Chapter 5 트랜지스터 바이어스 회로
목 표 선형 증폭기의 DC 바이어스 개념 전압분배 바이어스 회로 해석 베이스 바이어스 회로 해석 이미터 바이어스 회로 해석 목 표 선형 증폭기의 DC 바이어스 개념 전압분배 바이어스 회로 해석 베이스 바이어스 회로 해석 이미터 바이어스 회로 해석 컬렉터 귀환 바이어스 회로 해석
5-1. DC 동작점 DC 바이어스 트랜지스터가 증폭기로의 동작 : DC 바이어싱 트랜지스터 바이어싱 : 전류와 전압 조건 설정하는 것 DC 바이어스 바이어스 : 증폭기가 적절한 선형동작을 하기 위한 DC 동작점을 설정 Fig 7-10 basic JFET circuit 반전증폭기의 선형과 비선형 동작
그래프 해석 IB, IC, IE, VCE를 얻기 위해 VCC와 VBB로 바이어스 그림의 화살표 방향은 반대(교재참조) DC 바이어스된 트랜지스터 회로 그림 5-3의 (a)에서 VBB를 조정하여 IB 값을 설정하고 IC를 구한 후 VCE를 구하면 Fig 7-10 basic JFET circuit 그림 5-3의 (b)는 그림 5-3의 (c)는 Q점 조정에 대한 설명
DC 부하선 IB가 증가하면 IC가 증가하고 VCE는 감소, IB가 감소하면 IC가 감소하고 VCE는 증가 VBB 전압을 크게 하거나 작게 하면 TR의 DC 동작점은 각 Q점을 연결하는 DC 부하선을 따라 변화 차단점 : VCE = VCC 되는 점(즉, DC 부하선이 X축과 교차하는 점) 포화점 : VCE = 0V인 점(즉, DC 부하선이 Y축과 교차하는 점) Fig 7-10 basic JFET circuit DC 부하선
선형 동작 포화와 차단 사이의 모든 점을 포함하는 부하선상의 영역 TR이 이 영역에서 동작하면 출력전압은 입력전압이 선형적으로 증폭되어 출력 Fig 7-10 basic JFET circuit 선형 동작에 대한 설명
파형 왜곡 부하선상의 Q점의 위치에 따라 파형이 왜곡 입력신호가 너무 클 경우에도 출력파형이 왜곡 왜곡없는 출력을 위해 부하선의 중심에 Q점이 위치해야 하고, VCE의 최대, 최소 첨두값을 0.95~0.55VCC 까지만 변화 Fig 7-10 basic JFET circuit 부하선을 이용한 TR의 차단과 포화
5-2. 전압분배 바이어스 트랜지스터 바이어스 : VCC와 VBB 사용 5-2. 전압분배 바이어스 트랜지스터 바이어스 : VCC와 VBB 사용 바이어스의 실용적인 방법 : 단일전원 사용 ← 전압분배 바이어스 그림의 화살표 방향은 반대(교재참조) Fig 7-10 basic JFET circuit 전압분배 바이어스 간략화된 전압분배 바이어스
베이스 입력 저항 TR의 베이스에서의 DC 입력저항은 베이스-이미터 회로에 KVL을 적용하면 그림의 화살표 방향은 반대(교재참조) Fig 7-10 basic JFET circuit
전압분배 바이어스 회로의 해석 npn TR의 전압분배 바이어스 Fig 7-10 basic JFET circuit
전압분배 바이어스의 안정도 전압분배 바이어스 회로의 다른 해석 : 테브난 정리를 이용 -> 회로의 안정도 평가 전압분배 바이어스 회로의 테브난 등가회로 Fig 7-10 basic JFET circuit
pnp TR의 전압분배 바이어스 pnp TR의 전압분배 바이어스 pnp TR의 전압분배 바이어스 해석 Fig 7-10 basic JFET circuit pnp TR의 전압분배 바이어스 해석
5-3. 다른 종류의 바이어스 방법 베이스 바이어스 베이스 바이어스 – 릴레이 구동회로에 사용 5-3. 다른 종류의 바이어스 방법 베이스 바이어스 베이스 바이어스 – 릴레이 구동회로에 사용 베이스 바이어스 Fig 7-10 basic JFET circuit Q점 안정도 – IC가 βDC에 의존하므로 βDC 변화가 IC를 변화시키고, IC의 변화가 VCE를 변화시킴으로써 TR의 Q점을 변화시킴. 베이스 바이어스 회로는 βDC에 의존하게 되어 매우 불안정
이미터 바이어스 이미터 바이어스 – 정(+)과 부(-)의 두 개의 전원 사용 베이스 바이어스 Fig 7-10 basic JFET circuit
이미터 바이어스의 Q점 안정도 Fig 7-10 basic JFET circuit
컬렉터 귀환 바이어스 베이스 저항 RB를 VCC에 연결하지 않고, 컬렉터에 연결 컬렉터 전압은 베이스-이미터 접합에 바이어스를 제공 부귀환은 Q점을 안정시키려는 오프셋 효과를 만듦 IC가 증가하면 RC양단의 전압강하가 커져 VC가 감소 → VC가 감소하면 RB양단의 전압이 감소하여 IB가 감소 → IB의 감소는 IC가 감소되어 RC 양단의 전압을 감소 → VC의 감소를 상쇄 그림의 화살표 방향은 반대(교재참조) Fig 7-10 basic JFET circuit 베이스 바이어스
온도에 대한 Q점 안정도 Fig 7-10 basic JFET circuit
Fig 7-10 basic JFET circuit