실험 13. MOSFET 소스 공통 증폭기 1 조 2002003544 방 기 영
1. 실험 목적 MOSFET의 드레인(drain) 특성을 실험적으로 결정한다. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
2. MOSFET
3. MOSFET의 동작 영역 (1)
4. MOSFET의 동작 영역 (2) 트라이오드 영역에서의 동작 포화 영역에서의 동작
5. 인핸스먼트형 MOSFET 드레인과 소스 사이에 채널이 없음 게이트가 기판에 접속된 소스에 대해 正이면 커패시터가 충전되어 채널이 형성되기 때문에 소스-드레인 회로에 전류가 흐른다. 고임피던스 트렌지스터
6. 디플리션형 MOSFET 인핸스먼트형 MOSFETM과 달리 N형 채널을 가지고 있다. 게이트 전압이 양일때 -> 인헨스먼트 모드 게이트 전압이 0일때 -> 드레인 전류가 흐름 (normally ON) 게이트 전압이 음일때 -> VGS가 작아질수록 드레인 전류는 감소한다.
7. JFET 분압기 바이어스
8. 자기 바이어스
9. MOSFET 소스 공통 증폭기 회로와 동작 게이트 1, 2는 입력 신호를 받음 증폭기는 자기 바이어스로 동작
11. 실험 과정 드레인 특성 ☞ VGG가 각각 -0.8V, +0.8에 대해 VDS와 VGS를 조작하면서 ID를 측정한다. 소스 공통 증폭기 ☞ VDD가 15V일때 1KHz의 정현파를 발생시켜서 최대 출력 신호를 구하고 Vout, Vin, VGS, VDS를 측정한다.
12. 실험 결과 예측 드레인 특성 다음과 유사한 형태의 드레인 특성 곡선이 나올 것이라 예상한다. 드레인 특성 다음과 유사한 형태의 드레인 특성 곡선이 나올 것이라 예상한다. 소스 공통 증폭기 실제 증폭가능 한 정도를 측정해야 하기 때문에 직접 실험을 해 보지 않고는 예측이 어렵다.