Company Profile ㈜티씨케이

목 차 현 황 연 혁 조직도 투자회사소개 주요사업영역 경영실적 및 계획 주요고객사 현황 주요제품 소개

현 황 1st plant 2nd plant 회 사 명 ㈜티씨케이 설립년도 1996년 8월 7일 자 본 금 58.4억 자본금구성 Tokai Carbon Co.,Ltd 35.40% K.C.Tech Co.,Ltd 28.32% 공장규모 1공장 대 지 : 9,917.4㎡ (3,000평) 건 물 : 6,611.6㎡ (2,000평) 2공장 대 지 : 21,488㎡ (6500평) 건 물 : 13,884㎡ (4200평) 제품출시 1997년 9월 KOSDAQ등록 2003년 8월 18일 1st plant 2nd plant

1996 ~ 현재 연 혁 History of TCK 1996. 08 Tokai Carbon Korea Co.,Ltd 설립 1997. 09 제 1공장 준공(고순화 1호기 준공) 1998. 10 ISO 9001:1994 인증 2001. 10 ㈜티씨케이로 법인명 변경 2002. 08 CVD SiC 1호기 준공 2003. 08 KOSDAQ 시장 등록 2004. 04 CVD SiC 2호기 준공 2005. 06 CVD SiC 3호기 준공 History of TCK 2006. 12 IS0 14001:2004 인증 2006. 12 고순화 2호기 준공 1996 ~ 현재 2007. 11 CVD SiC 4호기 준공 2008. 03 Green Energy 우수기업대상 수상 2008. 12 대한민국 500백만불 수출탑 수상 2011. 05 2공장 준공 CVD SiC 5, 6호기 고순화 3호기

조직도 사장 부사장 영업본부 생산본부 품질개발본부 경영지원본부 2011년 9월 기준 총인원 : 152 명 영업1팀 생산1팀 선행기술팀 경영지원팀 영업2팀 생산2팀 QM팀 총무자재팀 생산관리팀 시설안전팀 생산기술팀 설계팀

투자회사소개 TOKAI CARBON K.C.Tech ◎ TOKAI CARBON Co.,Ltd ◎ K.C.Tech Co.,Ltd 설립년도 : 1918. 4. 8 본 사 : Tokyo 공 장 : Tanoura, Chigasaki, Honfu, Ishinomaki, etc. 해외사업부 : Korea, USA, China, Thailand, etc. 주요생산품 : Artificial Graphite Electrodes Carbon Black Carbon and Engineered Products Friction Materials, etc. TOKAI CARBON http://www.tokaicarbon.co.jp ◎ K.C.Tech Co.,Ltd 설립년도 : 1987. 2. 16 본 사 : 경기도 안성 공 장 : 안성 1, 2, 3 공장, 서울사무소 관 계 사 : 자회사 DOE, DOT Joint Venture : TCK, KPC, KKT 주요생산품 : FPD (Wet Station, Coater, Track) Semi (Wet Station, CMP, CMP Slurry) Facility (Gas Supply System) K.C.Tech http://www.kctech.co.kr

주요사업영역 반도체 & 태양전지용 Graphite 부품 LED용 Wafer Carrier SiC Dummy Wafer 반도체장비용 CVD SiC부품 SiC Cathode Si Cathode SiC Ring ESC 열교환기 SiC Heater, SiN Tube 각종 Heater류 Photo Chuck T-SiC코팅사업

경영실적 및 계획 단위 : 억원 TOKAI CARBON KOREA 계획

주요 고객사 현황 Domestic Abroad Semi. Device maker LED Device maker Wafer Norway AS Solar Si wafer maker Norway Semi. Si wafer maker Semi/solar Equipment maker Semi. Si parts maker Solar poly Si maker Kwangju Solar Si wafer maker USA LED equipment maker

주요제품 소개 고순도 Graphite 부품 CVD SiC Coated 부품 LED Wafer Susceptor Carbon & Carbon Composite 부품 Etcher장비용 CVD SiC Electrode & Ring Solid SiC Wafer

고순도 Graphite부품 반도체용 Wafer 및 태양전지용 Wafer를 생산하기 위한 Crystal Grower의 특 징 1. 고온에 강한 내열성 2. 온도와 강도의 비례성 3. 높은 열전도율 4. 금속보다 낮은 열팽창률 5. 높은 내화학성 용 도 1. 단결정,다결정용 고순도 Graphite 부품 - Heater, Crucible, Gr Shield/Ring류 - Reflector,Wafer holder,etc. 2. 반도체 제조 장치용 부품 - Plates and others

CVD SiC Coated 부품 반도체 제품의 고집적화에 따라 Graphite소재로부터 Out gassing, Particle 특 징 1. 초고순도화 가능 2. 산화분위기에서도 사용가능 3. 급속 국부가열에 강함 4. 미세가공형상에서도 균일한 코팅 5. 높은 내화학성 용 도 1. Crystal Grower의 Hot Zone 부품 2. Epitaxy용 Susceptor 3. ALD용 Susceptor 4. MOCVD용 Wafer Succeptor 5. 반도체관련 Heater SiC layer SiC＋Graphite Graphite

LED Wafer Susceptor LED용 MOCVD장비의 핵심부품으로 사용되고 있으며 정밀 가공기술 및 고순도 흑연 일괄생산기술과 CVD SiC coating 기술을 접목시킨 제품으로 국내에서 최초로 국산화를 실현하였음. 특 징 1. GaN, GaAs 분위기에서 사용 2. 초고순도 3. 우수한 내화학성 4. OutGassing이 거의 없음 용 도 1. LED(Light Emitting Diode)용 Wafer Carrier 2. LD(LASER Diode)용 Susceptor 3. EPI Susceptor 등

Carbon & Carbon Composite 부품 Carbon & Carbon Composite는 우수한 강도 특성을 가진 탄소섬유와 탄소Matrix로 이루어져 있어 고온에서 강도저하가 없는 이상적인 내열 복합재임. 반도체관련 부품 또는 고온의 내열제품으로 많이 사용되고 있음. 특 징 1. 초경량 2. 내열성, 열충격에 우수 3. 낮은 열팽창률 4. 높은 내화학성 5. 고순도 용 도 1. Grower의 Crucible, Ring, Bolt류 2. 반도체 관련 부품 3. 고온도 내열 구조 4. ALD용 Heater재 5. Solar PECVD용 Tray

CVD solid SiC shower head Etcher장비용 CVD SiC Electrode & Ring Plasma Etcher 장비 Chamber내의 상부에 장착되는 electrode는 Etching 공정 GAS 의 균일한 분사 및 Cathode의 역할을 하는 부품으로 자체 기술로 전 생산공정의 완전 국산화 실현. CVD solid SiC ring은 Si ring대비 2배 이상의 Life time으로 장비 PM주기 증가 가능. CVD Solid SiC 특 징 1. 표면 및 HOLE 내면조도 우수 2. Etching Gas의 균일한 분사 3. 높은 내화학성, 내plasma성 4. 6N이상의 고순도 5. 반도체장비 부품용 Si의 대체 가능재료 용 도 1. 반도체의 Etching 공정에 사용하는 부품으로 반응성 GAS의 균일한 분사 역할의 상부전극. 2. 하부전극 ESC의 side ring으로 ESC보호 와 plasma focusing으로 이방etch. CVD solid SiC shower head CVD Solid SiC Ring Silicon Cathode

Solid SiC Wafer CVD기법으로 생산한 SiC 소재로서, 초고순도 Solid CVD SiC Wafer를 국내에서 최초로 국산화 실현하였음. 특 징 1. 고온에 의한 열변형이 없음 2. Out Gassing이 거의 없음 3. Life Time이 기존 Si Wafer보다 길다 4. 높은 내화학성 용 도 1. Diffusion공정용 2. LP-CVD용 3. Sputter용 4. Etching 등의 Dummy Wafer로 사용