논리회로 설계 및 실험 5주차.

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1 논리회로 설계 및 실험 5주차

2 4주차 목표 목표 카운터에 대한 이해 메모리에 대한 이해와 4bit x 4 메모리 구현

3 카운터 카운터 반복해서 일어나는 현상의 수를 계산하는 장치 ( ex. 0 -> 1 -> 0 -> 1 -> ... ) 2진 카운터나 변형 형태로 n진 카운터로 설계가 가능하며, 주파수나 주기의 측정에 사용될수 있음 4진 카운터 예 반복 ( 01 -> 10 -> 11 -> 00 -> )

4 4진 카운터 회로도 4진 카운터 회로도

5 10진 카운터 10진 카운터 예 10진 카운터 0에서 9까지 10개의 상태를 카운트하는 회로
10개의 상태를 표현하려면 적어도 4bit가 필요하므로 4개의 D F/F을 사용 10진 카운터 예

6 10진 카운터 진리표 10진 카운터 - 바이너리 값 1001 일때 다음 상태 값은 1010이 아닌 0000으로 됨
현재상태 (t) 다음상태 (t+1) A B C D A(t+1) B(t+1) C(t+1) D(t+1) 1 X

7 10진 카운터 K-Map 10진 카운터 A(t+1) = AD’ + BCD B(t+1) = BC’ + BD’ + B’CD
00 01 11 10 1 x 00 01 11 10 1 x C(t+1) = A’CD’ + A’C’D = A’(C^D) D(t+1) = D’ 00 01 11 10 1 x 00 01 11 10 1 x

8 10진 카운터 회로도 Register A(t+1) = AD’ + BCD B(t+1) = BC’ + BD’ + B’CD
C(t+1) = A’CD’ + A’C’D = A’(C^D) D(t+1) = D’

9 SRAM ( static random access memory )
메모리 메모리 기억장치로써 RAM(Random Access Memory)와 ROM(Read Only Memory) 가 있음 주로 기억장치라 하면 RAM 을 가르킴 SRAM ( static random access memory ) 플립플롭 방식의 메모리 장치를 가지는 RAM 중에 하나 전원이 공급되는 동안만 저장된 내용을 기억함 (휘발성)

10 SRAM의 구조 SRAM DataIn Register Register DataOut … Register Address R/W
Ce Data Register Ce DataOut … Data Register Ce Address Selector R/W

11 SRAM의 구조 : Data Write SRAM DataIn Register Register DataOut … Register
Ce Data Register Ce DataOut … Data Register Ce Address Selector R/W

12 SRAM의 구조 : Data Read SRAM DataIn Register Register DataOut … Register
Ce Data Register Ce DataOut … Data Register Ce Address Selector R/W

13 SRAM의 시뮬레이션 결과 SRAM RW는 0이면 Read, 1이면 Write 0번째 주소에 저장된 13 출력
write 신호이면서 clk 이 상승될 때 입력값 4를 저장

14 SRAM의 시뮬레이션 결과 SRAM RW는 0이면 Read, 1이면 Write

15 SRAM의 시뮬레이션 결과 SRAM RW는 0이면 Read, 1이면 Write
write -> read 상태가 되면 output data가 1번째 주소값 데이터를 출력

16 SRAM의 시뮬레이션 결과 SRAM RW는 0이면 Read, 1이면 Write

17 10진 카운터 동작 확인 4x4 SRAM 을 설계하고 동작 확인
실습 10진 카운터 동작 확인 4x4 SRAM 을 설계하고 동작 확인