Download presentation
Presentation is loading. Please wait.
1
전 자 공 학 교재 : 그림으로 배우는 전자회로(신윤기)
전 자 공 학 교재 : 그림으로 배우는 전자회로(신윤기) 강원대학교 삼척캠퍼스 공학대학 전기공학과
2
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
3
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
4
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
5
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
6
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
7
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
8
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
9
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
10
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
11
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 JFET ⇒ pn 접합을 이용해 전류제어 MOSFET(IGFET) ⇒ 채널로부터 절연되어 있는
gate를 이용해 전류 제어 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
12
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 JFET의 RDS ⇒ 채널의 폭과 길이에 의해 가변 D-MOSFET의 RDS
증가형 동작 JFET의 RDS ⇒ 채널의 폭과 길이에 의해 가변 D-MOSFET의 RDS ⇒ 채널의 폭과 길이뿐 아니라 채널 carrier의 농도에 의해서도 가변 공핍형 동작 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
13
D-MOSFET의 drain 특성곡선은 JFET와 동일
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
14
JFET는 VGS<0에서만 동작 D-MOSFET에서는 공핍형, 증가형 모두 동작 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
15
D-MOSFET ⇒ 제조 시 채널 형성 E-MOSFET ⇒ 제조 시 채널이 없음 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
16
채널 형성을 위해 VGS>0 채널이 형성된 후에는 D-MOSFET와 같은 형태 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
17
E-MOSFET는 일단 채널이 형성되면 D-MOSFET와 같은 구조와 동작을 가짐 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
18
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
19
CMOS의 특징 높은 입력 저항 빠른 스위칭 속도 낮은 동작 전압 저전력 소모 인버터 기능 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
20
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 FET도 교류를 왜곡없이 증폭하기 위해 직류 바이어스 필요 gm : 전달 컨덕턴스
참고) 예제 3-1) 그림 3.22(a) 회로에서 IDSS=10mA, VGS(off)=-8V, VGG=2V, VDD=20V, RD=2kΩ (a) 동작점 : VGSQ, IDQ, VDSQ (b) 전압이득 : Av 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
21
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
22
J-FET D-MOSFET E-MOSFET 음수, 양수일 경우 고려 2 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
23
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
24
예제 3-1) 그림 3.22(a) 회로에서 IDSS=10mA, VGS(off)=-8V, VGG=2V, VDD=20V, RD=2kΩ (a) 동작점 sol) (b) 전압이득 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
25
게이트 바이어스 온도에 따라 전달특성이 심하게 변함 전달특성에 따라 Q점의 변동이 심함 IDQ가 큰 폭으로 변함
MOSFET도 같은 현상 발생 가장 열악한 바이어스 방법 2가지의 전원 요구 -8V 16mA 최댓값 -2V 4mA 최솟값 VGS(off) IDSS 표 3.1 JFET 2N5459의 특성 변화 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
26
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 자기 바이어스 소스 저항 RS를 사용하여 자체적으로 G-S간의 bias 전압 공급
GSQ 자기 바이어스 소스 저항 RS를 사용하여 자체적으로 G-S간의 bias 전압 공급 단일 전원으로 구성 RS가 클수록 Q점이 더욱 안정 VGSQ<0 이므로 E-MOSFET에서는 사용 불가 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
27
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 전압 분배 바이어스 vGS=VGG>0 에서 x축과 교차
자기 바이어스에 비해 전달 특성의 변동으로부터 동작점을 더 안정되게 보호할 수 있음 단일 전원으로 구성 모든 FET에 사용 가장 대표적인 바이어스 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
28
전압 분배 바이어스는 자기 바이어스에 비해 동일한 동작점을 얻는데 있어 저항 RS를 더 크게 할 수 있음
VGG를 크게 할수록 IDQ는 더욱 안정 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
29
궤환 바이어스 E-MOSFET에 주로 사용 게이트 전류가 흐르지 않으므로 항상 VGSQ=VDSQ>0 을 만족(∵IG=0)
J-FET에는 사용 불가 IDQ<VDD/RD를 만족하여야 함 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
30
전류원 바이어스 VGS 전압과 무관하게 드레인 전류를 공급할 수 있다면 고정된 동작점을 얻을 수 있음
RE 전류원 바이어스 VGS 전압과 무관하게 드레인 전류를 공급할 수 있다면 고정된 동작점을 얻을 수 있음 +VDD와 –VEE로 구동하는 바이어스 회로 전류원 바이어스는 IDQ가 고정, VGSQ 변동 게이트 바이어스와 반대 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
Similar presentations
