Biasing Types of a Diode (Forward)  The negative side of the bias voltage push the free electrons in the n-regio n toward pn junction  Also provide a.

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1 Biasing Types of a Diode (Forward)  The negative side of the bias voltage push the free electrons in the n-regio n toward pn junction  Also provide a continuous flow of electron through the external connection into n-region  Bias voltage imparts energy to the free electrons to move to p-region  Positive side of bias voltage source attracts the electrons which are left in p- region  Holes in p-region act as medium or pathway for these electrons to move through the p-region

2  (+) side of bias voltage pulls the free electrons in the n-region away from p-n junction  additional positive(+) ions are created, widening the depletion region.  In the p-region, electrons from (–) side of the voltage source enter as valence electrons  electrons move from hole to hole toward the depletion region, then create additional negative(–) ions.  As the depletion region widens, the availability of majority carriers decreases. Biasing Types of a Diode (Reverse)

3 n-p-n 트랜지스터

4

5 p-n-p 트랜지스터 ( 증폭기 )

6 트랜지스터 회로 표기 화살표는 전류의 방향을 표시

7 Thermal electron current p-region 에서 열에너지에 의 해 생긴 electron-hole pair 의 전자가 n-region 으로 이동해 서 발생하는 전류 recombination electron current n-region 에서 열에너지에 의해 생 긴 electron-hole pair 의 전자가 p- region 으로 이동해서 hole 과 결합 하며 발생하는 전류 Hole 에 대해서도 전자와 똑같이 설명할 수 있음

8 태양전지  빛을 p-n 접합 근처에 비추면 접합부에서 electron-hole pair 가 생김  전자는 conduction band 로 올라가고 hole 이 valence band 에 형성됨  전자는 n-region 으로, hole 은 p-region 으로 이동  n-region 에서 새로 생긴 자유전자들은 외부회로를 통하여 p-region 으로 이동 하며 전류를 형성 반도체의 두께 는 1μm 정도