전 자 공 학 교재 : 그림으로 배우는 전자회로(신윤기) 전 자 공 학 교재 : 그림으로 배우는 전자회로(신윤기) 강원대학교 삼척캠퍼스 공학대학 전기공학과
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강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 JFET ⇒ pn 접합을 이용해 전류제어 MOSFET(IGFET) ⇒ 채널로부터 절연되어 있는 gate를 이용해 전류 제어 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 JFET의 RDS ⇒ 채널의 폭과 길이에 의해 가변 D-MOSFET의 RDS 증가형 동작 JFET의 RDS ⇒ 채널의 폭과 길이에 의해 가변 D-MOSFET의 RDS ⇒ 채널의 폭과 길이뿐 아니라 채널 carrier의 농도에 의해서도 가변 공핍형 동작 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
D-MOSFET의 drain 특성곡선은 JFET와 동일 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
JFET는 VGS<0에서만 동작 D-MOSFET에서는 공핍형, 증가형 모두 동작 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
D-MOSFET ⇒ 제조 시 채널 형성 E-MOSFET ⇒ 제조 시 채널이 없음 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
채널 형성을 위해 VGS>0 채널이 형성된 후에는 D-MOSFET와 같은 형태 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
E-MOSFET는 일단 채널이 형성되면 D-MOSFET와 같은 구조와 동작을 가짐 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
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CMOS의 특징 높은 입력 저항 빠른 스위칭 속도 낮은 동작 전압 저전력 소모 인버터 기능 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 FET도 교류를 왜곡없이 증폭하기 위해 직류 바이어스 필요 gm : 전달 컨덕턴스 참고) 예제 3-1) 그림 3.22(a) 회로에서 IDSS=10mA, VGS(off)=-8V, VGG=2V, VDD=20V, RD=2kΩ (a) 동작점 : VGSQ, IDQ, VDSQ (b) 전압이득 : Av 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
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J-FET D-MOSFET E-MOSFET 음수, 양수일 경우 고려 2 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
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예제 3-1) 그림 3.22(a) 회로에서 IDSS=10mA, VGS(off)=-8V, VGG=2V, VDD=20V, RD=2kΩ (a) 동작점 sol) (b) 전압이득 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
게이트 바이어스 온도에 따라 전달특성이 심하게 변함 전달특성에 따라 Q점의 변동이 심함 IDQ가 큰 폭으로 변함 MOSFET도 같은 현상 발생 가장 열악한 바이어스 방법 2가지의 전원 요구 -8V 16mA 최댓값 -2V 4mA 최솟값 VGS(off) IDSS 표 3.1 JFET 2N5459의 특성 변화 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 자기 바이어스 소스 저항 RS를 사용하여 자체적으로 G-S간의 bias 전압 공급 GSQ 자기 바이어스 소스 저항 RS를 사용하여 자체적으로 G-S간의 bias 전압 공급 단일 전원으로 구성 RS가 클수록 Q점이 더욱 안정 VGSQ<0 이므로 E-MOSFET에서는 사용 불가 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과 전압 분배 바이어스 vGS=VGG>0 에서 x축과 교차 자기 바이어스에 비해 전달 특성의 변동으로부터 동작점을 더 안정되게 보호할 수 있음 단일 전원으로 구성 모든 FET에 사용 가장 대표적인 바이어스 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
전압 분배 바이어스는 자기 바이어스에 비해 동일한 동작점을 얻는데 있어 저항 RS를 더 크게 할 수 있음 VGG를 크게 할수록 IDQ는 더욱 안정 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
궤환 바이어스 E-MOSFET에 주로 사용 게이트 전류가 흐르지 않으므로 항상 VGSQ=VDSQ>0 을 만족(∵IG=0) J-FET에는 사용 불가 IDQ<VDD/RD를 만족하여야 함 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과
전류원 바이어스 VGS 전압과 무관하게 드레인 전류를 공급할 수 있다면 고정된 동작점을 얻을 수 있음 RE 전류원 바이어스 VGS 전압과 무관하게 드레인 전류를 공급할 수 있다면 고정된 동작점을 얻을 수 있음 +VDD와 –VEE로 구동하는 바이어스 회로 전류원 바이어스는 IDQ가 고정, VGSQ 변동 게이트 바이어스와 반대 강원대학교 삼척캠퍼스 전기공학과