세 정 B/S 형성 유전층 형성 Dust, 유기, 유지등 오염물질 제거 세 정 Dust, 유기, 유지등 오염물질 제거 B/S 형성 유전층 형성 Contrast향상을 위해 외광 흡수 및 흑색도가 중요하며, 이후 공정에서 인접재료와 화학적으로 안정해야 함 충분한 내전압성을 가져야 하며, 유전층을 통해 가시광을 내므로 가시광 투과도가 높아야 함. 유전층 두께 / 조도 등에 따른 균일성이 구동에 영향을 주며, 인접재료와 반응 하지 않아야 함
ITO 전극형성 BUS 전극형성 Seal Line 형성 보호막층 형성 투명 전극은 초기에 형성되므로 모든 소성공정을 거치고, 따라서 Thermal Damage를 받지 않아야 하며, 문제가 될 특성 변화가 없어야 함 Bus전극에는 전기 저항이 낮은 금속이 사용되나 금속 전극은 발광 광을 차단하여 휘도를 떨어드리므로, 필요한 Line저항이 얻어지는 범위 내에서 Bus전극을 세폭으로 함 Seal Line 형성 보호막층 형성 유기 Binder의 burn out을 위해, 가소성을 행함. 봉착온도에서 충분한 유동성을 가져야 하며, 다음 공정인 고온배기 공정에서 Seal층이 연화하여 기포, 진공 이상등의 문제가 없어야 함 보호막층은 Ion Sputter에 강하고, 2차 전자 방출계수가 높아 Break down Voltage가 낮으며, 표면 절연성이 높고, 안정해야 함
세 정 ITO 전극형성 BUS 전극형성 B/S 형성 유전층 형성 Dust, 유기, 유지등 오염물질 제거 세 정 ITO 전극형성 BUS 전극형성 Dust, 유기, 유지등 오염물질 제거 백색의 반사율이 높은 재료를 선택, 휘도 / 효율을 높이고, 격벽을 Sand blast법으로 형성 B/S 형성 유전층 형성 격벽은 형성으로 방전 영역의 확산을 막고, 가시광의 혼색을 방지하여 색 순도를 높여줌 형광체 Paste에 의한 유기물 흡입을 억제하기 위해, 치밀한 조직이 바람직함 형광체는 방전에 의한 자외선을 R,G,B 가시광으로 변환, 자외선의 이용률을 높이고, 가시광의 반사율을 높이기 위해서 도포 면적을 크게 할수록 유리함. Paste의 양자 효율을 개선하기 위해서 유기물 Binder의 함량을 가능한 한 줄임
봉착 공정 배기 및 가스충진 판넬의 깨어짐에 유의해야 하며, 판넬 자체의 온도 변화는 열용량 때문에 노내의 온도변화 보다 늦어 온도 하강시간을 충분히 줄여야 줄 필요가 있음 진공배기시 벽면에 흡착한 수분 및 불순물을 쉽게 빼내기 위해 통상 ~350 ℃에서 실시하고, Oil Pump 사용시 Oil Back Stream에 유의해야 함. 방전gas주입 시에는 불순물 혼입에 주의가 필요하고, 기체 효율 향상을 위해 기체 선별이 중요함