진다. Ball-mill은 16-24시간정도 하며, particle size가 10~1μm가 되게 혼합되어야 한다.

8 3.4 Powder Preparation – Mixing2
Milling media는 불가피하게 오염되게 되며, 줄이는 방법은 - 밀링시간을 적절하게 하여야 함 - grinding media를 hard material로 하여야 함(alumina, tungsten carbide) - 밀링 용기도 같은 재질(amuminous percelains에는 alumina, ferrites에는 steel로 함) Polymer의 내부마멸 등의 오염은 차후의 firing stage에서 burnd away된다. 그러나, 큰 polymer 조각은 마지막 소결공정에 까지 남아서 큰 공극(pores)로 된다. 습식 ball-mill이 건식보다 the charge로부터 milling media의 분리하는 공정이 빠르다. 그러나, 액상(liquid)를 제거하는데 경제적으로 단점을 가지며 녹기 쉬운 혼합물들은 액상에서 없어지기도 한다. Atomic scale로 mixing하는 가장 좋은 방법은 chemical method이며 mechanical mixing보다 비싸며, 균질성에 가장 뛰어남

9 볼밀의 예 볼밀그림) (a)회전속도가 빠른 경우 (b)느린 경우 (c)적당한 경우 볼밀의 회전속도
원심력 = 중력 F = m×a ,    a = r×w2, w = 2πf F = m× (D/2)× w2 = η×m×g 회전수, N   = 60 f                    η: 마찰계수 ( ≒ 0.7 )                  =                           D: Pot 직경                  = 216 × 0.6 = [rpm]

10 3.5 Calcination Calcination(하소) : ion의 interdiffusion에 의한 interact를 야기시키며, 균질성 세라믹을 위해 소결(sintering)동안 일어나야하는 diffusion의 extent를 줄여준다. 소결동안 controlling shrinkage하는 중요한 요소이다. Mixed된 powder를 sagger에 담을 때, 납(lead oxide)와 같은 휘발성 물질인 경우에는 밀폐시켜야한다. Sagger의 표면은 재사용가능하고, 오염되지 않게 해야하며 powder와 반응하지 않도록해야한다. Powder의 열전도도가 매우 낮기 때문에 수 cm의 깊이로 놓으며 적절한 최대 온도에서 1-2시간 하소한다. 성형 및 소결을 위해서 하소된 물질을 다시 mixing한다.

11 하소 및 XRD 분석 가소성 처리공정으로 1차 열처리를 통하여 페로브스카이트 구조의 생성을 유도하는 목적을 가짐.
가소성 처리공정으로 1차 열처리를 통하여 페로브스카이트  구조의 생성을 유도하는 목적을 가짐. - 2차 소결과정에서 급격한 열팽창 및 수축으로 인한 시료의  균열방지의 효과가 있음. - 그림에서 알 수 있는 바와 같이 800℃이후에는 결정격자구조가 생성되었음을 알 수 있다. - 실험결과로부터 PZT계 압전세라믹스의 경우 850℃의 온도에서 가소성처리를 함. 예) X선 회절결과 (PbO+TiO2->PbTiO3)

12 3.6 Shaping Table Feed materials for various shaping methods and the type of product Shaping method Type of feed material Type of shape (1) Dry-pressing (2) Isostatic pressing (3) Calendering (4) Extrusion (5) Jiggering (6) Injection moulding (7) Slip-casting (8) Band-casting (9) Silk-screening Free-flowing granules Fragile granules Plastic mass based on an elastic polymer Plastic mass using a viscous polymer solution Stiff mud containing clay Organic binder giving fluidity when hot Free-Flowing cream Printing ink Consistency Small simple shapes Larger more intricate shape Thin plates Elongated shapes of constant cross-section Large simple shapes Complex shapes Mainly hollow shapes Thin plates and sheets Thin layers on substrates

13 3.6 Shaping 바인더는 파괴작용없이 바인더를 제거하는게 중요함
Particle들이 액상 고응집일때 그들 사이에서 point of direct contact형태를 만들며, 바인더를 burn-out이나 휘발시켜도 이 point of direct contact들이 잔존하여 작은 응력에도 세라믹을 분해하는 저항력(van der Waals force)이 생긴다. Binder가 남은 세라믹은 약한 기공이 많은 층을 형성하여 내구의 가스로 성장하여 bulk의 크기를 크게 하여 주재료가 위치하는 것을 저지하며, poser의 분산을 어렵게 한다. 바인더의 제거는 세라믹 body의 기계적 안전성에 매우 중요

14 3.6 Shaping 3.6.1 Dry-pressing Fig.3.2 The stages in dry pressing -pressure(75-300MPa or 10,000-40,000 p.s.i)

15 3.6 Shaping 3.6.1 Dry-pressing -particle suitable size 0.1~1mm
Fig.3.3 Schematic diagram of a spray -drier -particle suitable size 0.1~1mm -tank diameter : 2-3m -tank가 작으면 습기등을 정제하는게 어려움 -100~1000kg 가마의 크기가 적절

16 3.6 Shaping 3.6.1 Dry-pressing Dry-pressing의 유의점 -세라믹과 바인더의 반죽을 sieving에 의해 사출하며, 이 때 형틀(die or molder)의 벽에 granules가 붙는 ‘tumbling’을 줄이기 위해 윤활제로 calcium stearate를 사용 -프레스시 granule이 형틀 통과시 작은 파편이 들어가게되면 기공이 생기므로 압축시 compact와 die wall의 마찰이 최소가 되게 해야하며 수직으로 압축해야 함 -일반적 압축력(75-150MPa)이며 소결동안 왜곡이 없게, 밀도 경사도와 die-wall 마찰을 최소화하기 위한 최대 압력은 300MPa이하여야 함 -압출이나 압축 성형시 파우더가 흩날리거나 엎지르지 않게 주의해야 함

17 3.6 Shaping 3.6.2 Isostatic-pressing Dry-pressing의 단점 보완 : hydraulic fluid으로 일정한 압력을 주며, 파우더의 이동이 최소화되며 side-wall이 부재 Rigid mandrels shaping method Pressures : MPa( p.s.i) 두어번 반복하면 좋음 장점 : 일정한 밀도, 적층용이, 기공없음 Spark-plug insulator, High-voltage devevice에 이용될 세라믹에 주로 이용 Fig.3.4 Dry-bag isostatic pressing

18 3.6 Shaping 3.6.3 Jiggering Jiggering : 평판같은 자기 제조에 사용, 큰 자기 절연체 성형 -Plastic mass : clay-based body와 물의 형태임 -Plaster baseplate :모양 사출 -Rotating arm : top surface에 대해 압축 -Profile(윤곽) : 윤곽모양으로 압축되며 과잉 물질제거 -The base : mass로 압축되며 plaster에서 습기를 제거하여 몸체와 세라믹을 분리 단순 대칭 모양일 때 주로 사용 유동학적 특성이 필요하여 별로 사용되지 않고 있음

19 3.6 Shaping 3.6.4 Extrusion -물과 점성의 진흙 mill로서 사출
-윤활유와 축축한 agent 및 바인더 첨가 정도의 속도로 사출 -dry, isostatically method보다 firing후의 기계적 성능을 유지하기 곤란하며, 소결 후의 수축이나 침식이 큰 단점 Fig.3.5 Extrusion of (a) a rod and (b) a tube

20 3.6 Shaping 3.6.5 Slip-casting Slip-casting : ceramic powder가 fluid vehicle(water)에 suspended(물에 뜨다)된다. - suspention or ’slip’은 50vol.%의 높은 고체성분 - 10μm 보다 적게 정제 - 각 particle들이 전기적 반발을 이용하여 deflocculant함 - powder와 high surface area의 정제는 전기적 안정도가 중력보다 크기 때문에 settling이 일어나지 않아서 이루어짐 필요로 하는 형태로 casting하여 만들어진 plaster(석고) of Paris mould는 건조나 firing시 수축에 대비해 적절히 크게 해야 함 - plaster의 내부표면은 cast를 손상없이 제거하기 위해서 공기방울이 생겨 기공이 생기지 않도록 매우 부드럽게 마무리되야 함 두껍게 cast되었을 때는 잔여slip은 poured out하고 몰드(mould)와 cast는 건조되어야 함 - clay를 다량으로 함유한 slip은 mould에 의해 수축되는 cast를 가짐

21 3.6 Shaping 재료에 의한 수축보다 mould에 의한 수축률이 크기 때문에 mould 제작에 유의해야 함
3.6.5 Slip-casting 재료에 의한 수축보다 mould에 의한 수축률이 크기 때문에 mould 제작에 유의해야 함 Cast는 소결시 기공이 적게(5% or less)하기 위해 고밀도로 함 - close-packed particle들을 천천히 탈수공정을 취함 이 공정은 복잡한 모양이나 pottery 산업(찻잔, 우유컵, 큰 예술품, 조각상)등에 이용 Slip-casting 기술은 40여년간 발전되어 왔으며, 현재는 cast alumina crucible(도가니)와 large tube등에 시도 - silica, beryllia, magnesia, zirconia, silicon(silicon nitride를 reaction-bonded 수행)들의 공정에 성공 - silicon carbide와 carbon의 혼합 공정에 성공 - 텅스텐, 몰리브덴, chromium, WC, ZrC, MoSi2도 공정에 성공

22 3.6 Shaping 3.6.6 Band-casting -액상이 제거되면 강력한 바인더 역할
-바인더 : polyvinyl alcohol을 포함한 water-based slip사용 ;plasticizer(가소성체) : glycerine ;deflocculant : ammonium polyacrylate -진공장비를 이용해 air bubble을 slip으로부터 꼭 제거해야 함 Fig.3.6 The doctor-blade tape-casting process -organic dust는 소결시 큰 기공으로 남기때문에 particle들은 20μm이하로 filter 한다 -Band는 세밀가공된 stainless steel이나 적절한 polymer의 층들로 한다 -evaporation of solvent는 열이나 필터된 통풍장치를 이용하여 보조한다 -두께0.5mm이상인 film의 표면이나 edge는 건조시 수축이 일어나므로 더 얇게 한다 -두께에 의해선 5%, 소결에 의해선 20%, solvent증발에 의해선 30%의 수축율을 보이기 때문데 silk-scrrening of electrode patterns과 같은 강력한 조작이 필요하다

23 3.6 Shaping 3.6.7 Calendering -powder와 elastomeric polymer의 혼합 : 다른 속도로 회전하는 두 개의 roller에 의함 -이 속도는 두 롤러사이의 간격에 의해 결정 -shearing(전단) : agglomerate형태로 되며, grain근처에 접촉되있는 elastomer에 의해 전단된다. -Dispersion(분산) : pinch를 줄임으로써 된다. -공정시 상당한 에너지가 필요하며, 롤러는 물에 의해 냉각 -혼합은 등속도의 롤러에 의해 두께를 줄일 수 있다. -이 공정의 장점 : solvent loss가 없고, ceramic powder와 elastomer가 균일 분배로 이루어 지면 기공이 없는 green tape를 생성 -응용 : substarate나 multilayer capacitor에 이용 Fig.9.45 Orientation of particles during calendering

24 3.6 Shaping 3.6.8 Injection-moulding Plastic산업에 널리 쓰이며, 액상플라스틱을 몰더안에서 압축하여 성형하며 몰더에서 꺼내어 급속한 냉각에 의해 고체화시키며 복잡한 형태로 성형가능하다. 유동적 성형을 위해 40vol%의 열가소성플라스틱을 ceramic powder에 첨가한다. 다른 공정과 같이 소결 전의 유기재료(바인더)를 꼭 제거해야 함 적당한 solvent의 사용으로 green body에서 바인더 fraction을 추출해야 하므로, burning-out공정의 조절이 중요 장점 : 바인딩물질을 재활용할 수 있으므로 급속한 firing공정을 가능하게 한다. 소결시 15%~20%의 수축율을 보여서 dimension의 조정히 정확해야하는 어려움이 있다. 그렇지만, 복잡한 형태는 소결시에서도 왜곡이 적어 성형품의 밀도가 일정하다.

25 3.7 High-Temperature processing
3.7.1 Sintering 소결 : competed powder를 입계을 가지는 결정체로 만들어 준다. -입계의 두께 : 약 100pm ~ 1μm -입계(grain boundary)의 구성 : crystalline, vitreous second phases, 근처 grain의 다른 방향 격자에 의한 disorder form of the major phase -입계의 내강도 : 70~350MPa -입계는 crystal과 같이 dense하지 못하고, 소결의 초기단계에서 가스의 확산, 대기의 흡입이 허용된다. Glass(유리질)이 포함되면 세라믹의 기공의 확산을 막아서 배출되지 않게 된다. 소결의 기본원리 : 기공이 입계를 따라서 grain내부로 전이하는 surface energy의 감소, 이 움직임은 입계내의 기공의 움직임인 기공결정격자(vacant crystal lattice)이며, 이러한 고유의 무질서(disorder)때문에 입계는 vacancy ‘sink’라 불리기도 한다.

26 3.7 High-Temperature processing
3.7.1 Sintering 입계성장은 densification에 평행하게 발생되며 입계영역의 감소에 의해 영향을 받는다. - 이유 : 결정격자가 높은 결함의 입계영역보다 낮은 자유에너지를 갖어서, 큰 grain이 차지하는 부분보다 작은 grain이 차지하는 부분이 크기때문이다. - 결정성장이 급속하면 기공은 기공을 제거할 수 있는 간단한 메카니즘때문에 입계로부터 분리된므로, 결정성장을 제한하는 것은 매우 중요 - 입계는 main phase와 intergranular phase사이의 불용해성(insoluble)인 divided phase의 존재에 의해서 성장의 안정화를 할 수 있다. 열역학적 녹는점의 10%이하의 온도에서 몇시간 소결함으로써 기술적 순수산화물(97%99%)을 얻을 수 있으며, 작은 초기 기공, 짧은 확산거리를 위해서 초기 particle size는 1μm정도로 적당하다. -짧은 확산거리는 확산속도 증가, 높은 자유에너지경사도를 가짐

27 3.7 High-Temperature processing
3.7.1 Sintering 확산계수는 radioactive tracer로 단일결정을 측정 예) MnO : 1600℃에서 Mn2+(10-14m2s-1)이고 O2-(10-17m2s-) - Mn,O 이온들은 전하중성 보존을 위해 움직이며 느린 이온은 재료의 움직이는 비율에 영향을 받는다. - MnO의 화학적 확산율은 Mn2+와 유사한 크기인 Li+를 첨가하여 증가시킬 수 있으며 산소공핍이 일어난다. - 확산은 결정의 bulk보다 입계에서 더 빠르지만, 그 측정은 어렵다. 고체상에서 소결에 의해 densification이 발생되며 main phase에서 제한되는 solubility를 가지는 작은 양의 액체상에 의해 가속된다. 재료의 transfer는 표면기공에서부터 입계까지이며 transfer는 고체와 입계를 따르는 확산의 경우보다 액체중을 통하여 발생되는 용해과정과 precipitation에서 더 빠르게 진행된다.

28 3.7 High-Temperature processing
3.7.1 Sintering Body(ceramic, 토기, china, electrical percelain)에 lower-melting vitreous phase을 포함하면 firing(소결)동안 고체상의 부분적 분해된 glass를 가지며 기공의 큰 파편에 의한 mass of particle를 밀어내는 표면 인장력이 생긴다. 기공은 공기를 잡아두어 유리질(vitreous phase)를 통한 escape를 막는다. 그림5.20에서 (a)고체상 소결, (b)액상소결, (c)porcelain firing을 나타냄 Fig.5.20 Microstructures (a)99.9% Al2O3, (b)95% Al2O3, (c)chemically etched electrical porcelain : note the partically dissolved quartz grains and mullite precipitates

29 3.7 High-Temperature processing
3.7.2 Hot-pressing 대기압에서 압력없는 소결은 적은 기공의 세라믹을 얻기 힘들며, 작은 결정크기에서 자기의 기공을 제거하기는 매우 힘듬 위 단점은 Hot-pressing으로 극복할 수 있으며, 압력은 기공제거를 할 수 있으며 온도는 결정 상승을 최소화 할 수 있음 Die와 punch의 결정은 매우 중요하며 1000 ℃이상, 압력하에서도 늘어나거나 부풀지 말아야 함 -Zinc sulphide는 스테인레스강 몰드에서 700 ℃에서 hot-press가능 -몰리브덴합금은 80MPa(5ton in-2)의 압력에서 1000 ℃이상에서 가능 -Alumina, silicon carbide, silicon nitride는 1400 ℃까지 가능하며 lead lanthanum zirconate와 같이하면 투명 전기광학 세라믹 제조에 쓰임 Fig.8.9 Hot-pressing

30 3.7 High-Temperature processing
3.7.2 Hot-pressing 흑연은 10~30MPa압력하에서 2200 ℃까지 가능하며 1200 ℃에서는 alumina, silicon carbide, silicon nitride에 못미치는 강도를 가지지만 1800 ℃이상에서는 가장 큰 강도를 가지는 재료로 사용 -단점 : 많은 electroceramics에 대해서 산화에 대한 보호가 필요하며 대기중에서 감소가 발생되는 단점 Hot-pressing공정은 매우 비싸고 단순한 모양만 만들 수 있지만 매우 중요한 재료 제조에 쓰임 Hot-pressing 방법은 magnetic ferrites와 piezoelectric niobates의 발전에 많이 사용되고 있으며 높은 생산성을 가진다.

31 3.7 High-Temperature processing
3.7.3 Isostatic hot-pressing High gas 압력(30~100MPa)가능, high-performance turbine blade, hip-joint prostheses(보철)의 제조와 같은 금속제조에 주로 사용 Furnace(로) : high-pressure vessel내에 물체를 넣고 소결 -기공을 포함한 파우더는 백금, glass와 같은 연성금속에 스며들지않게 encapsulate됨 -Nitrogen이나 argon등의 중성가스로 필요한 만큼의 온도와 일정한 압력을 줄 수 있게 함 장점 : Die와 punch재료와 내부반응을 피함, 대기압의 조절로 복잡한 성형가능, 작은 세라믹 제조를 대량으로 하여 비용절감가능 -Cold isostatic pressing으로 내부결점을 피하고, die-wall friction에 의해 발생되는 shearing action때문에 밀도의 다양성 가짐 Pseudo-isostatic hot-pressing장치를 사용하여 die와 punch에 파우더가 내부반응하며 소결되는 것을 방지하며 furnace 내부에 thick-walled pressure vessel을 만드는 비용은 절감되나 품질이 떨어짐

32 3.8 Finishing 소결된 세라믹은 machining, glazing, metallizing인 ‘finishing’공정이 더 필요함 -성형동안 닳음, 건조동안 수축변화, 소결동안 dimension 1~2%변화등이 초래됨 -연마와 연마제(silicon carbide, diamond powder)로 lapping으로 dimesion을 조절하나 그 비용이 매우 비싸다. Glaze : smooth나 cleaned surface을 필요로 할 때 적용 -일정한 slip에 담그거나 spraying하여 파우더의 층으로 사용 -600~1000 ℃까지 내열되며 glaze의 열적팽창은 냉각후 압축하는 재료보다 작으며 mismatch는 2-3parts in 106 ℃-1을 초과하지는 않는다.압력하의 표면강도는 증가한다. Metallizing : metal part와 ceramic을 합체하는 공정 및 전기적 contact할 때 필요 -conductive거나 semiconductive한 세라믹과의 contact에는 꼭 필요(=>current carrier를 가로막는 원치않는 장벽이 생기지 않도록 하기위함)

33 3.8 Finishing -Aluminium, silver, gold, Ni-Cr은 sputtering(톡톡 튀어나옴)이나 열(heat)로 진공상에서 증발함으로써 deposit되지만 adhesion(점착)은 좋지는 않다. -Nikel 10%함유, phosphorus(인)이나 boron(붕소)는 nikel salts나sodium hypophosphite(나트륨 하이포아인산염)를 함유한 용매로 deposit되지만 adhesion은 제한된다. -세라믹 유전체에 silver나 미량의 glass와 혼합된 silver oxide particles을 입힌다. 이는 600~800 ℃에서 fired되며 glass가 substrate(지지층)에 완벽히 흡수되고 강력히 반응하지 않게 화학적으로 match됨으로써 좋은 adhesion(점착)된다. -알루미나는 klystron microwave window로 사용되고 납은 금속과 강력한 vacuum-tight joint의 형태로 이용. -몰리브덴이나 망간 파우더를 포함하여 paint하는 경우는 알루미나를 사용하며 젖은 수소로서 fired한다. -충분한 내부반응이 강한 bond형태로 알루미나에서 발생하며 니켈은 금속화된 표면에서 electrolutically하게 deposit된다. 이러한 세라믹은 Cu-Ag eutectic alloy를 사용하여 금속에 braze(납땜)할 수 있다.

34 3.9 Porous materials 소결된 세라믹은 최소의 기공을 가져야 함. 습기의 혼입으로 여러 문제점을 가질 수 있는 기공은 5%~10%를 초과하지 않는 최대밀도를 갖게 해야함. Thermal shock resistance가 최주선인 습도나 가스 센서에는 기공이 필요하기도 함. Porous structure를 얻는 방법은 1. 결정성장이 발생되는 고온에서 소결한 후 거칠게 연마, 제한된 크기의 particle을 분리한다. 이러한 파우더로 압축이나 소결한 body는 크게는 30μm의 기공을 가진다. 이용할 수 있는 표면적이 적어진다. 2. Underfiring : pore structure는 fine되고 이용가능한 표면적은 커진다. 3. 세라믹 파우더에 20μm가 넘는 organic, carbon particle을 혼합 -> burn-out, 소결후에도 일정한 크기의 기공이 남으며 이는 소결조건에 큰 영향을 받으며 이러한 particle들은 20vol.%이상이어야 한다.

35 3.9 Porous materials 4. 거품을 포함하는 높은 비율의 바인더를 이용 : 가스는 액상바인더(바인더의 polymerization을 통해 굳는 것에 혼합)에 의해 발생, 소결이나 burn-out영향 보다는 바인더의 formulation에 의해 크게 좌우됨. 수 밀리미터의 기공(매우 큰 기공)은 이렇게 생성함. 5. 현존의 porous structure은 wax를 함유하여 재생산하고 유기고체(coral의 경우 calcium carbonate)로 분해한다. Porous wax structure는 세라믹파우더를 포함한 concentrated slip을 함유한다. 건조 후 wax는 녹을 수 있고 세라믹은 fired된다. Continuous(계속적인) porosity를 가지는 안정적 거품은 slip에 함께 impregnate(함유)하고 bur out된다면 더욱 경제적이게 된다. 이 경우 최종세라믹structure는 거품안에 빈 공간으로 부합된다.

36 3.10 The growth of single crystals
Single crystals의 준비재료들은 polycrustalline ceramic foem의 준비재료보다 더 어렵고 비싼 공정이다.결정구조의 완벽성은 비순수물질이나 제조공정의 동안의 조건변화에 쉽게 깨질수 있다. 액상의 원자는 random하게 배열 : 결정성장동안 crystalline phase의 구조에 의해서임. -급속한 결정성장은 결정의 무질서구역이나 다양한 방향을 띠는 새로운 결정의 생성을 초래 -그러므로 장기간의 조건의 조절이 중요하며 성장을 늦춰야함 액상의 어는점에서 고체상의 형성은 existing solid의 표면에서 발생. 이 단계는 heterogeneous nucleation으로 알려져 있다. -고체 particle없는 액체는 녹는점이하 어느 범위에서 cooled할 수 있다. 이러한 supercooled liquid는 구조적으로 고체와 유사하게 ordered region의 자발적 형성을 통해 결정화시킨다. -핵의 성장은 불규칙적 방향성을 띤 수 많은 결정의 급속한 형성을 초래한다. -Single-crystal의 성장은 ‘seed’(small single crystal)내의 핵들을 제공하여 얻으며, seed의 근처에서 제한된 성장 조건을 가짐

37 3.10 The growth of single crystals
Seed crystal은 성장방법으로 사용되지않음 -장점 : 다른 방법보다 one crystallographic direction에서 더 급속히 성장하는 결정의 성질(예: Bridgman-stockbarger 방식) -화학량론적 구성을 필요로 하는 thin ceramic rod가 수직으로 세워져있고 rod 끝단의 작은 region을 레이져빔으로 녹이고 녹은 지역은 rod의 다른 끝단으로 녹은 region이 움직인다면, rod의 축을 따라 최고성장하는 결정은 그 angle에서 성장이 커진다. -결정을 molten zone 위아래로 지나면 single-crystal region은 상대적으로 몇배 크게 얻어진다.동시에 rod의 끝다에 impuritied가 집중하는 zone-refining effect가 생기며 좀 더 perfect crystal의 성장을 초래함 -결정 성장의 문제점을 안고 있는 모든 material은 열역학적 원리를 이용하여 실험상으로 해결해야 한다. 결정성장은 가역적으로 방생되며 Gibbs energy G는 등온에서 일정해야 한다. (3.1) 여기서, H(enthalpy or heat content of the system), S(entripy), T(thermodynamic temperature) 이다.

38 3.10 The growth of single crystals
(3.1)이어서 그러므로, (3.2) ΔH=Lm 이며, 여기서 Lm(latent heat per atom)이고, Jackson’s dimensionless parameter α 는 (3.3) 여기서, k(볼쯔만 상수), TCR(상태변화온도), α(액상에서 무질서구조에서 고체상의 규칙적 격자구조로 움직이는 엔트로피의 감소)를 나타내며 Table 3.2에서 α값 표현. α <2 결정은 facets(작은면)없이 성장하며 모양은 isotherms in the melt에 의해 결정되며 iron, lead metal이 이 범주임 2<α<10에선 재료의 bulk로 cover되어 성장동안 facetting이 발생(게르마늄, 실리콘) α>10이면 결정이 polycrystalline structure를 벗어나기 힘들기 때문에 결정이 바로 핵(nucleate)을 이룬다

39 3.10 The growth of single crystals
0℃에서 수증기로 부터 ice로의 성장에 대한 α의 값은 20이며 snow의 low-density polycrystalline 특성을 보임. 대조적으로 액상에서 ice로 성장의 α=2.7이며 큰 결정을 포함하는 dense material은 즉시 형성된다. Table 3.2 Values of Jackson’s parameter α Substance Change of state Temperature TCR/K of change of state Latent heat Lm/kJmol-1 at TCR α= Lm/R0TCR Si Ge Fe Pb H2O Liquid-solid Vapour-solid 1680 1230 1810 601 273 46.4 31.8 15.4 4.77 6.03 45 3.3 3.1 1.02 0.96 2.7 20

40 3.10 The growth of single crystals
많은 양이온을 포함한 산화물인 경우는 녹는점이 일치하는지 않하는지가 매우 중요하며 결정은 stoichiometric melt로부터 성장할 수 없으며 이 방식은 필요한 합성(compound)이 안정적인 온도에서 성장을 찾아야한다. 이러한 어려움은 필요로 되는 온도와는 다른 녹는점에서 결정의 구조가 형성됨으써 생긴다.예를 들어, At 1720℃ : silica yield cristobalite on solidifying Blow 1470℃ : cristobalire transforms into tridymite Blow 867℃ : tridymite transforms to β-quartz Blow 573℃ : β-quartz transforms to α-quartz 산화물의 결정 성장에 사용되는 방법 1. From an aqueous solution by cooling 2. From solution in an oxide or fluoride flux by cooling 3. From the liquid phase by cooling: (a) by first freezing at the lowest point of a melt; (b) by first freezing at the upper surface of a melt; (c) by the flame-fusion or Verneuil method

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4.(a) From the liquid phase kept at constant temperature by dipping a seed in the surface and then withdrawing it into a cooler zone; (b) From the liquid phase by deposition on a substrate of differing composition 5. From the vapour phase by chemical reaction close to the surface of a seed crystal 위의 방법들의 examples 1.석영은 150MPa(1500atm)의 압력하의 물에서 알칼라인 용해로부터 성장함. Pure mineral 석영 fragments는 NaOH의 2.2% solution이나 Na2CO3의 5% solution으로 채워진 80%의 원통형 고압력솥(autoclave)의 bottom에 위치함. Seed crystals은 고압력솥의 상단근처의 wire frames에 위치함. 고압력솥의 바닥은 400℃이고 상단은 40℃로 선선하게 유지되기 때문에 vessel의 바닥에서 석영이 dissilce되고 상단에서 seeds가 석출(deposited)된다.결정은 몇주동안에 1kg이 넘게 성장한다. 이 열수작용(hydrothermal)은 논는점에서 고증기압을 가지는 zinc산화물의 재료로 사용.

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2.과학적 목적의 충분한 크기의 여러 조성의 결정은 suitable flux의 필요로되는 조성의 colling 용해로써 얻을 수 있음. BaTiO3결정은 BaTiO3의 30wt%와 Fe2O3의 0.2wt%의 KF의 혼합으로 만들며 1150~1200℃의 온도에서 8시간유지하고 flux가 poured off할 때 mixing은 900℃까지 식히고 결정은 상온으로 노안에서 식히면 된다.

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