전기안전공학 및 실험 4주차 한경대학교 안전공학과

강의순서 저항 읽는법 캐패시터 읽는법 트랜지스터 식별법 전압,전류,저항측정법 교류와직류 전압 전류 전력 병렬연결/직렬연결

저 항 읽는 법 숫자 색갈 검은색 갈색 1 붉은색 2 저항값-앞에서부터 3개의띠 주황색 첫째자리수 공차 3 노란색 저항- 저항은 회로내에서 전류를 저지하거나 제한한다. 저항은 크면 클수록 전기가 많이 흐르지 못한다. 검은색 갈색 1 붉은색 2 저항값-앞에서부터 3개의띠 주황색 첫째자리수 공차 3 노란색 첫번째띠-첫째자리수 4 둘째자리수 5 초록색 십의 승수 (둘째자리수 다음의 0의수) 두번째띠-둘째자리수 6 파란색 7 보라색 세번째띠-앞의두숫자에붙는 십의승수 8 회색 흰색 9 네번째띠-허용오차 ∓5% 금색 ∓10% 은색

고정저항의 색표시 제1숫자(A) 제2숫자(B) 배수(C) 오차(D) 10⁰ ( Ω) ±20%RMA 갈색 1 검정색 10⁰ ( Ω) ±20%RMA 갈색 1 10₁ ( 10 Ω) 빨강색 2 10₂ ( 100 Ω) ±2%RMA 주황색 3 10₃ ( 1K Ω) 노랑색 4 10₄ ( 10K Ω) 초록색 5 10₅ ( 100K Ω) 파랑색 6 10₆ ( 1M Ω) 보라색 7 10₇ ( 10M Ω) 회색 8 10₈ ( 100M Ω) 흰색 9 10₉ ( 1,000M Ω) 금색 10⁻₁ ( 0.1 Ω) ±5% 은색 10⁻₂ ( 0.01 Ω) ±10% 무색 ±20%

정격전압 –숫자와 알파벳 2자로 표시한다 (보기)2G는 아래표에서400v이다 캐패시터 읽는법 캐패시터-캐패시터는 전하를 축적하며 직류를 차단하고 교류를 통과시키기 위하여 사용된다 콘덴서라고도 한다 정격전압 –숫자와 알파벳 2자로 표시한다 (보기)2G는 아래표에서400v이다 A B C D E F G H J K 1 1.25 1.6 2.0 2.5 3.15 4.0 5.0 6.3 8.0 10 12.5 16 20 25 31.5 40 50 63 80 2 100 125 160 200 250 315 400 500 630 800 3 1,000 1,250 1,600 2,000 2,500 3,150 4,000 5,000 6,300 8,000 2G 102 K 정전용량 –3개 숫자로표시한다 처음2자는정수이고 마지막숫자는10의배수(0의수)를 나타낸것으로서 단위는 PF이다 (보기) 102는10x10₂=1000 PF이다 그리고 소수점을 나타낼때만 R의 문자를 사용하며 이 경우 다른숫자는 정수이다 (보기) 2R5=2.5PF 허용오차 –알파벳으로 다음표와 같이 표시한다 단 10PF 이하의 콘덴서에 대해서는 허용오차의 단위를PF로 한다 그리고 자기(세라믹)콘덴서에서는 P⁺₋₁₀₀ ⁻₀ %를 생략하는 경우가 있다

트랜지스터 식별법 2 S B 1 8 7 A PNP형 NPN형 C 콜렉터 C 베이스 B B E 에미터 E 개량순서 (A B C순) 등록순서 (1번부터 차례로) 용도표시 A : PNP형 고주파용 TR B : PNP형 저주파용 C : NPN형 고주파용 D : NPN형 저주파용 J : P채널FET K : N채널FET F : SCR(P게이트) G : SCR(N게이트) M : TRIAC N : UJT 2SC374-Y O:70~140 Y:120~240 hfe GR:200~400 BL:350~700 반도체제품의 뜻 (semiconductor ) C 콜렉터 C 소자의 종별 0 : 포토 TR 1 : 다이오드 2 : TR 또는 게이트 1개의 FET 3 : 게이트2개의FET 베이스 B B E 에미터 E PNP형 NPN형

IC메모리의 분류와 종류 분 류 종 류 동 작 랜덤 엑세스 메모리 스태틱동작형 (STATIC RAM) (RANDOM ACCESS MEMORY) RAM 스태틱동작형 (STATIC RAM) FF을 주제로 구성되며 자유로운 타이밍에서 써넣기,읽어내기를 할수 있다 다이나믹동작형 (DYNAMIC RAM) FET의 게이트 전하로 데이터를 메모리 한다. 수ms에 1회.읽어내기 재차 써 넣기가 필요하다 리드 온리 메모리 (READ ONLY MEMORY) ROM 마스크ROM (MASK ROM) ROM을 제조하는 단계에서 배선마스크에 의하여 메모리 내용을 써 넣는다 내용변경불능 프로그래머블ROM (P ROM) 퓨우즈ROM등,ROM본체의 제조후 사용자가 메모리 내용을 자유롭게 써 넣을수 있다 냬용변경불능 소거가능형 P-ROM (EP-ROM) UVET-ROM 적외선을 조사하면 메모리 내용을 소거할수 있고 몇회 라도 써 넣기가 가능 EEP-ROM RAM과 동일하게 메모리 내용을 몇 회라도 다시 써 넣을수 있는 ROM

용어 정의 1. 전압(E)(V) : 전위차 대지전압 : 한 line과 대지 혹은 중성선과의 전압 2. 전류(I)(A) : 전압/저항(E/R) 3. 저항(R)(Ω) : 길이에 비례하고 굵기에 반비례 4. 전력(P)(W)= 전압*전류(E*I) 5. 전력량(kwh)=전력*시간 6. 단락 (합선, Short) 서로 다른 극이 저항(Impedance)이 상당히 적은 값으로 연결된 상태 7. 개방 : 회로가 끊어진 상태, 저항이 무한대

용어정의 8. 절연 : 전기 충전부위를 고무, 비닐, 폴리에틸렌 등으로 덮는 것 선로 사용 전압에 의해 결정 9. 전선의 굵기 : 전선에 전류가 흐르면 열이 발생 H=I2 RT(Joule) 전류의 크기에 의해 결정 10. 접지 : 대지와 전기적으로 연결(대지는 0전위) 11. 본딩 : 도체사이를 전기적으로 연결 12. 3상 : 각상(전압, 전류)의 크기는 같고 위상차가 120도 차이 가 나는 것

교류전기 교류의 발생 파일 참조

전기의발생(단상)

설명 자기장이 존재하는 공간에서 코일을 회전시키면 전류가 발생하는데, 코일은 회전하면서 자석의 N극과 S극의 자리를 서로 번갈아 지나므로 발생하는 기전력은 교류가 된다. 이 때, 코일의 위치가 수평일 때에는 자기장의 방향과 코일이 움직이는 방향이 나란한 위치에 있으므로 기전력은 발생하지 않는다. 코일이 반시계 방향으로 회전하면 기전력은 점점 증가하고 90°가 되면 기전력이 가장 크게된다. 코일이 회전을 계속하여 180°가 되면 기전력은 다시 0이 된다. 코일이 회전하여 270°의 위치가 되었을 때 기전력은 최대가 되지만 코일의 위치가 N극에서 S극으로 바뀌었으므로 전류의 방향은 바뀌게 된다. 코일이 360°의 위치가 되면 기전력은 다시 0이되고 이러한 사이클이 계속 반복되어 위와 같은 정현파 교류가 발생하게 된다. 출처: http://eduware.ismyweb.net

전기의발생(3상)

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