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RF 능등소자의 모델링
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1. 목적 2. 실제 모델링 1) 다이오드 : 비선형, 선형 2) 트랜지스터 - 대신호 (BJT, FET) - 소신호 (BJT, FET) 3) 능동소자 - 쌍극형 TR 특성 (DC, AC) - FET( 전계효과트랜지스터 ) 측정 4) 산란 파라미터 소자
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RF 능등소자의 모델링 1. 목적
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RF 능등소자의 모델링 2. 실제 모델링 1) 다이오드 : 비선형 - 방출계수 (emission coefficient) n 은 모델을 실제 측정한 값과 일치하기 위하여 추가한 파라미터. 통상 계수의 값은 1 에 가까움. - 두개의 캐패시턴스 C 로 결합. 공간전하 Q 를 고려하여 인가전압으 로 미분
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RF 능등소자의 모델링 2. 실제 모델링 1) 다이오드 : 비선형
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RF 능등소자의 모델링 2. 실제 모델링 1) 다이오드 : 선형
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RF 능등소자의 모델링 2. 실제 모델링 2) 트랜지스터 모델링 : - 대신호 (BJT)
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RF 능등소자의 모델링 2. 실제 모델링 2) 트랜지스터 모델링 : - 대신호 (BJT)
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RF 능등소자의 모델링 2. 실제 모델링 2) 트랜지스터 모델링 : 대신호 (BJT)
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RF 능등소자의 모델링 2. 실제 모델링 2) 트랜지스터 모델링 : 소신호 (BJT)
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