공학논문작성법 (12강) 영문 공학논문 작성법 2016년 1학기 (1) 공학 논문 작성법 review (2) abstract, outline 피드백 (3) Abstract version 5-2 작성

Homework #9 영문 abstract 작성의 예 (석사과정 1년차 학생) Version 05 (수강생)

Abstract writing 방법의 예 적용 [1-1] Basic introduction (선택) - 다양한 분야의 독자가 이해할 수 있는 (가장 적절하게 선택된) 배경 설명 (1 문장) [1-2] More detail background (필수) - 본 연구와 관련된 독자가 이해할 수 있으며 이 일과 더 구체적으로 관련된 배경 설명 (1~2 문장) [2] General problem (or issue) that will be addressed by this study (필수) - 이 일이 왜 필요한가를 말해주는 해당 분야의 기술적 문제점 혹은 필요한 점 (1~2 문장) [3-1]One sentence summarizing the main result(s) (필수) - 이 일의 결과를 임팩트 있게 요약한 한 문장 (가장 중요한 문장: Here we show …, In this study, we report that …, In this paper, we propose, In this work, we developed …, 등등의 유사한 문장) [3-2] Main results (필수) - [2], [3-1]과 직접적으로 관련이 있는 중요한 결과물(들) [3-3] More general context (필수 혹은 선택) - (해당 분야 전문가들이 동의할 수 있는) 본 연구 결과가 갖는 (직접적인) 의미 [4] Broader perspective (선택) - (다양한 분야의 독자들이 이해할 수 있는) 본 연구 결과가 이 분야 연구에 미칠 영향 (의미)

국문 abstract 작성의 예 (박사과정 2년차 학생) Version 03 (수강생) [1-1] 인공위성 같은 우주용 시스템은 그 특성상 개발 완료된 제품에 대한 운용 후 추가 수정 및 보완이 어렵기 때문에 제품의 신뢰성 확보가 개발성공의 관건이다. (생략가능) [1-2] Gallium nitride는 고전압/고주파 동작에 용이하고 특히 내방사선성이 매우 우수해 우주 방사환경에서 사용하기 위한 차세대 반도체 물질로 많은 연구가 진행되어 왔다. 1-3 [2] 양성자 선 조사에 따른 특성 변화 중 고 에너지 선에 의한 절연체와 GaN 반도체 물질 사이의 특성변화 연구는 매우 중요하며 꼭 필요한 실정이다. [3-1] 이 논문에서는 서로 다른 종류의 절연체인 Si3N4와 Al2O3를 gate insulator로 가지는 GaN MISHEMT에 57 MeV의 고 에너지 양성자 빔을 조사하여 그 특성 변화를 비교 분석하였다. [3-2] 양성자 빔 조사 후, Al2O3를 gate insulator로 가지는 소자는 전류 감소가 5%, Vth 변화가 ~+1.5V인데 반해 Si3N4를 gate insulator로 가지는 소자는 전류 감소가 22%, Vth 변화가 ~+3V로 변화폭이 훨씬 크게 나타났다. Interface trap density는 두 소자 모두 거의 특성 변화가 없었으며, 게이트 누설 전류는 Al2O3를 게이트 유전체로 가지는 소자에서는 거의 특성 변화가 없고 Si3N4를 게이트 유전체로 가지는 소자에서는 오히려 감소하였다. 앞의 결과들은 양성자 빔 조사로 인해 유전체 내부에 음전하 성분이 야기되어 이러한 특성 변화를 일으킨 것을 나타내며 그 정도는 Al2O3와 Si3N4에서 각각 0.6 x 1012/cm2, 2.9 x 1012/cm2로 Si3N4에서 훨씬 크게 나타났다. [3-3] 이러한 결과는 GaN MISHEMT에서 Al2O3가 더 좋은 내방사선성을 나타내 높은 신뢰성을 가지는 시스템으로 활용이 가능할 것을 나타내며 Si3N4는 양성자 빔 조사에 따른 그 특성 변화폭이 커서 센서 등으로의 활용이 가능할 것을 보여준다.

(박사과정 2년차 학생의outline version1: 별도 파일)

(박사과정 1년차 학생의 outline version1 예)

Version 05

Floating Structure of Metal-Nanoparticle-Ink-Based Electrodes by Selective Thermal Decomposition of Polymer Layer Paper outline Jun-Chan Choi, Ji-Sub Park, and Prof. Hak-Rin Kim

Result and discussion ※ Figure 2 열소결 온도에 따른 전극패턴의 비저항값 그래프 열소결 온도에 따른 금속 나노입자 잉크 전극패턴의 비저항 값을 확인하기 위해 삽입 선택한 최종 열소결 온도(고분자 분해를 유발하기에 최적화된)에서의 비저항 값을 확인 하기 위해 삽입 → TGA를 통해 고분자의 열분해 온도를 측정하였으며, DSC 등 다양한 method를 통해 좀더 심도 있는 분석이 필요 ※ Figure 3 에칭 시간에 따른 전극 패턴의 픽업수율 확인 에칭을 통해 전극 패턴과 고분자 층이 접하고 있는 면적을 감소, 최적의 에칭 시간을 찾기 위해 그림 삽입 (a) 0 min, (b) 1 min, (c) 3 min, (d) 5 min → 최종 etching시간에 대한 잔여면적 값을 얻었으며, 각 etching 시간에 대한 잔여면적을 추가적으로 확인, 이를 통해 interface에서의 adhesion 특성 추가 분석 필요

Result and discussion ※ Figure 4 픽업 속도에 따른 전극 패턴의 픽업수율 확인 픽업속도를 향상 시킴으로써, 스탬프와 전극패턴 사이의 접촉에너지 증가, 최적의 픽업 속도를 찾기 위해 그림 삽입 (a) 1 mm/s, (b) 30 mm/s, (c) 50 mm/s, (d) 100 mm/s → 픽업 속도에 따른 구체적인 접촉 에너지 측정 데이터 필요 ※ Figure 5 최종 제작된 유연 전극 필름 소자 사진 전체 공정을 통해 최종 제작된 유연 전극 필름 소자를 보여주며 사진상의 구부림에도 전극의 변형이 없다는 것을 보여주기 위해 삽입 → Adhesion layer가 도입되지 않았을때의 전극 패턴이 박리되는 현상을 확인, 데이터에 적합한 사진 추가 필요

Conclusion 고분자 열분해를 통해 전극패턴과 고분자 사이의 접촉면적을 크게 감소 시켰으며 이를 통해 전극패턴의 픽업을 용이하게 하였음 패턴의 사이즈와 상관없이 동일한 지지대를 형성 이를 통해 다양한 패턴을 동시에 전사인쇄가능 에칭 시간 및 픽업 속도 조절을 통해 각 경계에서의 접촉에너지를 조절하였으며, 이를 통해 다양한 종류에 금속 나노입자 잉크에 적용이 가능함 Adhesion layer 도입을 통해 유연전극 필름의 bending stability를 향상 시켰으며 이를 이용하여 고유연성이 요구되는 flexible 및 rollable 소자에 적용이 가능함