1 Manual Wet Station 구매사양서 문의처변상섭 책임연구원 (NCNT) 연락처 ,

2 I. 장비 도입 개요 1. 사용 목적 : SiC 전력반도체 제작 시 필요한 아래의 습식 식각 및 세정 공정을 진행하기 위해 본 장비를 도입한다. 가. 질화막 습식 제거 나. Wafer 표면에 부착된 Particle, 1&2 족 금속 불순물 제거 다. Wafer 표면에 성장한 자연산화막 제거 라. Si 습식 식각 및 표면처리 마. 습식공정이 진행된 Wafer 를 DI Water 로 세정  장비 개요 가. Chemical Wet Bath: 인산, SC2, DHF, TMAH ( 총 4 개 ) 나. QDR Bath: 1 개의 Hot DI Bath, 3 개의 Cold DI Bath 다. Max. Water Size: 8inch Wafer 라. Batch Size: 25 매 /batch 1cassette 3. 장비도입 계약 범위 및 조건 가. 검수완료 전 소요되는 모든 비용 (Fab. 반입의 도비, Utility Hook-up 등 재료 등 ) 은 낙찰된 업체에서 부담한다. 나. 검수는 뒷장에 제시된 장비 및 공정 Acceptance 모든 항목에 대해서 규격을 만족한 후 진행된다. 다. Warranty 는 검수완료 시점으로 1 년이며, Parts 와 Labor 를 모두 포함한다. 라. 검수 시 System Electrical Schematic, 소모성 Spare Parts 도면, Parts Number Sheet 를 제출한다. 마. 검수는 NCNT 에 장비 입고 후 30 일 이내로 한다.

3 II. Bath 구성 및 Bath 별 장비 규격 1. Bath 구성 인산 Bath TMAH SC2 Bath Hot DIQDR#3QDR#1 DHF Bath QDR#2

4 II. Bath 구성 및 Bath 별 장비 규격 ( 계속 ) NoModuleH3PO4SC-2DHFTMAHHot DIQDR#1~3 1 Chemical 1H3PO4HClHFTMAHHot DIDI 22 Hot DI 보충 H2O2DI 33 4Chemical Mix Ratio 원액 1:1:6100:1/500:1/1000:1 원액 5 Chemical Mixing 방식 Meas. TankMeas. Pump Hot DI Unit 6ChemicalHot DIHCl/H2O2HFTMAHHot DI 7MaterialQuartz 8Temp. 60 ℃ RT 60 ℃ 9 Chemical 공급방식 LCSS 10Operation Temp 160±3 ℃ 80±3 ℃ 23±1 ℃ 90±3 ℃ 60±3 ℃ (Hot DI Unit) Room Temp 11Bath MaterialQuartz/AccuQuartz (M/S)PTFESus HT 투명 -PVC C-PVC 12HeaterDip/Rubber HeaterDip Heater 항온조 ( 코마쯔 ) Dip Heater 13 Bath Top 부 Cooling Unit YesNo 14Bath CoverYes 15 Circulation PumpNo FS-30HT2No 16FilterNo LDDN09UVI12E51No 17 Rinse Bath 기능 Quick DrainYes 18Over FlowYes 19Flow meterYes 20 비저항측정기 NoQDR#1,3 21ShowerYes 22N2 BubbleYes 23Auto Bath CleaningYes 24 Drain TypeGravity 25Temp 50 ℃ 26Tank 45liter PTFE (Cooling Coil) 45liter PTFE (Cooling Coil) X 45liter Sus (Cooling Coil) XX 2. Bath 별 장비 규격

5 III. 장비 Acceptance 항목 및 규격 No 항목규격방법 1 H/W 구동에 관련된 항목 ( 업체 평가서 제출 ) 작동여부 Built-in Temp. Gauge 2H3PO4 Bath Temp 160±3 ℃ 3SC2 Bath Temp. 80±3 ℃ 4DHF Bath Temp 25±1 ℃ 5TMAH Bath Temp 90±3 ℃ 6Hot DI Bath Temp 60±3 ℃ 7QDR Bath Resistivity≥ 15MΩcmBuilt-in Resistivity Gauge 8 Number of LCSS Chemical ( 각 Chemical 별 2 개의 20 liter bottle, 단 HF 만 1Bottle) 5eaH 3 PO 4, H 2 O 2, HCl, HF, TMAH

6 IV. 공정 Acceptance 항목 및 규격 항목규격방법 DHF Bath 의 Oxide Etch Rate Uniformity (3σ) Within a Wafer≤ 5 %  Sample 개수 : 25points/wf * 3wf/lot * 3lots  측정 : OP3260 에 의한 Thickness 측정  Uniformity 계산방법 : 3σ 방법, 구체적인 방법은 NCNT 제시 예정 Wafer to Wafer≤ 5 % Lot to Lot≤ 5 % Total≤ 6 % TMAH Bath 의 Si Etch Rate Uniformity (3σ) Within a Wafer≤ 5 %  Sample 개수 : 5points/wf * 3wf/lot * 3lots  측정 : 3D Profiler 에 의한 Depth 측정  Uniformity 계산방법 : 3σ 방법, 구체적인 방법은 NCNT 제시 예정 Wafer to Wafer≤ 5 % Lot to Lot≤ 5 % Total≤ 6 % H3PO4 Bath 의 Si 3 N 4 Etch Rate≥ 50 Å /min  Sample 개수 : 25points/wf * 3wf/lot * 1lots  측정 : OP3260 에 의한 Thickness 측정 Bath 별 ≥ 0.2um Size ≤ 30ea  평가 장비 : Surface Scan 6Kseries

7 V. Service 1.Training : System Set-up 후, 장비 공급자는 아래 내용에 대해서 3 일간 장비 교육을 진행한다. 가. 안전교육, 장비 기본 작동법 나. Program 운용, Recipe 작성법 다. Robot Teach 방법 라. Maintenance & Error 조치 방법 2. Technical Service 가. 장비 문제로 인한 방문 요청 후 24 시간 이내 방문 나. 방문 후 3 일 이내에 장비 문제 해결 및 Report 3. 검수 후 제공 품목 가. 장비 운용에 필요한 Tool Box 나. 1 년간 유지보수에 필요한 소모성 부품 4. 검수 후 제출 문서 가. Operation, Maintenance Manual 나. 장비 Set-up Report 및 평가표 다. Installation Drawing, Schematics, Wiring Diagram, Parts Drawing 라. 장비 관리표 ( 주기, 규격, 방법 명시 )