디 지 털 공 학 한국폴리텍V대학
강의내용 및 구성 메모리 회로 Types of memory RAM(Random Access Memory) ROM(Read Only Memory)
Access time = word select time + read/write time Memory 타입 (교재 p. 308) 데이터를 저장하기 위해 특별히 제작된 회로나 시스템 메모리 타입 Access 방식에 따라 RAM(Random Access Memory) Access time이 일정(FDD, HDD, RAM) SAM(Sequential Access Memory) Access time이 word의 위치에 따라 가변(자기 tape) 정보의 저장 방식에 따라 Volatile Memory(휘발성 메모리) 전원이 꺼지면 정보 유실(RAM) Nonvolatile Memory(비휘발성 메모리) 전원에 관계없이 정보유지(FDD, HDD, ROM) Access time = word select time + read/write time
Memory 타입 (계속) Operation 방식에 따라 Static RAM(SRAM) 플립플롭으로 2진 정보 저장 저장된 정보는 전원이 공급되는 한 유지 read/write time이 빠르다 캐쉬 메모리에 사용 Dynamic RAM(DRAM) 커패시터에 충전된 전하로 2진 정보 저장 주기적으로 수 msec 마다 refreshing(재충전) 필요 전력 소비가 적다 메모리의 집적도가 높다
Random Access Memory (교재 p. 313) 2진 정보를 read/write 할 때 위치를 선택할 수 있다 Word read/write되는 비트의 크기 1 바이트 : 8-비트 메모리 size number of words : address length number of bits in each word : data length
Random Access Memory (계속) RAM 구성도 및 동작 1) write - 메모리 위치 및 데이터 결정 - write 신호 인가 2) read - 메모리위치 결정 - read 신호 인가 k 어드레스 라인 n-bits 데이터 입,출력 word를 구성하는 크기에 의해 결정
Random Access Memory (계속) read/write operation
Read Only Memory