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실험 13. MOSFET 소스 공통 증폭기 1 조 방 기 영
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1. 실험 목적 MOSFET의 드레인(drain) 특성을 실험적으로 결정한다. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
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2. MOSFET
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3. MOSFET의 동작 영역 (1)
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4. MOSFET의 동작 영역 (2) 트라이오드 영역에서의 동작 포화 영역에서의 동작
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5. 인핸스먼트형 MOSFET 드레인과 소스 사이에 채널이 없음
게이트가 기판에 접속된 소스에 대해 正이면 커패시터가 충전되어 채널이 형성되기 때문에 소스-드레인 회로에 전류가 흐른다. 고임피던스 트렌지스터
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6. 디플리션형 MOSFET 인핸스먼트형 MOSFETM과 달리 N형 채널을 가지고 있다.
게이트 전압이 양일때 -> 인헨스먼트 모드 게이트 전압이 0일때 -> 드레인 전류가 흐름 (normally ON) 게이트 전압이 음일때 -> VGS가 작아질수록 드레인 전류는 감소한다.
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7. JFET 분압기 바이어스
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8. 자기 바이어스
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9. MOSFET 소스 공통 증폭기 회로와 동작 게이트 1, 2는 입력 신호를 받음 증폭기는 자기 바이어스로 동작
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11. 실험 과정 드레인 특성 ☞ VGG가 각각 -0.8V, +0.8에 대해 VDS와 VGS를 조작하면서 ID를 측정한다.
소스 공통 증폭기 ☞ VDD가 15V일때 1KHz의 정현파를 발생시켜서 최대 출력 신호를 구하고 Vout, Vin, VGS, VDS를 측정한다.
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12. 실험 결과 예측 드레인 특성 다음과 유사한 형태의 드레인 특성 곡선이 나올 것이라 예상한다.
드레인 특성 다음과 유사한 형태의 드레인 특성 곡선이 나올 것이라 예상한다. 소스 공통 증폭기 실제 증폭가능 한 정도를 측정해야 하기 때문에 직접 실험을 해 보지 않고는 예측이 어렵다.
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