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Lect;27 PIN PD(photo diode)
반도체 내부의 field by pn junction E-Field - - + p n hole + - diffusion electron I=0 (photon이 없을때) I>0(photon이 들어 갔을때) p n Energy band diagram Depletion 영역( built-in field 존재) p Built-in potential n
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I V p n v + - Built-in potential 감소 방향의 current 발생 방향의 current 발생(크기는 작음)
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e,h Photon에 의한 추가적 I 생성 p n depletion v (p;넣어준 빛의 power) I 빛은 depletion영역에만 넣어줌(field가 depletion영역에 존재하므로) 단점; 효율은 좋지 않음 즉, gain이 없음 장점; 속도가 좋음 역 bias로는 depeletion영역이 충분히 커지지 않음 따라서, current를 키워주기 위해 PIN구조 사용 I; depletion영역 증가 I p N I를 키웠을 때- 장점; 빛을 흡수하는 영역이 커짐, 효율이 커짐 단점; 속도가 떨어짐
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첫번째 반도체는 bandgap이 photon의 bandgap
보다 커야 함 빛이 통과 후 I부분과 충돌해야 하므로
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실제 PIN PD
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