IT R&D Global Leader 10G EML Triplexer 플랫폼 기술 ETRI

Presentation on theme: "IT R&D Global Leader 10G EML Triplexer 플랫폼 기술 ETRI"— Presentation transcript:

1 이종진 (jongjin@etri.re.kr)
IT R&D Global Leader 10G EML Triplexer 플랫폼 기술 ETRI Technology Marketing Strategy 이종진 광융합기술연구팀 호남권연구센터 ETRI OOO연구소(단, 본부)명

2 목 차 ---------------------------------------------- 1. 기술의 개요
목 차 1. 기술의 개요 2. 기술이전 내용 및 범위 3. 경쟁기술과 비교 4. 기술의 사업성 5. 국내외 시장 동향 호남권연구센터

3 1. 기술의 개요(1) 기술개념 및 주요내용 기술개념
10Gbps EML Triplexer 플랫폼은 1.25Gbps와 10Gbps ethernet 수동 광가입자 망(PON)을 동시에 수용하는 OLT의 광송수신을 담당하는 핵심 부품임 10G-EPON의 OLT(Optical Line Terminal)용으로 개발 됨 광송신부는 10Gbps EML 소자가 탑재된 EML TOSA와 1.25Gbps DFB LD가 실장된 DFB TOSA로 구성 광수신부는 10Gbps APD 소자가 탑재 되어 1.25Gbps 및 10Gbps 광수신이 가능 호남권연구센터

4 1. 기술의 개요(1) 기술개념 및 주요내용 기술개발 주요 내용 기술 세부 내용
10G EML Triplexer 플랫폼 구조 개발 10G EML Triplexer 플랫폼 패키징기술 개발 응용분야 10G EPON OLT용 양방향 광송수신 모듈 개발에 활용 호남권연구센터

5 1. 기술의 개요(2) 기술개념 및 주요내용 10G-EPON용 EML Triplexer 제작기술
10G EML Triplexer용 3-window 패키지 구조 설계기술 SiOB 플랫폼 표면 실장 기술 및 수동 광정렬기술 양방향 3파장 광학구조 설계 및 제작기술 Receptacle connector 적용 광정렬 구조설계 및 레이저웰딩 공정기술 10Gbps EML Triplexer 플랫폼 제작된 10G EML Triplexer 플랫폼 호남권연구센터

6 2. 기술이전 내용 및 범위 기술이전 내용 10G EML Triplexer 플랫폼 기술
10G EML Triplexer용 3-window 패키지 구조 설계기술 양방향 3파장 광학구조 설계 및 제작기술 SiOB 플랫폼 제작기술 FPCB 설계 및 제작기술 Receptacle connector 적용 광정렬 구조 설계 및 레이저웰딩 공정기술 SiOB 플랫폼 표면 실장 기술 및 수동 광정렬기술 광학/전기/열적 특성평가기술 호남권연구센터

7 2. 기술이전 내용 및 범위 기술이전 범위 10G EML Triplexer 플랫폼 설계기술
10G EML Triplexer 플랫폼용 3-window 패키지 구조 설계기술 양방향 3파장 광학구조 설계 및 제작기술 TEC 최적화 설계기술 SiOB 플랫폼 제작기술 FPCB 설계 및 제작기술 10G EML Triplexer 플랫폼 패키징기술 SiOB 플랫폼 표면 실장기술 및 수동 광정렬기술 Receptacle connector 적용 3파장 광정렬 구조 설계 및 레이저웰딩기술 광학/전기/열적 특성 평가기술 호남권연구센터

8 3. 경쟁기술과 비교 국내외 경쟁 현황 기술 현황 및 전망 구분 기술 현황 기술 전망 국내
10G AML chip 개발 (삼성전자, 2006) . 그러나 안정된 상용화 Chip 국내 생산 전무 10G PON용 BOSA 개발 진행 중 . 빛과전자가 OFC 2010에 기존 TO-can 조립 형태에 따른 10G EML TOSA와 10G ROSA의 결합된 형태 전시 2012~13년 기술 상용화 예상에 따라 국내 주요 광통신 부품 회사 2008년 부터 기술개발 진행 중 핵심 부품인 10G EML chip과 10G Burst mode TIA는 해외 수급에 의존할 전망 국외 Sumitomo 10G EML BOSA Prototype 개발 . OFC 2010에서 TO-Can 기반 EML TOSA 기술 소개(1550nm EML chip 적용) -Mitsubishi, 3SP photonics, Emcore 등이 1577nm 5dBm 이상 고출력 TOSA 기술 개발 중 주요 장비업체를 중심으로 2010년 말 10G(E)PON 시스템 개발 완료 예정 핵심 부품인 10G EML chip과 10G Burst mode TIA는 2011년에 상용품 수급이 가능할 것으로 전망 호남권연구센터

9 3. 경쟁기술과 비교 기술 경쟁력 기술의 우수성 기술의 성능 지표 대비 결과
별도 기계 구조물 제작공정의 생략을 통한 제작공정의 단순화 진동, 충격 등 외부 환경에 대한 자유단을 감소시킴으로써 신뢰성 향상 열전소자의 발열을 효과적으로 방출하여 열적 안정성 향상 기존의 패키징 기술을 기반으로 별도의 공정 개발이 불필요 기술의 성능 지표 대비 결과 성능지표 단위 본 기술의 결과 EML LD Power dBm >4 50mA) Extinction ratio dB >6 DFB LD power >4 TEC 작동 가능온도 C -5 ~ 75 (TEC 소비전력 <0.6W) 광송신/수신 파장 nm 1577 /1490/1270 수신부 Sensitivity 호남권연구센터

10 4. 기술의 사업성(1) 제품/서비스의 예상 수요자 예상 응용 제품 및 서비스 예상 제품/서비스 예상 수요자(층)
PON용 양방향 광송수신 모듈 - 국내외 광트랜시버 및 광통신시스템 산업체 Datacom 및 Telecom용 양방향 광송수신 모듈 호남권연구센터

11 4. 기술의 사업성[2] 기술의 시장성 예상 제품 및 서비스의 속성 예상 제품 /서비스 예상단가 (천원) 이전기술의 비중(%)
잠재적/현재적 경쟁자와 가격, 시장 등에서 경쟁상 유리한 점 판매 가능 시기 10Gbps EML Triplexer 모듈 320 70 % ○ 가격경쟁력면 : 기존의 양방향 광송수신 모듈구조 대비 구조 및 공정단순화로 제조 가격 경쟁력 유리 ○ 시장환경면: ETRI에서 개발중인 10Gbps급 PON 시스템에 적용 및 검증이 가능하여 시스템과 동반한 시장진출이 가능 ○ 본 이전기술은 기존의 패키징 기술을 기반으로 별도의 공정 개발 없이 상용화 가능함 2012년 호남권연구센터

12 4. 기술의 사업성[3] 기술의 시장성 관련 제품/서비스의 국내외 시장규모 관련 제품/서비스의 국내외 시장점유율
(단위 : 백만불, 억원) 관련 제품 /서비스 시장 1차년도 (2011년) 2차년도 (2012년) 3차년도 (2013년) 4차년도 (2014년) 5차년도 (2015년) 양방향 광트랜시버 해외 - 399 503.5 617.5 730 국내 21 26.5 32.5 39 (단위 : %) 관련 제품 /서비스 시장 1차년도 (2011년) 2차년도 (2012년) 3차년도 (2013년) 4차년도 (2014년) 5차년도 (2015년) 양방향 광트랜시버 해외 - 2 4 6 8 국내 20 30 40 50 ※출처 : Fuji chimera(2006) 자료(연평균 증가율을 약 20%로 추정) 호남권연구센터

13 4. 기술의 사업성[4] 기술이전업체 조건 기술능력 기술인력 필요장비 광부품 관련 업체로 설립 2년 이상 경과한 기업
광부품 연구개발 및 상용화 경험이 있고 판매 제품이 있는 기업 광부품 제작 관련 설비와 인력 보유 기업 기술인력 종업원 5인 이상 연매출 5억 이상의 기업으로 본 기술 이전 후 제품 상용화를 위한 투자와 기술개발이 가능한 기업 필요장비 Laser Welder UV 경화기 광파워미터, Lightwave component analyzer 등 호남권연구센터

14 4. 기술의 사업성[5] 사업화 방안 국제공인시험을 통한 시장 진입 시도 기타 국내 등 개발 제품 사용가능 분야 발굴 필요
국제공인시험성적서 발급 해외 판매(온라인) 사이트를 통한 초기 제품 판매 필요 개발단가 산정을 통한 생산성 향상 기술 발굴 기타 국내 등 개발 제품 사용가능 분야 발굴 필요 사업화를 위한 양산 기술 개발 기술이전을 통한 양산 기술 조기 도입 필요 사업화본부/호남권연구센터

15 10G Cooled EML BOSA 기술동향 5. 국내외 시장 동향[1] 국내외 기술 현황
- 10G AML chip 개발 (삼성전자, 2006) . 상용화 Chip 국내 생산 전무함 - 10G PON용 EML BOSA 개발 진행 중 . 기존의 BOSA 구조에 10G EML TOSA와 10G ROSA의 결합된 형태로 개발 중 국외 - Sumitomo 10G EML BOSA Prototype 개발 . ECOC 2010에서 TO-Can 기반 EML BOSA 기술 소개 -Mitsubishi, 3SP photonics, Emcore 등이 1577nm 5dBm 이상 고출력 TOSA 기술 개발 중 호남권연구센터

16 적용 제품/서비스 시장 5. 국내외 시장 동향[2] 적용 제품/ 서비스 시장 적용 제품/서비스 국내외 시장규모 및 목표 시장
광트랜시버(1G~40G)는 2007년 $2,302M에서 2012년 $5,200M 이상으로 성장 전망됨 ※출처 : Fuji chimera 시장 전망 자료, (2008년) 기존시장 틈새시장 신규시장  [ 세계 광트랜시버 시장 전망 ] 호남권연구센터

17 감사합니다. ♣ 연락처 : 호남권연구센터, 이종진 선임연구원(062-970-6622, (jongjin@etri.re.kr)
♣ 연락처 : 호남권연구센터, 이종진 선임연구원( , ETRI OOO연구소(단, 본부)명