디지털회로설계 (15주차) 17. 시프트 레지스터와 카운터 18. 멀티바이브레이터 * RAM & ROM
3. 쉬프트 레지스터
4. 존슨 3비트 카운터 설계
5. 4비트 링 카운터
3. 비안정 멀티바이브레이터
5. 단안정 멀티바이브레이터
RAM(random access memory)
메 모 리 목적 반도체 기억장치인 메모리의 읽기와 쓰기 동작을 통해 동작 과정과 측정방법을 이해하는데 목적을 둔다.
메 모 리 이 론 RAM(random access memory) RAM은 크게 SRAM(Static RAM)과 DRAM(Dynamic RAM)으로 분류할 수 있다. SRAM은 플립플롭으로 구성되어 있기 때문에 전원이 가해지고 있는 동안에는 플립플롭에 저장된 데이터가 계속 유지될 수 있다. 소자의 집적도는 떨어지나 리프레쉬(Refresh) 동작이 필요치 않아 디지털 시스템의 하드웨어 구현이 쉽다. DRAM은 MOS소자의 커패시터에 전기 신호를 인가해서 데이터를 저장하기 때문에 주기적으로 리프레쉬 동작을 해야 된다. 셀(Cell)의 구조가 간단하여 고집적 회로 실현이 가능하므로 용량이 큰 소자를 구현할 수 있다. 따라서 컴퓨터 시스템의 메모리 용량이 큰 경우는 DRAM으로 구성을 하고, 용량이 작을 경우에는 SRAM으로 구성을 한다
메 모 리 RAM 구조 (B) DRAM
메 모 리 SRAM 구조
메 모 리 ROM ROM은 기억된 정보 데이터를 읽기만 할 수 있는 메모리 소자로, 전원의 인가 여부에 관계없이 저장된 데이터가 소멸되지 않는다. ROM의 종류로는 마스크 ROM(Mask ROM), PROM(Programmable ROM), EPROM(Erasable & PROM), EEPROM(Electrically EPROM) 등이 있다. 마스크 ROM은 사용자의 요구에 따라 제조사가 데이터를 입력함으로써 단일 대량 생산에 적합한 이점이 있다. PROM은 ROM Writer를 이용하여 사용자가 필요한 데이터를 입력시킬 수 있으나 지울 수 없는 메모리이다. EPROM은 기존의 저장된 데이터를 지우고 다시 데이터를 입력시킬 수 있는 메모리로서 데이터를 지울 때에는 자외선(Ultra violet)을 이용한다. EEPROM은 데이터의 입력 및 지움을 전기적인 신호로 처리할 수 있는 메모리 소자이다.
메 모 리 ROM의 구조