오츠카전자 ㈜ LCD, PDP 사업부 Light Scattering , 계측기 사업부 의료장비 사업부 (ZETA-Potential, Particle Size Analyzer, 고농도Particle Size Analyzer ,Light Scattering, 용출시험기, UV-Vis Spectrophotometer) 의료장비 사업부 Otsuka Electronics Co.,Ltd

Material Characterization 신소재해석 Material Characterization ●레이저광산란법 (Laser light scattering) ·입경　　　　　　 ·절대분자량 ·ζ전위 (Particle size) (Molecular weight) (Zeta-potential) DLS/ELS/FPAR DLS/SLS ELS ELS-8000/6000 DLS-7000/SLS-6000 FPAR-1000

Dynamic Light Scattering Products of Material Characterization Otsuka Electronics Co.,Ltd

Material Characterization 신소재해석 Material Characterization 입 경 입경분포 Particle Size Particle Size Distribution 입자경 입자명칭 측정법 1 m m 세 재 광 학 현 미 경 , 2 차 원 이 지 센 서 식 염 콜 타 카 운 동적광산란법 1 분 말 활 성 탄 자 연 침 강 법 , 원 심 레 이 저 회 절 법 ? Dynamic Light Scattering 1 라 텍 스 , 에 멀 전 전 분 측정범위　3nm～5μm (He-Ne Laser) 1.4nm～5μm (Ar Laser) 화 장 품 , 베 이 비 파 우 더 동 적 광 산 란 법 , 알 곤 램 프 1 유 기 안 료 카 본 블 랙 리 포 좀 금 속 미 립 자 전 자 현 미 경 전자현미경(EMS)값과의 비교 콜 로 이 드 상 태 실 리 카 1 n m nm 미 셀 1 1 n m d(E MS) 1 1 n m L y s o z y m e 1 ( 3 x 3 x 4 n m ) t - R N A 1 (4X5X6nm) 폴리스틸렌라텍스 1 1 1 1 1 d(DLS) nm

Material Characterization 신소재해석 Material Characterization 측정원리 Principle of Measurement 입경측정 Measurement of Particle Size 셀 블럭 Pinhole 측정 셀 Cell 광전자증배관 H e - N e 레이저 Cell Block PMT He-Ne Laser 핀 홀① Pinhole 브라운운동을 하고 있는 콜로이드 입자 핀 홀② ND필터 ND Filter Brownian movement He-Ne 레이저 10mW(632.8nm) 광전자증배관 PMT He-Ne Laser

Fiber-Optics Particle Analyzer 산란광의 흔들림해석 Fiber-Optics Particle Analyzer ＦＰＡＲ－１０００ 광자상관법 FFT法 산란강도의 흔들림 Ln(Ｇ2(τ)ｰ1) 입경분포 Ｇ2(τ) Contin法 Marquadt法 자기상관함수 산란강도 감쇄의 차이로 입자경을 구한다. 시간 (t) 상관시간 (τ) 상간시간 (τ) 粒径 (d) 小粒子　　　　　　　　　　　　　　　　　大粒子 산란강도의 흔들림 Curve fit法 （反復法） 입경분포 FFT解析 산란강도 시간 (t) (f) (f) 粒径 (d) Curve fit법으로 해석 반치폭의 차이로 입자경을 구한다. 大粒子　　　　　　　　　　　　　　　　　小粒子

서로 다른 입자경의 산란강도와 자기상관함수의 관계 Fiber-Optics Particle Analyzer ＦＰＡＲ－１０００ 소입자의 산란강도와 자기산광함수 G2(τ) 산란강도 (t) (τ) 소입자의 산란광은 강도가 급격하게 변동한다. 소입자의 자기상관함수는 급격히 감쇄한다. 대입자의 산란강도와 자기상관함수 G2(τ) 산란강도 (t) (τ) 대입자의 산란광은 강도가 완만하게 변동한다. 대입자의 자기상관함수는 완만하게 감쇄한다.

Fiber-Optics Particle Analyzer 동적광산란법의 해석원리ｰ① Fiber-Optics Particle Analyzer ＦＰＡＲ－１０００ ●동적광산란법의 원리 산란광의 흔들림을 측정하고, 자기상관함수로 해석하여 얻어지는 Ｇ2(τ)은 (1)식으로 나타낼 수 있습니다. 　　　Ｇ2(τ)＝１＋α（Ｇ1(τ)）2 …(1) Ｇ2(τ)：2차 자기상관함수 Ｇ1(τ)：1차 자기상관함수 τ：상관시간（μsec）、α：정수 입경이 단분산의 경우,Ｇ1(τ)은 指数함수를 사용하여 (2)식으로 나타낼 수 있습니다. 　　　Ｇ1(τ)＝exp（－Γτ） …(2) 　　　Γ＝ｑ2Ｄ …(3) 　　　ｑ＝４πｎ0／λ0・sin(θ/２） …(4) 　 Γ：감쇄정수 Ｄ：확산계수（브라운운동） ｑ：산라벡터 θ：측정각도 ｎ0：용매의 굴절율　 λ0：레이저광의 파장 여기서, (2)식의 양변에 자연대수를 취하면, (5)식으로 나타낼 수 있습니다. 　　　ln(Ｇ1(τ))＝ －Γτ …(5) 즉, 자기상관함수의 종축을 자연대수로 표시하여 얻어진 그래프의 기울기에서 확산 계수(Γ)를 얻을 수 있으며, 아인슈타인・스토크의 식을 이용하여 입경(ｄ)을 계산할 수 있습니다. G2(τ) (τ) Ln（G2(τ)-1) ●아인슈타인・스토크의 식 이 초기 기울기로 부터 　 감쇄정수(Γ) ⇒ 확산계수(Ｄ) ⇒ 입경(ｄ)을 구할 수 있다. 상기의 이론전개로 얻어진 확산계수Ｄ에서, 다음식을 사용하여 입경ｄ를 구할 수 있 습니다. 　　　ｄ＝ｋＴ／（６πη0Ｄ） …(6) 　　　 ｄ：유체역학적 반경（스토크 반경） Ｔ：절대온도 　　 ｋ：볼트만 정수 η0：용매의 점도 (τ)

Fiber-Optics Particle Analyzer 동적광산란법의 해석원리ｰ② Fiber-Optics Particle Analyzer ＦＰＡＲ－１０００ ●서로 다른 입경분포의 해석 개요 Ln（G2(τ)-1) 粒径分布 입경분포해석은,자기상관함수（Ln(Ｇ2(τ)-1）의 기울기 성분을 구하기 때문에 상관함수의 형태가 직선인지 곡선인지에 따라, 서로 다른 입경분포가 얻어집니다. ①자기상관함수가 직성일 경우　⇒　샤프한 단일분포 ②상관함수가 완만한 곡선일 경우　⇒　완만한 분포 　　　　　　　　　　　　　　　　（근접된 다성분 피크） ③상관함수가 극단적인 곡선의 경우　⇒　다성분 피크의 분포 (τ) (d) Ln（G2(τ)-1) 粒径分布 (τ) (d) Ln（G2(τ)-1) 粒径分布 (τ) (d)

Fiber-Optics Particle Analyzer 동적광산란법의 개요 Fiber-Optics Particle Analyzer ＦＰＡＲ－１０００ 산란강도의 흔들림 자기상관함수 자기상관함수의 입경・입경분포 해석 Ｇ2(τ) Ln(Ｇ2(τ)ｰ1) 粒径分布 브라운운동을 하고있는 콜로이드 입자 산란강도 小粒子 ⇒급속히 감쇄 ・핀홀 광학계 ・광전자증배관 (t) (τ) (τ) (d) 小粒子 ⇒산란강도가 심하게 변동 Ｇ2(τ) Ln(Ｇ2(τ)ｰ1) 粒径分布 PM ・小粒子 　⇒브라운운동이 격심하다. ・大粒子 　⇒브라운운동이 완만하다. 산란강도 大粒子 ⇒완만히 감쇄 (t) (τ) (τ) (d) 大粒子 ⇒산란강도가 완만하게 변동 Ｇ2(τ) Ln(Ｇ2(τ)ｰ1) 粒径分布 (τ) (τ) (d) 혼합샘플 ⇒급속한 감쇄성분과 완만한 　감쇄성분이 섞여 있다. 혼합샘플 ⇒서로다른 기울기 성분이 섞여있다. 혼합샘플 ⇒서로다른 입경성분이 입경 분포로 해석된다.

Products of Material Characterization Electrophoretic Light Scattering Products of Material Characterization Otsuka Electronics Co.,Ltd

Material Characterization 신소재해석 Material Characterization 제타전위 Zeta-Potential 전기영동광산란법(레이저 도플러법) Electrophoretic Light Scattering 표면전위 Stem면 콜로이드입자의 계면화학적 성질 제타전위 측정범위：-100mV～100mV Stem전위 pH Dependency of Size & Zeta-Potential of Al2O3 미끄러운면 Zeta전위 pH에 의한 δ-아루미나의 제타전위와 입경의 변화 - (표면부터의 거리) 분산,응집,안정성,입자 기능성의 제어 지표 Z e t a P o t e n t i a l ( m V ) ○:δ-마루미나의 pH를 변화시 켰을 때의 제타전위의 변화 - ( n m ) +40 1 8 1 6 +20 1 4 1 2 Electric Repulsion 하전의 중화 1 하전 8 -20 6 4 -40 :δ-아루미나의 pH를 변화시켰을 때의 입경의 변화 - 2 Dispersion Aggregation (분상,안정) (불안정,응집) 1 4 (Stabilization) (Unstable) ( )

전기이중층모델과 각종전위 입자표면 미끄러운면 Zeta전위 표면에서의 거리

입자의 대전상태와 산란안정화의 모델 ＜응집계＞ ＜분산계＞ 미끄러운면 하 전 하전의 중화 ① ② ③ Zeta전위 ： 小 하 전 하전의 중화 ① ② ③ Zeta전위 ： 小 입 경 ： 大 Zeta전위 ： 大 입 경 ： 小 ① 콜로이드 입자 ② 고정층 ③ ζ전위를 포함하는 이온의 확산층

상이한 계면활성제에 의한 분산안정화 ～ 입경의 경시변화와 Zeta전위의 관계 ～ Ａ：물에 분산 Ｅ：헥사메탄산나트륨 사용 계면활성제에 의한 산화티탄(TiO2)의 입경경시변화에 따른 분산·안정화 ζ電位＝－17.34mV Ａ：물에 분산 Ｅ：헥사메탄산나트륨 사용 ζ電位＝－48.86mV E：핵사메탄산나트륨

Principle of Measurement Zeta전위의 측정원리 Principle of Measurement ｰ　Zeta Potential　－ Otsuka Electronics Co.,Ltd

전기영동광산란법의 측정원리 ～ 레이저도플러법에 의한 측정원리 ～

전기영동광산란법의 해석원리-① 파워스팩트럼

전기영동광산란법의 해석원리-②

Smoluchowski식과 Hukel식의 비교 Zeta전위를 포함하고있는 이온의 확산층 Zeta전위를 포함하고있는 이온의 확산층 고정층 고정층 콜로이드 입자 콜로이드 입자

전기침누류의 해석원리 ～　모리·오까야마의 식을 사용　～ ＜ 모리·오까야마의 식 ＞

～ 실제 입자의 Zeta전위를 구하기 위하여 ～ 입자의 전기영동과 용매의 전기침투류 ～　실제 입자의 Zeta전위를 구하기 위하여　～ （1）셀내에서 입자의 전기영동 마이너스 전하 입자를 예로 들면, 입자는 셀의 어느 위치에서 든지 같은 속도로 플라스전극쪽으로 전기영동합니다. （２）셀내 용매의 전기 침투류 셀내에 가득찬 용매는 셀 근방에서 셀표면의 전하 (통상 석영글래스의 경우는 마이너스로 대전하고 있다)에 의해 역 플러스전하를 띄고 있습니다. 이때문에 이 계에 전장을 걸면 플러스로 하전된 셀근방의 용매가 마이너스전극 측으로 영동하여, 셀 중앙에서는 역 플러스전극 측으로의 흐름이 생깁니다. 이 영동현상을 전기침투류라고 부릅니다. （３）셀내 입자의 외관 전기영동 입자는 용매 중에 분산되어 있기때문에 셀내에 있 어서 입자의 외관 전기영동에는 용매의 전기침투 효과가 포함되어 있습니다. 때문에 셀내에서 전기침투효과가 외관상 없어지는 위치 즉, 정지면에서 측정하지 않으면 실제입자의 전기영동을 측정해야만 한다. 정지면 정지면

전기침투류 측정에 의한 高精度 Zeta전위측정 ～ 평판시료의 표면Zeta전위측정의 응용 ～ （４）더러워진 셀에있어 용매의 전기침투류 셀내벽에 시료가 흡착하거나 침전에 의해 셀 아래 면에 시료가 가라않아 버리면 셀내의 전기침투류 가 변화됩니다. 이 상황에서는 셀의 형태에서 구한 정지면의 위치 와 실제 정지면의 위치가 달라져 버립니다. （５）더러운 셀을 사용한 경우의 입자전기영동 셀이 더러원진 상태에서 입자의 전기영동을 셀의 형태로부터 구한 정지면에서 측정을 하면 정확한 Zeta전위를 구할 수 없습니다. ELS시리즈는 셀내의 다른 위치에서의 외견 전기 영동을 측정하고, 용매의 전기침누류를 구함 으로써 정확한 정지면을 다시구하기 때문에 항상 실제입자 의 Zeta전위를 측정할 수 있습니다. 또한 이 측정에서 셀의 더러운 상태를 체크할 수 있음과 동시에 평판시료용 셀을 사용함으로써 평판 상태의 고체시료의 표면 Zeta전위를 측정할 수있게 되었습니다. 정확한 정지면 틀린 정지면 오염 정확한 정지면 틀린 정지면 오염

혼합시료의 Zeta전위 ～ 5종류의 폴리스틸렌라텍스 혼합계～ 라텍스혼합시료의 Zeta전위분포 측정 시 료：폴리스틸렌라텍스 ５종류 　입경치：137nm, 212nm, 394nm,605nm,1000nm 　　　　　（PS Latex605nm는 HPC코팅처리） 용 매：1.5mg/ml SDS를 포함하는 10mM NaCl수용액 （１）라텍스혼합시료의 Zeta전위분포 ５종류의 라텍스입자 각 성분의 Peak가 관측되고 있다. （２）셀내에서 관측되는 혼합시료의 외관 Zeta전위분포 라텍스입자의 Zeta전위분포가 셀내의 전기침투류에 의해, 관측하는 셀위치에 따라서 평행이동하고 있는 것을 알 수 있다. （２）셀내에서 관측되는 혼합시료의 외관Zeta전위분포

pH에 의한 σ-알미늄의 Zeta전위와 입경의변화 （ pH Dependency of Size & Zeta-Potential of Al2O3）

ＡＯＴ첨가에의한 Zeta전위변화

프린터용 칼라잉크의 Zeta전위 ●프린터용 잉크의 측정 각 색의 유기안료의 Zeta전위 안료메이커 뿐만아니라 프린터를 제조하는 　　　　　　　　　↓ 　　　각각의 색에서 안정시키는 것이 중요 　　2)분산된 상태를 유지하는 것이 중요 　　　응집하여 굳으면, 잉크젯 등에서는 분사가 되지 않아 색무라로 이어진다. 제품수명, 품질향상을 위한 조건검토 +22.6mV +19.2mV -5.1mV -43.2mV

신소재해석 Material Characterization ●광촉매기능을 가지는 산화티탄의 표면처리에 의한 Zeta전위의 변화 （Electrophoretic Light Scattering） ●광촉매기능을 가지는 산화티탄의 표면처리에 의한 Zeta전위의 변화 （산성비의 pH영역） 산화티탄 표면처리 80 60 40 20 -20 -40 -60 -80 2　 　 3 　　 4 　　 5 　 　6 　　 7 　　 8 　　9 pH 　　　　표면처리 없음 　　　　　 SiO2처리 　　　　 Al2O3처리 　　　 SiO2+Al2O3처리 Zeta전위mV) 오염입자가 마이너스 전하를 가질 경우, 실리카처리를 하게되면 음전하 끼리의 반발에 의한 오염흡착방지 효과가 기대된다.

산소플라즈마 처리 전후의 Carbon Black의 표면특성   pH acid value (meq/g) base value CB-0 CB-5 CB-10 CB-20 CB-30 6.39 6.00 5.05 4.74 6.34 1200 1500 1900 2200 1400 300 400 700 600 다음은 산소 플라즈마 처리 시간에 따른 카본블랙의 표면 특성을 본 실험결과 입니다. 이 실험에서는 플라즈마 처리를 함으로써 카본블랙표면에 극성 관능기의 증가로 산도가 낮아지고 zeta potential의 값이 양으로 변하는 것을 확인한 것입니다. 위 두 결과와 같이 산소플라즈마 20분 처리한 경우 표면의 극성 관능기의 증가로 복합재료 표면의 결합력을 증가시킴을 알 수 있었습니다. 이와 같이 zeta potential로 탄소의 표면 개질에 대한 변화를 볼 수 있으며 플라즈마 처리 전후의 표면 특성 및 적당한 처리 조건을 찾아가는데 유용하게 사용되고 있습니다. (박수진 박사님 논문) -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 아래 부분은 그래프에 대한 자세한 내용입니다, 발표 전에 한번 보시면 도움이 되실 것 같습니다. 먼저 ,오른쪽의 표는 산소 플라즈마 처리에 의해 카본블랙 표면의 변화를 본 표로 처리시간이 증가함에 따라 산도와 염기도가 함께 증가함을 볼 수 있었습니다. 이는 플라즈마 처리로 인해 카본 블랙에 도입된 하이드록시기, 카르복시기와 같은 산성 관능기를 발달시켜 표면 산도가 크게 증가하였으며 퀴논이나 락톤기와 같은 염기성 관능기의 발달로 표면염기도 또한 함께 증가하였습니다. 플라즈마 처리시간이 20분일 때 가장 큰 표면산도를 나타내었으며 그시간 이후에는 처리시간 증가에 따라 감소함을 나타내었습니다. 이는 플라즈마에 의해 카본블랙 표면에 크게 발달한 관능기의 경우 일정한 처리시간 동안 충분한 반응이 일어난 후에는 처리시간이 증가하여도 더 이상 카본블랙 표면과 반응하지 않고, 활발한 운동을 하고 있는 입자들에 의해 카본블랙 표면에 도입된 약한 결합을 하고 있는 관능기가 방출되어 표면산도가 감소한 것으로 관찰 되었습니다. 이 sample 들의 zeta potential을 측정한 결과에서도 미처리한 카본블랙에 비하여 플라즈마 처리로 인하여 산성 관능기의 증가로 인해 음의 전하를 나타낸 제타전위가 증가한 것을 그림 처럼 볼 수 있었습니다. 표면산도 결과에서 살펴보았듯이 처리시간이 증가할수록 표면산도 즉, 산성 관능기의 증가로 인해 제타전위 또한 증가한 반면 처리시간 20분 이후 표면산도의 감소와 마찬가지로 제타전위 또한 감소한 하였습니다. 이와 같이 산성 관능기의 증가로 인해 제타전위 또한 증가한 반면 처리시간 20분 이후 표면산도의 감소와 마찬가지로 제타전위 또한 감소한 것을 볼 수 있었습니다. 산소 플라즈마 처리에 의해 카본블랙 표면에 도입된 산성관능기가 제타전위의 주요 인자로 작용하고 있음으로 확인 할 수 있었습니다. 카본 블랙 표면의 산도와 zeta potential 외의 XPS, 기계적 성질을 고려해 본 결과 20분 처리한 카본블랙의 경우 표면의 극성관능기의 증가로 복합재료 계면의 결합력을 증가 시켜 산소 플라즈마 처리 하지 않은 것에 비해 결합력이 향상됨을 확인할 수 있었던 실험이였습니다. Figure . Zeta potential of the carbon blacks by Oxygen Plasma studied. Table. Results of pH and Acid-Base Values of the Carbon Black Treated by Oxygen Plasma Studied.

정전기적 안정성과 입체안정성의 차이 공기중의 Ferrofluid에 pH변화에 따른 ZETA-Potential 정적기적 안정성이란 콜로이드나 무기물입자에 이온교환 (ex: pH의 변화 , 이온세기의 변화) 에 의하여 분산되는 메커니즘 (DLVO, Van Der Walls에 관계) 입체안정성이란 콜로이드나 무기물입자에 고분자 첨가물로 분산하여 입자의 코팅 또는 안정성을 주는 메커니즘 저농도 입자의 가교형성 중농도 입체안정성 형성 고농도 고분자의 고갈 또는 결합 공기중의 Ferrofluid에 pH변화에 따른 ZETA-Potential

Application Data of Surface Zeta Potential Otsuka Electronics Co.,Ltd

고체표면의 Zeta전위측정 가능성 입자 이외의 샘플은 측정할 수 없는가？ 평판시료용 셀

평판상태시료의 고체표면 Zeta전위 측정원리 셀의 한쪽면을 평판상태 시료로 교체하면 셀내의 전기침투류는 시료표면의 Zeta전위에 의존하므로, 전기침투류를 관측함으로 써 평판시료의 표면Zeta 전위를 측정할 수 있습니 다. 고체샘플표면

Fluorinated Carbon fiber의 표면 변화 평판 cell을 이용하여 카본 fiber을 F화 시키지 않은 fiber에 비하여 F처리를 하였을때 표면의 변화를 연구한 것입니다. 이 그림은 F의 처리를 하여 F/C의 비를 위와 같이 5가지로 변화를 주고 pH와 염농도를 다르게 하여 각각의 zeta potential을 측정한 결과로 (a)는 pH변화를 준 결과로 F을 처리한 것들이 F 처리하지 않은 C0에 비하여 등전점이 낮아지는 것을 알 수 있었습니다. (b)의 경우는 주변 이온종의 농도에 의해서 표면의 변화가 일어남을 알아 본 결과로 이온종 들의 농도가 진해지게 되면서 Cl이온이 표면에 흡착이 많이 일어나 zeta potential의 음의 값이 커지는 것을 알 수 있었습니다. 즉, 플루오르화를 통해 카본 fiber의 극성을 향상 시키고 있음을 확인 할 수 있습니다. 이와 같이 solid 형태의 카본 fiber의 경우 또한 zeta potential의 측정을 통하여 carbon fiber의 표면 조성 및 표면의 산성도(or 염기도), 반응성 등 fiber의 표면 변화를 확인 할 수 있게 됩니다. Zeta potential - pH plot of fluorinated Carbon fibers (b) Zeta potential –KCl concentration plots for fluorinated Carbon fibers

ＰＥＴ필름표면의 Zeta전위 ～ 산화처리에 따른 표면전위의 변화 ～ PET필름 표면처리(산화처리) 전후의 표면Zeta전위 측정

ZETA-Potential과 표면전하밀도 및 흡착량의 관계 아크릴섬유에 pH변화에 의한 ZETA-전위의 영향 아크릴 섬유에 pH변화에 의한 표면전하밀도의 영향 아크릴섬유에 pH변화에 의한 염료 흡착량의 영향

접촉각 측정과 ZETA-Potential의 관계 Ne-bombarded 와 Na-implanted PS의 Fluence 와 접촉각 Fluence 와 ZETA-Potential 과의 관계 ZETA-Potential과 접촉각 과의 관계

Surface Zeta-Potential과의 관계 실리콘웨이퍼의 접촉각 측정과 Surface Zeta-Potential과의 관계 Hydrophilicity (25°) Surface Zeta Potential: -40.23 (mV) Surface Zeta Potential: -23.12 (mV) Hydrophobicity (137°)

유리표면에 양이온계면활성제의 흡착 （１）마이너스로 하전한 유리판표면의 Zeta전위 측정(BLANK실험) 　　（용매：１ｍＭ ＮａＣｌ용액） （２）유리표면의 마이너스전하가 CTAB의 유리전하에 의해 중화된상태 　　표면의 Zeta전위＝＋１．３ｍＶ 　　（용매：１x１０－５ｍｏｌ／ｌ　CTAB 를 포함하는 １ｍＭ ＮａＣｌ용액） （３）유리표면에 과잉 CTAB가 흡착하여 표면이 플러스로 하전한 상태 　　표면의 Zeta전위＝＋４８．４ｍＶ 　　（용매：１x１０－４ｍｏｌ／ｌ　CTAB 를 포함하는 １ｍＭ ＮａＣｌ용액）

실리콘웨이퍼의 계면활성제흡착과 세정에 의한 Zeta전위변화 ●실리콘웨이퍼상의 산화막의 표면전위 및 계면활성제의 흡착· 세정에 있어서의 표면전위의 변화 측정순서 1)실리콘웨이퍼（30x60mm）를 세트 2)10mMNaCl수용액에 분산시킨 모니터 라텍스를 사용하여 측정 3)상기의 용매에 카티온성계면활성제 　(10-5MCTAB）를 첨가하여 웨이퍼 위에 계면활성제를 흡착시킨 상태에 서 표면전위를 측정 4)10mMNaCl수용액 50ml로 셀 내부를 세정 5)2)와 같은 용매를 사용하여 세정 후 　시료의 표면전위를 측정

Material Characterization 신소재해석 Material Characterization ●외벽재(타일)의 표면전위 측정 평판 셀로 측정 태양광 타일표면에 코팅한 광촉매의 효과 검토 　　　　더러움이 고착되지 않고 잘 씻겨내림 　　　　항균작용 HO- 기재 基材 기재 표면에 태양광(자외선) 　　　이 닿으면 표면이 물과 친해지기 쉬운 친수기（-OH）가 증가 친수효과 발생의 메커니즘 　　빛이 닿으면 친수기(-OH)가 증가하여 　　물과 친해지기 쉬운 상태가 됨. 　　　　　　　　↓ 　　더러움과 타일사이에 물이 침투하여 　　더러움이 들뜨게 하여 씻어냄

Material Characterization 신소재해석 Material Characterization 평판셀을 사용한 전위측정 응용례

Zeta전위 측정결과 출력례 측정자, 샘플의 정보 전기침투플롯표시 Zeta전위분포표시 Zeta전위 해석결과 정지면과 셀오염의 확인 Zeta전위분포표시 성분 마다 Zeta전위를 표시 Zeta전위 해석결과 해석결과의 상세를 표시