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반도체용 케미컬 ㈜인화이엔지
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반도체용 PROCESS CHEMICAL 반도체 제조공정에서 사용되는 세정,Etch,Strip 등의 공정에 사용되는Process Chemical로 다음과 같은 재료 특성을 구비해야 한다. 첫째, 반도체 디바이스에 유해한 요인을 공급하지 않을 것 둘째, 파티클의 발생원이 되지 않을 것 셋째, 프로세스의 성능을 저하시키는 물질을 생성시키지 않을 것 따라서, 유해 금속원소, 파티클, 오염물질 등을 최소화하기 위해 Chemical의 제조 및 품질을 철저히 관리하는 것이 가장 중요하다.
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반도체용 PROCESS CHEMICAL의 종류
과수(H2O2) : 암모니아수 및 초순수 등과 혼합되어 표면의 오염물질 제거용 세정제로 사용 또한, 황산 등과 혼합되어 유기물의 세정제로 사용. 황산(H2SO4) : 과수 등과 혼합하여 유기물 세정용으로 사용. 암모니아(NH4OH) : 과수 및 초순수 등과 혼합하여 표면의 오염물질을 제거용 세정제로 사용. IPA((CH3)2CHOH) : 표면의 유기물 세정 또는 수분제거에 사용 또한 배선의 부식을 방지하는 온충용액으로 사용되기도 함. 질산(HNO3) : 장비의 세정용으로 사용. 또한 타 Acid와 혼합하여 식각액으로 사용. 염산(HCl) : RCA처리 후 금속이온 등의 제거용 세정제의 일부로 사용. 초산(CH3COOH) : 표면 세정 및 타Acid와 혼합하여 세정공정 등에서 Uniformity를 향상시키는 완충용액으로 사용. 인산(H3PO4) : Silicon Nitride의 식각액 또는 기타 식각액의 일부로 사용. 불산(HF) : Silicon Oxide의 식각액으로 사용. 아세톤(CH3COCH3) : 표면의 유기물 제거 및 장비의 세척용으로 사용. 메탄올(CH3OH) :표면의 유기물 제거 및 장비의 세척용으로 사용. 에탄올(C2H5OH) : 장비 세척용으로 사용.
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