Rectangular도파관 공동공진기구현

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Rectangular도파관 공동공진기구현 MWS를 이용한 180degree hybrid & Rectangular도파관 공동공진기구현 8조 04정태진, 05정해영

목 차 1 2 3 Microstripline 설계`````` Stripline 설계``` Rectangular Waveguide 공동공진기``

Microstripline Microstripline Parameter (이론 값 적용) at 50Ω (식 3.197) 기판 유전율 (ε) : 2.17 도체 두께(t) : 0.018 mm 1.534 mm 기판 높이(h) : 0.51 mm 중심주파수 : 8 GHz 0.873 mm 6.07 mm at 50Ω (식 3.197) r = = 6.07mm 특성 임피던스(Z0) : 50Ω  1.534 mm 특성 임피던스( ) : 70.7107Ω  0.873 mm at 70.71Ω (식 3.197) (식 3.195)

Microstripline 결 과 (S-Parameter)

Microstripline 설계 과정 (Parameter) 기판 유전율 (ε) : 2.17 도체 두께(t) : 0.018 mm 기판 높이(h) : 0.51 mm 중심주파수 : 8 GHz 특성 임피던스(Z0) : 50 Ω  1.5639 mm 특성 임피던스( ) : 70.71 Ω  0.8835 mm

Microstripline 설계 과정 (Parameter) 0.8835 mm 7.07 mm 1.5639 mm 0.51 mm

Microstripline 결 과 (S-Parameter) 0 1 1 0 1 0 0 -1 1 0 0 1 0 -1 1 0 [ ]

Microstripline 결 과 (E Field)

Microstripline 결 과 (H Field)

Stripline Stripline Parameter (이론 값 적용) r = = 6.07mm 특성 임피던스(Z0) : 50Ω r = = 6.07mm r = 0.427 at 50 Ω (식 3.180a) = 0.4647 at 70.71 Ω (식 3.180a) αc = (식 3.181) ※ 근사값을 이용한 설계로 오차 발생

Stripline 결 과 (S-Parameter)

Stripline 설계 과정 (Parameter) 기판 유전율 (ε) : 2.17 도체 두께(t) : 0.018 mm 기판 높이(h) : 0.51 mm 중심주파수 : 8 GHz 특성 임피던스(Z0) : 50 Ω  0.3831 mm 특성 임피던스( ) : 70.71 Ω  0.1989 mm

Stripline 설계 과정 (Parameter) 20.14 mm 31.14 mm 0.51 mm 0.1989 mm

Stripline 결 과 (S-Parameter)

Stripline 결 과 (E Field) 0.51 mm

Stripline 결 과 (H Field) 0.51 mm

Rectangular Waveguide 형태 : WR-112 (내부크기 : 28.5 X 12.62, 사용주파수 : 7.05 ~ 10Ghz, 차단주파수 : 5.263Ghz) 50dB 감쇄기 사용주파수 : 8Ghz 유전율(ε) : 1

Rectangular Waveguide 도 체 h=12.62 ` w/2=14.25 w=28.5 ℓ normal 감쇄구간 ( 단위 : mm ) ℓ 값을 변화  8GHz에서 ℓ=40mm 일 때 S21 가 -50dB

Rectangular Waveguide Rectangular Waveguide 의 E field

RECTANGULAR Waveguide 실험값과 이론값 비교 x y z w h r= α+jβ (α:attenuation, jβ:phase) ℓ구간 wave  Evanescent wave (β = imaginary) ∴ α = imaginary, jβ=real ∴ jβ = attenuation상수, α = phase상수 attenuation = ( )  TE10이면 attenuation = = 143.1 Np/m w  w/2 ∴ ∴ -50dB 감쇄되는 ℓ값은? (α = 143.1) ※ 설계값과이론값이 일치!

감사합니다.