팀 별발표(광메카트로닉스 관련 주제) 준비 가이드라인

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2015년 2학기 PULSE 4 전자물리실험 05 - 수위 감지 경보 회로 - DSU 메카트로닉스 융합공학부 -
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팀 별발표(광메카트로닉스 관련 주제) 준비 가이드라인 6월 8일(목) 2시 예정 팀 별발표(광메카트로닉스 관련 주제) 준비 가이드라인 1. 광메카트로닉스 주제에 대한 정합성 - 광메카트로닉스를 정확히 이해하고 주제를 선택하였나? 2. 주제이해도 - 선택된 주제에 대해서 깊이 있는 이해가 이루어졌나? 3. 전반적인 내용 수준(ppt 자료 완성도) - 선택된 광메카트로닉스 제품의 세부 구성도 및 작동원리 - 제품에 사용된 주요 요소기술 구체설명(전자기술, 기계기술, 광기술 등) - 선택된 제품의 발전 history 4. 의사소통 능력(발표 준비 완성도) - 정해진 시간에 정확하게 준비된 자료의 내용을 전달하는가? (시간 준수 7분 내외) The outline is as follows. First, I am going to go over some background and motivation that explains that how I got to get the interest in this scatterometry based nano-object recognition. Actually, by pretty much recently, I worked for Samsung Electronics for around 2 and half years. This motivation on scatterometry concept goes back to that peri d. So, I am going to spend some time in this talk about what I have done there bye industrial point of view. Next, in order to help guys who not that familiar with the scatterometry understand the overall concept of scatterometry, I am going to talk a little bit about what is scatterometry and why scatterometry in nano metrology? Then, I will show you that h ow we will be able to apply the scatterometry for nano-object recognition field with some preliminary results. Finally, for the future work, I will propose a fundamental conceptual idea how we will be able to enhance the proposed method in terms of speed. * 발표내용은 위의 사항들이 잘 표현되게 준비되어야 하며, 팀 당 7분 발표 및 3분 질의응답시간 가짐.

트랜지스터의 구성 트랜지스터: 전류, 전압 증폭 장치 반도체 다이오드에 제 3의 층 추가 쌍극접합 트랜지스터(bipolar transistor) 접합 트랜지스터(junction transistor) NPN 트랜지스터 PNP 트랜지스터

트랜지스터의 기본동작: 신호 증폭 트랜지스터의 기본기능 신호 전류 증폭 신호 개폐 역방향 바이어스 순방향 바이어스 - 제대로 된 외부전원 바이어스 방법 . Emitter 전압: 순방향 . Collector 전압: 역방향 - 전자의 이동 . 에미터에서 베이스로 끌려온 전자는 컬렉터의 양전위에 끌려 전자들 대부분은 역방향 바이어스 전원의 양극 쪽으로 끌려감 (Ic) . 극히 일부의 전자들이 베이스 쪽으로 흡수(IB)되어 미약한 전자 흐름이 생김(베이스 층 매우 얇음) - 컬렉터-베이스 전압 >> 에미터-베이스 전압 - Key points . 작은 베이스 전류로 큰 컬렉터 전류 조절(Control) 순방향 바이어스 역방향 바이어스 제대로 바이어스 된 NPN 트랜지스터

트랜지스터의 물리적 동작 이해 공핍영역이 Base/Emitter 전압에 의해서 얇아짐(다이오드와 같음) Ic 전자의 정체현상 발생 IB Conclusions are as follows. 트랜지스터는 수도장치에 비유됨 Base: 수도잠금장치 Emitter: 수도꼭지 Collector: 수도관 Collector/Base 사이에 두꺼운 공핍영역 발생 Base층 전자의 정체현상  컬렉터 전원이 정체된 전자를 땅김 고전류 흐름

트랜지스터의 기본동작: 신호 개폐 트랜지스터의 기본기능 신호 전류 증폭 신호 개폐 역방향 바이어스 순방향 바이어스 - 트랜지스터의 신호 개폐 응용이 디지털 회로의 시작 . ON, OFF의 신호를 베이스 전류의 ON, OFF로 조절 . 응용분야: 디지털 IC나 컴퓨터 칩 - 증폭기(아날로그 모드) vs 스위치(디지털 모드) 순방향 바이어스 역방향 바이어스 Transistor는 전자 스위치 제대로 바이어스 된 NPN 트랜지스터

컴퓨터와 트랜지스터의 관계 - 메모리= 전자 스위치(트랜지스터) + 커패시터 컴퓨터는 프로세서와 메모리로 구성됨 메모리는 NAND 로직 회로와 NOR 로직 회로로 구성됨 NAND gate와 NOR gate는 트랜지스터로 구성됨 즉, 컴퓨터는 트랜지스터로 구성됨 (트랜지스터가 디지털 회로의 근원) 마치, 인간의 뇌가 세포로, 세포는 분자로, 분자는 원자로, 즉, 뇌는 원자로 구성되어 있다는 것과 유사함 - 메모리= 전자 스위치(트랜지스터) + 커패시터 - 트랜지스터 1개 + 커패시터 1개 = 1 bit 구성

트랜지스터 실습 Conclusions are as follows.

트랜지스터 실습 Conclusions are as follows.

접합 FET(JFET: Junction FET) N channel JFET 단면도 N channel JFET 도선연결 역방향 바이어스 - FET는 다수 반송자(Majority carrier)에 의해서 기능함 - Source(S), Drain(D), Gate(G) 3 단자로 구성됨 - EGS 증가  ID 감소 다수반송자: 전자 제대로 바이어스된 N 채널 JFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) 트랜지스터의 기본동작: 신호 개폐 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) 트랜지스터의 기본기능 신호 전류 증폭 신호 개폐 트랜지스터는 수도장치에 비유됨 Base: 수도잠금장치 Emitter: 수도꼭지 Collector: 수도관 - MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET): MOS라고도 함. - PN 접합을 사용 안함  금속 산화물 박막 사용 - 산화층을 커패시터라고 생각 Gate에 전압인가 없을 시, ON 상태임 Gate 전압이 인가되었을 시 공핍현상 발생(공핍모드) http://www.youtube.com/watch?v=_8HwIHyVD1E(반도체 제조공정 , 4분) 

트랜지스터 요약 ▶ Transistor . BJT : 소수반송자/증폭용 우수/주로 아날로그 용/전력소모 과다/집적도 낮음 . FET : 다수반송자/스위치용 우수/주로 디지털 용/전력소모 작음/집적도 높음 ▶ FET . JFET : PN junction 사용 . MOSFET : PN junction 미사용, 위의 FET의 강점 가짐 (현 Digital 기술의 핵심) ▶ MOSFET의 단점 . 절연막 파괴 가능성: 외부 정전기 및 자장에 약함/사용 시 주의 요망

집적회로(Integrated Circuit)

얼마나 큰 웨이퍼로 반도체를 만드나? Thank you very much My name is Dashi Kim working at CBNU in Korea. It’s my great honor to be able to get the opportunity to talk about my work and share it with you guys This work has been done through the collaboration with Prof. Y.D Kim at Kyung Hee uni. In Korea and B. Javidi at UCONN. The title I am going to present today is …..

디지털 논리회로 김대석 기계시스템공학부 Division of Mechanical System Engineering, http://blog.naver.com/mocienews?Redirect=Log&logNo=100122202426 디지털 논리회로 김대석 기계시스템공학부 Division of Mechanical System Engineering, Chonbuk National University Thank you very much My name is Dashi Kim working at CBNU in Korea. It’s my great honor to be able to get the opportunity to talk about my work and share it with you guys This work has been done through the collaboration with Prof. Y.D Kim at Kyung Hee uni. In Korea and B. Javidi at UCONN. The title I am going to present today is …..

기술의 발달역사 전기공학 전자공학 디지털공학 나노공학 정밀기계공학 기계공학 자동차/조선/중공업/플랜트 HP 창업: 실리콘밸리 1호 벤처기업 Bell lab: MOSFET 최초 개발(강대운/Atalla) IBM: PC의 대중화 정보화사회 (인터넷 대중화) AI, IoT 등 4차산업 1920 1960 1980 1990 2010 CPU Flash 메모리 (64G) 아날로그 회로 (저항,콘덴서,코일) 트랜지스터 [전자공학의 혁명] Digital 회로: 컴퓨터 (16k) 마이크로 스케일 (10 m) 나노 스케일 (45nm) LASER (물리학(광학)의 혁명) MEMS 시작 Micro 구조물 모터 센서 상용화 예 -DMD -가속도센서 정밀기계공학 메카트로닉스공학 광메카트로닉스공학 기계공학 자동차/조선/중공업/플랜트

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