Biasing Types of a Diode (Forward) The negative side of the bias voltage push the free electrons in the n-regio n toward pn junction Also provide a continuous flow of electron through the external connection into n-region Bias voltage imparts energy to the free electrons to move to p-region Positive side of bias voltage source attracts the electrons which are left in p- region Holes in p-region act as medium or pathway for these electrons to move through the p-region
(+) side of bias voltage pulls the free electrons in the n-region away from p-n junction additional positive(+) ions are created, widening the depletion region. In the p-region, electrons from (–) side of the voltage source enter as valence electrons electrons move from hole to hole toward the depletion region, then create additional negative(–) ions. As the depletion region widens, the availability of majority carriers decreases. Biasing Types of a Diode (Reverse)
n-p-n 트랜지스터
p-n-p 트랜지스터 ( 증폭기 )
트랜지스터 회로 표기 화살표는 전류의 방향을 표시
Thermal electron current p-region 에서 열에너지에 의 해 생긴 electron-hole pair 의 전자가 n-region 으로 이동해 서 발생하는 전류 recombination electron current n-region 에서 열에너지에 의해 생 긴 electron-hole pair 의 전자가 p- region 으로 이동해서 hole 과 결합 하며 발생하는 전류 Hole 에 대해서도 전자와 똑같이 설명할 수 있음
태양전지 빛을 p-n 접합 근처에 비추면 접합부에서 electron-hole pair 가 생김 전자는 conduction band 로 올라가고 hole 이 valence band 에 형성됨 전자는 n-region 으로, hole 은 p-region 으로 이동 n-region 에서 새로 생긴 자유전자들은 외부회로를 통하여 p-region 으로 이동 하며 전류를 형성 반도체의 두께 는 1μm 정도