안녕하십니까? 지금부터 저희 회사에 대해 설명 드리도록 하겠습니다..

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안녕하십니까? 지금부터 저희 회사에 대해 설명 드리도록 하겠습니다.

CONTENTS Corporate Identity 성장하는 모바일 메모리 산업 Business Overview 주요경영성과 및 전망 투자포인트 Appendix 설명 드리는 순서는 1. 회사의 identity에 대한 간략한 설명과 2. 모바일 산업에 대한 설명 3. 그리고 저희 EMLSI의 제품과 비즈니스 4. 주요경영성과와 전망 5. 그리고 마지막으로 투자포인트에 대해서 말씀 드리겠습니다.

Chapter 1 Corporate Identity IR Presentation EMLSI의 Corporate Identity 먼저 우리 회사가 영위하는 비즈니스의 특징과 차별성에 대하여 말씀 드리겠습니다. EMLSI의 Corporate Identity 코스닥 최초의 메모리 Fabless 전문기업 세계적인 특화 메모리 전문기업으로 도약

EMLSI의 Corporate Identity Fabless 특화 메모리 반도체 전문기업 사업영역 고정비 투자위험 회피 시장환경 탄력 대응 선진국형 기술집약적 산업 멀티 Fab 확보-안정적 양산체제 시장의 연속성, 지속성 적용분야 다양 공정기술 및 양산 노하우 중요 업황 기복이 덜 함 고정고객 확보 틈새시장 개척 고객사와 긴밀한 파트너쉽 타 부문 대비 성장성 월등 지속적 수요창출 저전력 특성 중요 Fabless 메모리 특화메모리 Mobile 비메모리 Fab 범용메모리 Non-Mobile 저희 회사의 identity는 크게 네 가지 범주로 나누어 설명드릴 수 있습니다 먼저, 저희 회사는 Fabless 기업 입니다. (  화면에 있는 특징을 간략하게 설명) 그리고 저희가 만드는 제품은 메모리 입니다. (  화면에 기술된 특징을 간략히 설명) 다음으로 저희 제품은 특화메모리 입니다. (  화면에 기술된 특징을 간략히 설명, 특히 노키아 등 고정고객 강조) 마지막으로 저희 제품의 적용분야는 모바일 입니다. ( 화면에 기술된 특징을 간략히 설명, 특히 저전력 특성 강조) 이상과 같이 저희 회사의 특징은 1. Fabless 2.메모리 3.특화메모리 4.모바일, 네 가지로 요약할 수 있습니다

국내 코스닥등록 비메모리 Fabless 기업 EMLSI는 모바일용 저전력 Memory 기업으로 Logic 반도체 기업과 차별화된 특성 보유 메모리 안정적 지속적 성장구조 Low Power 메모리 설계기술 및 팹 선정/ 관리능력 요구 메모리 기술 트랜드에 따라 변화 다양한 제품에 적용가능 소품종 다량생산 상대적으로 긴 제품수명주기 코스닥 최초의 메모리 Fabless 기업 저전력 SRAM, PSRAM, Sync.DRAM 국내 코스닥등록 비메모리 Fabless 기업 비메모리 단기간에 걸친 급격한 시장확대 가능 Logic 설계기술 및 노하우 요구 각종 IT 기종에 따라 변화 단일 혹은 일정 모델에 대한 적용만 가능 다품종 소량생산 라이프 사이클이 상대적으로 짧음 휴대폰 화상컨트롤 칩, 디지털 오디오 칩 등 VS 주요제품 핵심기술 제품수명주기 시장구조 성장구조 응용범위 저희 회사는 코스닥 최초의 메모리 Fabless 기업입니다 간혹 저희 회사가 기존에 코스닥에 등록돼 있는 비메모리 Fabless 기업들과 같은 범주에서 비교가 되기도 하는데, 저희는 비메모리 Fabless와는 분명히 다른 성격의 비즈니스를 영위하고 있습니다. 저희 회사가 영위하는 저전력 메모리 비즈니스에 대한 이해를 돕기 위하여 비메모리 Fabless와 차이점에 대해서 말씀 드리겠습니다. (화면에 기술된 주요 차이점에 대하여 간략히 설명) 이렇듯 저희 EMLSI는 저전력 메모리 기업으로서 비메모리 Fabless 기업과는 차별화된 특성을 가지고 있습니다.

세계적인 특화 메모리 전문기업으로 도약 도입기 성장기 도약기 메모리 시장환경 EMLSI의 경영전략 SRAM PSRAM 국내 : 시장의 활성화 국외 : 대형 고객사 수요증가 국내 : 중소형 수요시장 발생 국외 : 수요확대에 따른 사양변화 국내 : 자체수요 조달시장 국외 : 수요는 존재, 진입이 어려움 EMLSI의 경영전략 대형 거래선 진입 및 확보전략 세계수준의 품질경쟁력 확보 대량 양산 관리 시스템 구축 해외 우량 거래선 개척 지속적인 차기 성장 제품의 개발 국내외 마케팅역량 강화 SRAM PSRAM Sync. DRAM 응용범위확대 Special Interfaced RAM 모바일 2001 2002 2003 2004(E) 2005(E) 경영성과 매출액 영업이익 단위 : 억원 31 149 696 830 129 2 190 1500 345 앞서 말씀 드린 바와 같이 저희 EMLSI는 저전력 특성의 메모리 전문기업으로서, 메모리 시장환경의 변화에 부합하는 경영전략과 제품개발로 계속적인 성장을 이루어 왔습니다. 그리고 향후에는 모바일을 뛰어 넘어 응용범위가 더 확대된 제품 개발로 계속적인 성장을 이루어 나갈 전략입니다.

Chapter 2 성장하는 모바일 메모리산업 IR Presentation 모바일 Trend에 따른 메모리 솔루션의 변화 이상 저희 회사의 identity에 대해 설명 드렸습니다. 다음은 저희 회사의 비즈니스에 대해 본격적으로 설명하기에 앞서 모바일 메모리 산업에 대해서 간략한, 개괄적인 설명 드리겠습니다. 모바일 Trend에 따른 메모리 솔루션의 변화 모바일 진화에 따른 메모리 사용량의 증가 모바일 메모리 시장의 성장성

모바일 Trend에 따른 메모리 솔루션의 변화 SRAM PSRAM Sync. DRAM 제품 Low Cost High Performance High Density High Speed 모바일 기술 트렌드 Low Power Consumption Low Standby Current Multi-Function Talk-only 휴대폰 기능진화 이 화면은 모바일 기술동향에 따른 메모리 솔루션의 변화를 보여주는 화면입니다. ( 휴대폰 기능진화  모바일 기술 trend의 변화  메모리 솔루션 변화  SRAM PSRAM SDRAM이 적용되는 관계를 간략히 설명) 메모리 솔루션 Architecture LP SRAM NOR PSRAM NAND Sync. DRAM

모바일 진화에 따른 메모리 사용량의 증가 휴대폰 어플리케이션의 다양화 어플리케이션 다양화에 따라 메모리 요구량의 증가 출처: Wireless System Design (2004.4) 어플리케이션 다양화에 따라 메모리 요구량의 증가 Installed Memory Capacity (RAM+Flash) ‘95 ‘94 ‘97 ‘96 ‘99 ‘98 ‘00 ‘01 ‘02 ‘03 ‘04 ‘05 ‘06 Music Vis.com. Camera/ Movie/ Java app. Java App. Browsing Mail 80M+288M 144M+512M 48M+128M 24M+80M 12M+32M 휴대폰에 카메라나 MP3같은 다양한 어플리케이션이 장착되면서 메모리 솔루션이 점점 복잡해 지고, 요구되는 메모리 용량도 점점 더 커지고 있습니다. 그림에서 보시듯이 휴대폰 어플리케이션이 디지털 카메라, MP3 Player, 캠코더, 모바일 게임 등으로 다양화 돼가고, 이런 어플리케이션의 기능 구현을 위한 메모리 요구량은 계속 증가하고 있습니다. 휴대폰 어플리케이션 다양화와 모바일 기기의 확산에 따라 필요 메모리 Capacity가 빠른 속도로 증대 모바일 기기에 적용되는 메모리는 저전력 특성이 중요

휴대폰으로 대표되는 모바일 기기의 성능향상과 고부가가치화로 관련 반도체 수요 지속적 증가 모바일 메모리 시장의 성장성 휴대폰으로 대표되는 모바일 기기의 성능향상과 고부가가치화로 관련 반도체 수요 지속적 증가 2008년에는 휴대폰이 PC보다 더 큰 메모리 수요처 출처: Gartner (2004.4) PC 휴대폰 (단위: %) PC와 휴대폰의 메모리 수요 비중 87.6 48.5 51.5 12.4 2003 2008 (단위: 억 US$) 세계 모바일용 반도체 시장전망 출처: Gartner (2004.4) 474 425 394 378 309 227 2003 2004 2005 2006 2007 2008 참고로, 한 시장조사기관의 자료에 의하면 2008년에는 PC 보다 휴대폰이 더 큰 메모리 수요처가 될 것으로 전망하고 있고 모바일용 반도체 시장규모는 474억불에 이를 것으로 전망하고 있습니다

Chapter 3 Business Overview IR Presentation EMLSI 제품 Line-Up 모바일 저전력 메모리 - Today 차세대 특화 메모리 – Tomorrow EMLSI의 메모리 생산공정

EMLSI의 Low Power Technology Products EMLSI 제품 Line-Up EMLSI의 Low Power Technology Products 모바일 메모리 2M (0.15um) 현재시점 4M (0.25um) 2M, 4M (0.18um) 1M 8M 16M (0.17um] (0.13um) 32M 64M 적용범위 확대 2000년 128M (0.11um) Special Interfaced RAMs Low Power SRAM (Static RAM) Low Power PSRAM (Pseudo SRAM) Low Power Sync. DRAM 모바일 + 디지탈복합기기 저희 회사의 저전력 메모리 제품들을 보고 계십니다. 저희 제품의 특징은 모바일에 적용되는 특화메모리로서, 일반 메모리와 달리 작동전압과 대기전류 소모가 작다는 것입니다. 현재 SRAM과 PSRAM은 노키아와 같은 휴대폰제조업체와 Intel, ST Micro, AMD, Sharp와 같은 플래시메모리 제조업체에 공급되고 있습니다. 그리고 Sync.DRAM은 개발이 거의 완료단계에 와있고 내년 상반기부터 본격적인 매출발생을 예상하고 있습니다. 중장기적으로는 저희의 Products line-up을 Special interfaced RAMs 까지 확대하여 모바일은 물론 디지털 복합기기까지, 제품의 적용분야를 확대할 계획 입니다. 다음 장에서 각 제품에 대해 보다 자세한 설명을 드리겠습니다.

모바일 저전력 메모리 - Today LP SRAM Package (1,2,4,8M) Low Power Consumption DRAM과 달리 Refresh가 필요 없는 저전력 메모리제품 Low Power Consumption Low Standby Current LP PSRAM Wafer (16, 32M) SRAM과 같은 동작의 저렴한 대용량의 메모리제품 Low Cost High Density 먼저 저전력 SRAM에 대해서 설명 드리겠습니다. ( 화면설명) 다음 저전력 PSRAM은 ~~~(화면설명)

차세대 특화 메모리 – Tomorrow LP Sync. DRAM & Special Interfaced RAMs PDA, 휴대폰과 같은 저전력을 요구하는 다양한 모바일 응용제품에 가장 적합한 대용량 특화 메모리 LP Sync. DRAM & Special Interfaced RAMs High Density High Performance Special Interface 현재 개발이 진행중인 저전력 Sync.DRAM과 Special interfaced RAMs에 대해 설명 드리겠습니다. (화면설명  특징과 적용분야) (추가  현재까지 개발진행 상황과 매출시기 및 목표시장에 대한 간략한 설명)

EMLSI의 메모리 생산공정 양질의 제품생산 및 수율 향상을 위한 특화된 공정설계 및 Test 솔루션 확보 제품 및 공정설계 Front-End 출 하 파운드리의 특성과 제품 특성에 맞는 공정솔루션 제시 process 공동 개발 사양확정 제품기획 제품설계 레이아웃 마스크제작 적기 납품 기술 지원 고객 마케팅 공정설계부문 전문인력확보 제품 및 공정설계 병행 공정 최적화 (fine tuning) Net die 확보(가격경쟁력 상승) 최적 공정개발을 통해 공기단축 비용절감, 성능개선, 수율 향상 웨이퍼 가공기술 파운드리 위탁양산 (웨이퍼가공) Back-End 조립 및 검사 위탁가공 Test 솔루션 저희 저전력 메모리 제품의 생산공정을 보여드리고 있습니다. 이미 잘 아시겠지만, 제품이 설계되고, 전공정, 후공정을 거쳐서 메모리 제품이 최종 출하됩니다. 그런데 다른 Fabless와는 다른 저희 회사만의 차별성은 제품 설계 시에~~~~~~( 화면설명: 파운드리와 함께 공정개발  수율확보 및 제품경쟁력 확보) 또한 저희 회사는 후공정 기술이 강합니다. 테스트 솔루션을 자체 보유하고 있어서 ~~~~~ ( 조립 및 검사공정 컨트롤 능력에 대한 설명) 다시 말씀 드리면 저희는 웨이퍼 가공이나 검사를 일괄적으로 위탁하지 않고, 자체적인 솔루션을 보유하고 있어서 메모리 생산의 전체 공정을 컨트롤 할 수 있는 역량을 가지고 있는 회사입니다. 수탁생산 및 가공업체에 대한 정기 또는 비정기적 감사 일별, 주별, 월별, 분기별 보고를 통해 철저한 품질관리 QA

Chapter 4 주요경영성과 및 전망 IR Presentation 성장성 수익성 안정성 업계 최고수준의 부가가치 시현 지금까지 저희 회사가 속한 산업, 회사의 차별성, 제품의 경쟁력에 대해서 말씀 드렸습니다. 그렇다면 이러한 요소들이 어떠한 성과로 실현 되었나 간략히 말씀 드리겠습니다. 성장성 수익성 안정성 업계 최고수준의 부가가치 시현

성장성 지속적 신제품개발에 의한 고성장전략 ’01~’04 CAGR 202% 저전력 SRAM의 성공에 이어 PSRAM 매출증가 본격화 향후 저전력 Sync.DRAM 매출 개시로 성장 모멘텀 가속화 기타 SDRAM PSRAM SRAM 2001 2002 2003 2004(E) 2005(E) 단위: 억원 1500 31 149 696 830 111 627 540 250 200 1,000 14 150 17 37 68 90 100 ’01~’04 CAGR 202% 저희는 노키아에 SRAM 공급을 시작하면서 본격적으로 성장하기 시작했습니다 ~~~ (노키아 품질승인의 의미에 대해 간략히 언급) 노키아를 고정 고객사로 확보한 이후부터 계속적인 고성장을 해왔고, 작년 하반기부터 PSRAM 매출이 본격화 되기 시작해서 내년에는 1000억원의 매출을 목표로 하고 있습니다 (근거 간략히 언급) 그리고 현재 개발 완료단계에 있는 Sync.DRAM은 내년 상반기에 매출이 시작될 예정이고 PSRAM 다음의 차세대 주력제품이 될 것으로 기대하고 있습니다 (SDRAM의 목표시장에 대해 간단히 언급) 결론적으로 말씀 드리면, 저희 회사는 고객사가 필요로 하는 제품을 지속적으로 개발하여 앞으로도 계속적으로 성장해 나갈 수 있는 회사입니다.

지속적 고부가가치 메모리 개발로 높은 이익률 지속 수익성 2005년 영업이익 345억원 , EPS 4,313원 전망 지속적 고부가가치 메모리 개발로 높은 이익률 지속 영업이익 단위: 억원 2002 2003 2004(E) 2005(E) 2 129 190 345 23% 22.9% 18.5% 1.1% 영업이익률 단위: 원 2002 2003 2004(E) 2005(E) 주당순이익 2,004 2,829 4,313 91 액면가 500원 기준 보시는 바와 같이 저희 회사의 영업이익률은 20%를 상회하는 수준입니다. 고부가가치 제품 개발로 수익성이 꾸준히 향상되고 있습니다. 올해부터는 회사를 제주도로 이전하여 법인세를 전액 면제받을 예정입니다. 법인세 면제로 영업이익이 그대로 순이익으로 반영돼 올해 주당순이익은 4,313원으로 계획하고 있습니다.

안정성 “차입금 제로” 우량한 재무구조 유지 설립 이후 무차입 경영으로 장단기 차입금 0원 공모자금 유입으로 향후 재무안정성 극대화 2002 2003 2005(E) 2004(E) 단위: % 73.3 62.6 25.0 38.2 부채비율 218.0 258.8 357.9 396.0 유동비율 보시는 바와 같이 저희 회사는 매우 안정적인 재무구조를 가지고 있습니다. 앞으로도 안정적인 자금운용과 관리로 재무구조를 더욱 건실하게 만들어 갈 것입니다.

업계 최고수준의 부가가치 시현 효율적인 조직운영으로 고부가가치 지속 유지 일인당 매출액 일인당 당기순이익 2003 단위: 억원 2003 2004(E) 일인당 매출액 단위: 억원 2003 2004(E) 일인당 당기순이익 31.6 29.1 4.9 5.8 저희 EMLSI는 효율적 조직운영으로 큰 부가가치를 만들어 가고 있습니다. 보시는 바와 같이 일인당 매출액과 순이익 수준은 업계 최고의 수준입니다.

Chapter 5 투자포인트 IR Presentation Investment Summary 이상 저희 EMLSI의 재무적인 성과에 대해 설명해 드렸습니다. 다음은 마지막으로 저희 EMLSI의 투자포인트에 대해서 말씀 드리겠습니다 Investment Summary 초우량 Global Customers 공정설계기술과 안정적 Fab 파운드리 EMLSI 사업의 높은 진입장벽 우수한 R&D 인프라 고수익과 고성장 지속

1 5 2 4 3 Investment Summary 초우량 고객 고수익&고성장 안정적 Fab 확보 R&D 인프라 높은 진입장벽 저희 회사의 투자 포인트는 크게 다섯 가지로 요약할 수 있습니다 첫째, 초 우량 고객 둘째, 안정적 Fab 확보 셋째, 높은 진입장벽 넷째, R&D 인프라 다섯째, 고수익과 고성장 실현 각 항목에 대하여 설명 드리겠습니다 R&D 인프라 4 높은 진입장벽 3

세계 제1의 휴대폰 세트업체와 메이저 플래시메모리 제조업체를 고정고객으로 확보 1. 초우량 Global Customers 세계 제1의 휴대폰 세트업체와 메이저 플래시메모리 제조업체를 고정고객으로 확보 세계 유수의 휴대폰 업체의 기술협력 파트너 메이저 Flash Memory 제조업체 모바일 멀티미디어 칩 제조업체 먼저 저희 EMLSI의 고객사에 대해서 말씀 드리겠습니다. (노키아 인텔 AMD 등과의 관계에 대해 설명 – 우리회사와 관계가 얼마나 안정적인가?) 저희 회사는 이런 안정적인 초우량 고객 기반을 가지고 있는 회사입니다. 고정고객 없이 경쟁하는 다른 Fabless 업체에 비해, 저희 EMLSI는 저전력 메모리 시장에서 계속적으로 성장할 수 있는 기반을 가지고 있습니다 EMLSI SRAM EMLSI SRAM PSRAM Sync.DRAM

2. 공정설계기술과 안정적 Fab 파운드리 제품설계 공정설계 Fab 컨트롤 Back-End 컨트롤 제품 신뢰성 향상 경쟁사 대비 원가경쟁력 Fab 파운드리와의 파트너쉽 강화 양산 Process Set-up 기간 단축 적정수율 조기확보 위탁가공생산에 최적화된 공정설계기술을 보유하여 타 Fabless 대비 비교우위 경쟁력 확보 현재 Time frame Technology NTC 멀티 Fab 체제 구축 및 복수 생산시설에 대한 호환공정 확보로 안정적 제품 양산체제 동부 아남 0.14um, Mux PSRAM, SDRAM GSMC WINBOND 0.18 um, 저전력 SRAM, 1,2,4,8M 0.15um, 저전력 SRAM 2,4,8M 0.175um, 16M Mux PSRAM 0.13um, 16M, 32M Mux PSRAM 128M LP SDRAM 둘째, 이전에 잠시 언급 했듯이 저희 EMLSI는 공정설계기술을 보유하고 있어 Fab Foundry를 안정적으로 확보할 수 있습니다. 제품설계 뿐 아니라 공정설계와 Back-End에 대한 노하우를 가지고 있기 때문에 ~~~~~ (왼쪽 그림 설명)~~~~ 저희 EMLSI의 또 다른 차별성은 팹을 선별하고 안정적으로 관리하는 능력입니다. 저전력 PSRAM 매출이 계속 증가하고 있고 또 향후 SDRAM 양산에 대비하여 대만의 NANYA 및 WINBOND 등의 멀티 Fab 체제를 구축하였고, 이러한 복수 생산시설에 대한 호환공정기술을 가지고 있습니다. (Fab확보에 어려움을 격고 있는 타 Fabless 사례를 언급)

3. EMLSI 사업의 높은 진입장벽 주요 고객사의 엄격한 부품조달정책 특성상 제품의 모방 가능 여부보다는 핵심기술 확보와 안정적 양산능력 및 수율 확보가 선행 되어야 함 당사와 같은 공식 벤더 이외에는 동 기술을 사용한 제품의 개발 및 판매 불가능 N사의 ‘Multi-Flexed’ 기술 사용이 가능한 공식 벤더 안정적인 Fab 확보가 제품 양산과 수율 확보의 관건 Fab 파운드리와 공동으로 개발한 SRAM 공정은 타사 제품 생산에 사용될 수 없음 안정적 제품 양산과 수율 확보를 위한 Fab과의 긴밀한 협력체계 여부 이 부분은 앞에서도 설명을 드린 부분이지만 저희가 구축한 진입장벽을 크게 세가지로 정리해 말씀 드리면, 첫째 (첫 번째 블록 설명, 특히 노키아와의 협력관계 강조) 둘째 (두 번째 블록 설명) 셋째 (세 번째 블록 설명) 엄격한 부품조달정책 특성상 신규 벤더의 진입이 어려움 대형 휴대폰 제조업체 및 반도체 제조업체의 엄격한 부품조달정책

연구인력 대부분이 메모리 반도체 설계 및 공정 설계 분야에서 4. 우수한 R&D 인프라 연구인력 대부분이 메모리 반도체 설계 및 공정 설계 분야에서 10년 이상의 풍부한 경험 보유한 “메모리 반도체 부문 최고의 전문가 집단” R&D 인력비중 총 인원 38명 ※캐나다 연구소 인원 포함 연구개발 28명 (R&D 인력 74%) P.A. Q.A. BACK END DESIGN LAYOUT 메모리 반도체 생산 전체 공정에 대한 기획 및 총괄 능력보유 연구개발조직 캐나다 연구소 해외 선진기술 확보 국내연구소와 상호보완 연구실적 21개 특허기술 출원 및 등록 상표등록 6건 (이태리, 핀란드, 미국 등) 넷째, 저희 EMLSI는 동종업체 대비 우수한 R&D 인프라를 가지고 있습니다. 저희 회사는 관리직 인원을 제외한 대부분의 임직원이 반도체 업계에서 10년 이상 풍부한 경험을 가진 업계 최고의 전문가들입니다. 저희 회사 임직원들이 창출하는 부가가치는 아까 1인당 매출액과 순이익에서도 보셨듯이 업계 최고 수준입니다. 이런 우수한 R&D 인력들이 계속해서 세계 유수 고객사들이 인정하는 제품들을 성공적으로 개발하고 있습니다. 저희 EMLSI의 연구개발조직은 제품설계부터, 팹 공정, 그리고 Back-End까지 반도체 생산의 모든 부분을 커버할 수 있는 체계로 이루어져 있습니다. 이러한 기술력이 바탕이 되기 때문에 공정설계와 안정적인 팹 관리가 가능한 것이고, 경쟁사 대비 우수한 품질의 제품을 개발하여 양산하고 있는 것입니다.

5. 고수익과 고성장 지속 Today Tomorrow Special Interfaced RAMs 1,500억원 LP PSRAM (Pseudo SRAM) LP SDRAM (Sync. DRAM) Today Tomorrow LP SRAM (Static RAM) 2004 2000 2007 Special Interfaced RAMs 매출액 순이익 법인세 면제이익 발생 2005 2006 830억원 1,500억원 166억원 345억원 마지막으로 저희 EMLSI는 고수익과 고성장을 지속하고 있습니다. 지금까지 저희 회사에 대해 설명을 드리면서 수 차례 반복한 얘기지만 저희 EMLSI는 우수한 기술력을 바탕으로 차별화된 제품을 초우량 고객에게 공급하고 있습니다. 그리고 현재 개발중인 신규제품의 본격 양산과 고객 다변화를 통해 당사의 성장 모멘텀은 미래에도 지속될 것이라고 확신합니다.

VISION 세계적인 경쟁력을 보유한 모바일 특화 메모리 전문기업 Technology Business Strategy Marketing 첨단 핵심기술 강화 - R&D 투자 확대 및 우수기술인력 확보 - 캐나다 해외연구소 운영 저전력 메모리 주력사업 강화 - Test House - Another Design House 핵심 고객사 및 파운드리와 제휴 -긴밀한 기술협력 체제 구축 -안정적 수주물량 확보 신규고객 개척을 위한 글로벌 마케팅 - 현재 고객사외 고객 다변화 - 한국, 중국, 일본 및 유럽 등 시장 다변화 저희 EMLSI는 한국을 대표하는 저전력 모바일 메모리 전문기업으로 성장해 나갈 것입니다. 저전력 모바일 메모리 전문기업 EMLSI의 미래에 투자하십시오. 장시간 설명 들어주셔서 감사합니다. 질문 있으신 분은 질문하여 주십시오

Chapter 5 Appendix IR Presentation 회사개요 및 CEO EMLSI의 성장연혁 주식공모에 관한 사항 요약대차대조표 요약손익계산서

회사개요 및 CEO 회사개요 CEO Profile 대표이사 : 박성식 (CEO) 저전력 SRAM (1,2,4,8M) 저전력 Pseudo SRAM (16, 32M) 저전력 Synch. DRAM (32,64M) 주요 제품 40억원 공모 후 자본금 830억원 2004년(E) 매출액 32명 종업원수 2000년 4월 4일 설립일 제주도 제주시 연동 301-1 제주건설공제조합빌딩 4층 주소 박 성 식 대표이사 주식회사 이엠엘에스아이 www.emlsi.com 회사명 CEO Profile 대표이사 : 박성식 (CEO) - 1961년생 (43세) - 日本大學 (Nihon University) 전자공학과 졸업 - 삼성전자 (반도체 해외영업) - 현, EMLSI(주) 대표이사

EMLSI의 성장연혁 Ready to Take Off 성장 도입기 기반 구축기 2002.05 : 4M SRAM 양산출하 2003.09 : 16M PSRAM 개발완료 2003.12 : 1M SRAM 개발완료 2004.05 : 16M PSRAM 양산출하 성장 도입기 기반 구축기 2000.04 : 회사 설립 2000.11 : 벤처기업 확인 2001.07 : 부설연구소 설립 2001.09 : 4M SRAM 개발완료 2002.01 : 품질경영시스템 ‘ISO9001'인증 획득

주식공모에 관한 사항 IPO Plan 주주구성(공모 후) 공모 후 주식수 : 8,000,000주 2. 등록일정 1. 공모할 주식에 관한 사항 500원 액면가 8,000,000주 등록예정주식수 318억원~424억원 총공모금액 15,000원~20,000원 공모예정가 2,120,000주 공모주식수 2005년 01월 20~21일 청약 2005년 02월 01일 코스닥 등록예정일 2005년 01월 13일 수요예측 2004년 12월 15일 유가증권 신고서 제출 주주구성(공모 후) 공모 후 주식수 : 8,000,000주 우리사주 2.7% 최대주주 외 36.6% 벤처금융 12.0% 외국인 7.9% 기관 19.9% 개인 20.9%

요약대차대조표 단위 : 백만원 과 목 2001 2002 2003 2004(E) 유동자산 5,385 5,989 23,048 33,250 고정자산 938 1,364 1,924 3,261 자산총계 6,323 7,353 24,972 36,511 유동부채 1,693 2,747 8,904 9,288 고정부채 848 362 711 808 부채총계 2,541 3,109 9,615 10,096 자본금 2,599 2,940 자본잉여금 1,992 1,987 이익잉여금 -819 -347 10,430 21,488 자본조정 11 - 자본총계 3,783 4,244 15,357 26,415 부채와 자본총계

요약손익계산서 단위 : 백만원 과 목 2001 2002 2003 2004(E) 매출액 3,074 14,857 69,559 83,000 매출원가 2,305 12,274 48,837 57,270 매출총이익 770 2,583 20,722 25,730 판매관리비 1,130 2,241 7,814 6,742 영업이익 -360 166 12,909 18,988 영업외수익 73 173 1,489 2,452 영업외비용 127 378 1,376 2,099 경상이익 -413 39 13,021 19,341 법인세비용 -169 512 2,245 2,708 당기순이익 -244 472 10,777 16,633

INVESTOR RELATIONS 감사합니다.