국제엘렉트릭코리아 소개 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX

Chapter 1 국제엘렉트릭코리아 소개 회사소개 설립배경 참여 반도체공정의 분야 생산장비소개 사업영역

1-1 회사소개 봉 사 인 화 창 조 회 사 개 요 사 업 내 용 사 훈 매출 및 손익 (백만원) 설 립 일 1993년 5월 24일 대표이사 이 길 재 자 본 금 30억원 주요제품 Diffusion Furnace (종형확산로) LP-CVD (화학기상증착장비) 종 업 원 77명 (연구인력 23명) 합 작 선 일본 ㈜히타치국제전기 (현재 지분율 36.5%) 사 업 내 용 주 요 사 업 거 래 선 1. 반도체 제조용 장비의 제조 및 판매 2. 장비의 설치·A/S 서비스용역 3. 장비의 부품 판매 4. 장비의 개조·이전설치 ▶ 국내 삼성전자 (협력회사 회원사) 하이닉스 (협력회사 회원사) 아남 / 동부전자 ▶ 해외 미국 SAS 미국 HEA 일본 히타치국제전기 봉 사 인 화 창 조 사 훈 매출 및 손익 (백만원) 구분 ’99 ’00 ’01 ’02.3Q 매 출 액 23,515 29,565 16,008 14,802 당기순이익 3,017 3,591 2,092 1,878 이익율 (%) 12.83 12.14 13.07 12.69 ( ’02.3Q 당기순이익은 회사 자체결산 자료로, 감사받지 아니한 실적임 )

1-2 설립배경 ’93. 5. 24 국제엘렉트릭코리아 설립 ‘93년 설립당시 ’92년 DRAM 세계 1위 국내 반도체 수준 ’92년 DRAM 세계 1위 ’93년 Memory 세계 1위 반도체 재료 및 장비시장 95% 이상 외국에서 조달 ‘93년 정부 및 반도체업체의 적극적인 지원 천안에 공단 지정 외국인 투자유치 ’93. 5. 24 국제엘렉트릭코리아 설립 세계적인 반도체장비 제조회사 Furnace 및 CVD장비 기술의 선두 일본 히타치국제전기 합작

반도체 장비산업 중 고부가가치인 전 공정에 참여 1-3 참여 반도체공정의 분야 반도체 장비산업 중 고부가가치인 전 공정에 참여 반도체 산업구조 반도체장비산업 반도체소자산업 반도체원재료산업 Wafer 제조 및 회로설계 Wafer가공 (Fabrication) 조립 (Packaging) 전공정 후공정 검사 (Test) 반도체 공정 산화공정 (Oxidation) 노광 (Exposure) 현상 (Development) 식각 (Etching) 이온주입 화학기상 증착공정 (CVD) 금속배선 감광액 (PR) 열 산화 분위기속에서 실리콘 Wafer 표면에 산화막을 형성시키는 공정 전공정 프로세스 열 및 플라즈마 분위기 속에서 Source Gas간의 화학반응으로 형성된 입자들을 Wafer 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정

1-4 생산장비 소개 차세대 대응 공동개발장치 Furnace & CVD Batch Type Single Type ALD(Atomic Layer Deposition) - Al2O3/ HfO2 - Nitride (Si3N4) - Oxide(SiO2) Batch Type MMT(Modified Magnetron Type) - Stack Gate용 (Nitridation, Oxidation) Single Type Furnace & CVD 200mm/ 300mm Wafer 대응가능 모든 Furnace/ CVD공정 처리 가능 TAT(Turn Around Time) 단축이 필요한 공정에 주로 사용되며 Wafer를 1매씩 처리하는 장비 [ Single Type 종류 ] RTP(Rapid Thermal Process) Ruthenium, High-k Ta2O5 대량생산이 요구되는 공정에 주로 사용되며 Batch당 50~150매 Wafer 일괄처리 가능 장비 [ Batch Type 종류 ] Oxide, Nitride, Anneal, D-Poly HTO(High Temperature Oxide) Alloy, BPSG reflow 등 차세대 대응 공동개발장치

반도체 장비제조 및 판매부터 A/S, 개조까지 Total Service 1-5 사업영역 반도체 장비제조 및 판매부터 A/S, 개조까지 Total Service 반도체장비 제조 및 판매 200mm/300mm용 Diffusion Furnace & LP-CVD, LP-OXIDATION, ALD 장비 제조 및 판매 매출비중 : 63 % 장비개조 소자업체의 노후장비 성능개선, 기능변경 및 이설 매출비중 : 9 % 부품 판매 반도체소자업체의 장비 유지보수에 필요한 부품 매출비중 : 15 % 서비스 히타치국제전기 장비 Set-up용역 및 A/S 대행 반도체소자업체 생산라인의 보수 용역 매출비중 : 13 % (2002년 3분기말 기준)

Chapter 2 시 장 동 향 회복추세의 세계 반도체 장비시장 국내 반도체 장비시장 경쟁사 및 시장점유율

2-1 회복추세의 세계 반도체 장비시장 세계 반도체 및 장비시장 동향 세계 Furnace & CVD시장동향 (자료:WSTS 2002.5, Data Quest 2002.7) (B$) 204 149 35 62 (자료:반도체제조장비 Data Book 2001) (M$) 5,243 2,675 397 755 반도체시장은 ’01년~‘02년 침체기를 벗어나 ’03년을 기점으로 회복의 길로 접어들 전망 - 2003년 세계 반도체 시장은 지난해보다 12∼20%, 반도체 장비 시장은 9∼16% 성장 전망 - 세계 반도체시장은 DRAM시장 회복, 플래시메모리 시장 급성장, 휴대폰 판매량 증가, PC교체 주기도래, 아시아지역 수요 확대 등으로 본격적 회복 전망 2003년 반도체 소자업체의 투자 증가로 Furnace & CVD 장비 수요 증가 예상 - 전체 반도체장비시장 중 전공정 장비의 비중은 70%를 넘는 상황 - 전공정 장비시장 중 Furnace & CVD는 20% 정도 차지

2-2 국내 반도체 장비시장 국내 반도체 장비시장 동향 삼성전자의 시설투자(반도체) 규모 추이 전방 산업인 반도체시장의 수요 회복과 삼성전자의 투자확대 등 ’03년 반도체 장비시장규모 확대 예상 반도체 장비의 국산화율 12.4% 수준(2001년 기준) - 전공정 6.8% , 조립공정 36.1% , 검사공정 11.0% 국산화 전공정 장비의 국내시장 규모 1,324 163 12.3 1,261 90 7.1 2,173 219 10.1 1,097 170 15.5 781 81 10.4 전공정시장규모 당사공급실적 (점유율 %) ´02(F) ´01 ´00 ´99 ´98 구분 ( 단위 : 억원 ) (%) (자료:한국반도체산업협회 2002) (M$) 2,938 1,350 1,933 4,029 2,045 2,217 12.4% 17.8% 5 10 15 20 25 국내공급비율 삼성전자의 시설투자(반도체) 규모 추이 (조원) (자료:’03.01 삼성전자 발표) 삼성전자의 ’03년 세계반도체시장 전망은 IT투자회복, PC수요증대, 디지털 가전 및 통신시장확대 등 전년 대비 22% 증가 예상($1,422억→$1,731억, $309억↑) ’03년 공격적 설비투자 예정으로 국내 장비업계의 경기회복이 예상되어 수익력 증가가 기대됨. - 300㎜ Wafer Line - System LSI Line - 미국 현지 생산법인 ’03년 신규 및 증설 투자 예정 5조 3.6조 4조 3조 반도체, LCD부문의 설비, 건물, Utility 등 투자 총액규모

2-3 경쟁사 및 시장점유율 경쟁사 및 시장점유율 현황 200mm Furnace & CVD 300mm Furnace & CVD 히타치국제전기 49% 국제엘렉트릭코리아 11% 기타 3% T사 37% 300mm Furnace & CVD 히타치국제전기 35% 국제엘렉트릭코리아 17% 기타 9% T사 39% (회사추정자료, 공급대수 기준)

비교우위 핵심경쟁력 Chapter 3 반도체 장비산업의 Trend 핵심기술력 보유현황 차세대 장비개발 추진현황 R&D 투자와 지적재산권 안정적인 수익구조 적극적인 해외진출

3-1 반도체 장비산업의 Trend 반도체 장비산업의 특성 반도체 장비개발의 패러다임 변화 반도체 제조업은 지속적인 설비투자가 필요 고도의 기술을 요구하는 산업으로 R&D비용이 큼 수입의존도가 높고 국산화율이 낮음 품질이 검증된 기존업체 제품을 선호 반도체 장비개발의 패러다임 변화 반도체 Device의 기술이 첨단 고도화됨에 따라 소자업체의 기술에 맞춰 장비를 개발 장비 Maker가 주도하는 장비개발 → Device Maker와 공동으로 장비개발( JDP : Joint Development Project ) 장비개발(장비 Maker 주도) 양산 적용(Device Maker) 장비개발(장비 Maker) 양산적용(Device Maker) 공동 개발(예:국제엘렉트릭코리아+삼성전자)

3-2 핵심기술력 보유현황 Furnace & CVD장비 핵심기술력 보유 연 도 2002년 2003년 2004년 2005년 연 도 2002년 2003년 2004년 2005년 구 분 Design Rule (예상) 130㎚ 90㎚ 65㎚ 관련장비 및 공정(예상) 보유 기술 오염 제어기술 ◎ 확보 기술 적용 및 Device 변화에 따른 개선 대응 온도 제어기술 압력 제어기술 Gas 공급기술 기구 설계기술 성 막 기 술 개발 진행 Plasma 제어기술 ▷ S/W 설계기술 Conventional Diffusion Furnace & LP-CVD ALD (Atomic Layer Deposition) MMT(Modified magnetron Typed Plasma source) PL-CVD ( Poly Layer – CVD ) RTP (Rapid Thermal Process) (▷ : 개발착수 , ◎ : 기술보유)

3-3 차세대 장비개발 추진현황 히타치 국제전기의 선진기술 도입 10년간 축적된 핵심 제조기술 Device Maker와 구분 내용 용도 사업화 개발 완료 200mm LP-Oxidation 저압 박막 산화막 성막 장비 개발용 1대, 양산용 3대 200mm MO-CVD(Ru) 전극물질 성막장비 개발용 1대 300mm Furnace & CVD 종형확산로 및 화학기상증착 양산용 8대 200mm Batch Type ALD(Si3N4) 원자층 증착방식 성막장비 개발용 1대, 양산용 1대 200mm/300mm용 차세대 BPSG (층간절연막) FLOW 장비 High Speed Temp. Ramp up/down 가능 Anneal 용 장치 200mm 5대, 300mm 7대 개발 진행 200mm/300mm Batch Type ALD (Al2O3,HfO2) 차세대Capacitor용 원자층 증착방식 성막장비 200㎜ : 2003.06 ~ 300㎜ : 2003.12 ~ 300mm Mini Batch (Si3N4) Quick Cycle Time 실현 및 고정밀 온도제어가능장비 2003.06 ~ 300mm ICC+Vacuum Load Lock D-Poly Poly Contact 저항 감소 장비 2003.12 ~ 200mm/300mm용 Batch PN (Plasma Nitridation) High Throughput Batch Type 유전막 전처리 장비 300㎜ : 2004.06 ~ 개발 예정 300mm Batch Type ALD(Si3N4) 2003. 하반기 ~ MMT (Modified Magnetron Typed Plasma source) Low-Temp. Plasma 매엽식 2004. 하반기 ~ KAIST NANO FAB 대응 장비 NANO Technology process 대응장비 2005. 상반기 ~ 히타치 국제전기의 선진기술 도입 10년간 축적된 핵심 제조기술 Device Maker와 차세대장비 공동개발 안정적인 사업기반 구축으로 수익성 확보

3-4 R&D 투자와 지적재산권 R&D 현황 2000년 기업부설연구소 설립 (%) (백만원) 2000년 기업부설연구소 설립 R&D 인력 23명 (전체 인원 77명중 30% 차지) - 관련부문 15년 이상 핵심 연구인력 5명 R&D 비용 15억 이상 투입(매출액 대비 6%↑) 장비국산화를 위해 삼성전자, 히타치국제전기와 공동개발을 통한 차세대장비개발로 리스크 감소 5.0 9.3 12.5 15.0 지적재산권 현황 주요 Unit 국산화 추진실적 구분 출원내용 비고 특허 2000-0019002 자연산화막 제거기능을 갖춘 화학기상침적장비 출원 중 실용신안 2000-0010461 등록 특허 2001-0070914 플라즈마를 이용한 화학기상증착 장비 실용신안 2001-0035106 특허 2001-0070682 튜브의 내부에 공정가스를 공급해서 공정을 진행하는 반도체 제조장비 실용신안 2001-0035105 국산화 Unit명 국산화 Partner 국산화율 Gas / 배기 Unit 자체 제작 약 60% Quartz 류 원익, 금강, 영신 Heater 에이스 테크 E축 ARM 참엔지니어링 회전기/ TRANSFER ARM/ TRANSFER 대부이엠 ROBOT ARM/ BOAT CHANGER 삼성전자 배기 Unit HANBON FLANGE/ SHUTTER 마이크로테크 DAMPER DUCT 화성기공 (국산화 부품의 일부는 일본, 미국등으로 수출하고 있음)

장비매출이외에 부품, 서비스, 개조 매출로 안정적 수익구조 3-5 안정적인 수익구조 장비매출이외에 부품, 서비스, 개조 매출로 안정적 수익구조 - 국내 공급된 장비 1,700여대용 부품 독점 공급 - 장비대수 증가에 따라 매출 증가 부품 판매 매출 : 유지보수를 위한 부품판매 - 설치서비스 매출 : 히타치가 공급한 장비 1대당 약 2,500만원의 서비스 매출 - 무상서비스 매출 : 설치 검수 완료 후 1년간 장비공급가의 3%의 수수료 발생 - 업무위탁매출 : 업무위탁계약으로 월정 위탁료 800만원 발생 서비스 매출 : 설치서비스 매출과 무상서비스 - 국내에 공급된 당사 및 일본 히타치의 장비개조 독점 개조 매출 : 노후장비의 성능 업그레이드 및 이설 장비매출 외의 매출로 안정적 수익구조 보유 첨단 고도기술의 전공정 장비로 고가의 장비가격 국제엘렉트릭코리아 반도체 소자업체의 설비투자에 의존율이 높다 2001년 반도체 경기침체로 대부분의 장비업체 매출 감소 및 적자 반전 국내 반도체 장비업체의 대부분은 기술수준이 낮은 후공정에 참여 타 반도체 장비업체

3-6 적극적인 해외진출 적극적인 해외진출로 매출 극대화 삼성전자, 하이닉스, 동사의 해외 현지 투자법인을 대상으로 장비의 제조 공급, 설치와 A/S의 영업활동 수행. 히타치국제전기가 제3국에 판매하는 장비의 주문생산(OEM) 추진. 미래의 성장 잠재력이 큰 중국 시장을 타켓으로 일본 히타치국제전기와 공동 마케팅 추진. ▷ 1단계 : 국산화 부품 ▷ 2단계 : 장비설치 및 A/S영업 ▷ 3단계 : 주요 Unit, 장비 OEM 생산 ▶ 중국 반도체 생산 전개 부품 수입 위주 5″ Wafer 4″ ~ 6″ Wafer 8″ ~ 12″ Wafer - 200억불 투자 예상 - 15~20개 생산라인 건설계획 ~ 80년대 말 1991 ~ 1996 1997 ~ 2001 2002 ~ 2006 시장 현황 연도별 72 9 27 매출액 80 10 30 대수(8″) 계 ASMC TSMC Hejian SMIC 구 분 ▶ ’03년 히타치국제전기 중국시장 판매계획 (M$) 31 6 4 1 Line 수 합계 3″ 4″ 5″ 6″ 8″ W/F Size ▶ 중국 Fab라인 보유현황 자료:CCID(정보산업발전중국센터 ) 히타치국제전기 중국시장 공동마케팅 추진 국제엘렉트릭코리아

Chapter 4 투자포인트 재무성과 공모예정가 정보 회사의 투자포인트

4-1 재무성과 성장성 수익성 안정성 안정적인 성장성 및 매출구조 높은 수익성 유지 우수한 재무안정성 보유 (02년 예상) 장비 서비스 개조 (02년 예상) 24,000 (단위:백만원) 23,515 29,565 16,008 부품 14,802 (단위:%) 당기순이익율 (예상) (단위:%) 부채비율 차입금의존도 안정적인 성장성 및 매출구조 - 02년 매출액 240억 예상 전년대비 50%증가 높은 수익성 유지 - ’01년 당기순이익 13.07% 달성 (비교대상 동종 업종 평균 6.4%) 우수한 재무안정성 보유 - 차입금 의존도 0% 유지 - ’02.3Q 원자재 구입대금 일시증가

4-2 공모예정가 정보 공모가액 산출 PER 적용 시 비교가치 EV/EBITDA 적용 시 비교가치 PER 가치 산술평균평가가치 할인율 공모기준가액 공모희망가 Band 4,850원 5,800원 5,325원 36.96% 3,357원 3,100~3,700원 PER 적용 시 비교가치 EV/EBITDA 적용 시 비교가치 구 분 2001년 2002년(상) 유사회사 평균 PER(A)(배) 13.94 27.01 발행사 당기순이익(B)(천원) 2,092,095 1,074,178 가중평균주식수(C)(주) 6,000,000 발행사 EPS(B/C)(원) 349 179 비교가치(A×발행사EPS)원 4,865 4,835 적용 비교가치((D+E)/2)(원) 4,850 구 분 2001년 2002년(상) 유사회사 평균EV/EBITDA(A) 11.78 20.51 발행사 EBIDTA(B) 2,597,773 1,238,616 발행사 EV(A×B) 30,601,766 25,404,014 발행사 순부채(C) -4,656,597 -8,935,346 발행사 시가총액(EV-C) 35,258,363 34,339,360 발행사 발행주식총수 6,000,000 비교가치((EV-C)/발행주식수 5,876 5,723 적용비교가치((D+E)/2) 5,800 ( 비교가치는 연간 환산하여 산출 )

4-3 회사의 투자 포인트 국제엘렉트릭코리아는? 투자 포인트 ? 경쟁자수가 적은 회사 높은 부가가치를 창출하는 회사 초기 투자비용이 크고 높은 기술장벽으로 경쟁사 출현 가능성 희박 국내에서 경쟁하고 있는 회사는 일본 TEL사로 경쟁회사가 적음 경쟁자수가 적은 회사 첨단의 고도기술이 요구되는 반도체 전공정 장비제조로 높은 부가가치 창출 1999년에서 2001년까지 12%이상의 높은 당기순이익율 유지 ( 설립이후 9년 연속 흑자 경영 ) 높은 부가가치를 창출하는 회사 국내 Furnace & CVD시장에서 합작사와 함께 60%이상 M/S 유지 Device Maker와의 차세대 장비 공동개발을 통하여 기회를 선점하고 지속적인 성장 가능 시장을 선점하고 있는 회사 핵심기술력 보유 (히타치와의 합작으로 10년간 핵심기술이전) 미국, 중국등 해외시장으로의 적극적인 진출 추진 히타치 국제전기의 장비설치 · A/S용역 및 부품판매 독점권 확보 남과 다른점을 갖고 있는 회사 무차입 경영으로 차입금 지급이자 Zero 재무구조가 견실한 회사

Chapter 5 APPENDIX 코스닥 등록정보 회사개요 경영진 및 인원현황

5-1 코스닥 등록정보 보호예수등 현황 주주현황 유통가능물량 2,613,224주(31.8%) 날 짜 내 용 공모일정 최대주주 등 2,355,776주 (28.7%) 공모주식 2,210,000주 (26.9%) 소액주주 254,224주 (3.1%) (공모후 총 발행주식수 : 8,210,000주) 주주현황 히타치국제전기 2,190,000주(26.7%) 벤처투자 1,200,000주 (14.6%) 5,596,776주(68.2%) 합 계 주주명 2,190,000주(26.7%) 히타치 국제전기(*2) 비의무 벤처투자(*1) 최대주주 등 830,000주(10.1%) 221,000주( 2.7%) 우리사주조합 배정(*3) 2,355,776주(28.7%) 의 무 주식수(비율) 구 분 (*1) 벤처투자 지분 : 1,200,000주(의무 보호예수 830,000주) (*2) 히타치국제전기 : 최대주주와 동일하게 의무보호예수 실시 (*3) 우리사주조합 : 274,174주(1년 예탁 : 221,000주) 유통가능물량 2,613,224주(31.8%) 2003년 3월 5일 수 요 예 측 일 2003년 2월 21일 효 력 발 생 일 2003년 3월 21일 코스닥등록 및 매매개시일 2003년 2월 5일 유가증권제출일 2003년 3월 12일 ~ 13일 일반공모청약일 날 짜 내 용 공모일정 4,286백만원 연구개발비 등 운영자금 6,851백만원 총 계 365백만원 기타 (발행제비용) 2,200백만원 시설자금 사용금액 사용내역 (공모희망최저가액 기준) 공모자금 사용계획

Diffusion Furnace 및 LP-CVD장비 5-2 회사개요 충청남도 천안시 차암동 4-2번지 본 사 77명 종업원수 반도체제조용기계제조업 주요사업 160.1억/ 20.9억(2001년) 매출/순이익 Diffusion Furnace 및 LP-CVD장비 주요제품 3월 결산기 30억 자 본 금 1993.5.24 설 립 일 이길재 대표이사 국제엘렉트릭코리아㈜ 회 사 명 회사개요 93.05 국제엘렉트릭코리아㈜ 설립 94.04 일본 ㈜히타치국제전기와의 기술이전계약 체결 95.04 일본 ㈜히타치국제전기와의 부품공급 계약 체결 서비스위탁계약, 업무위탁계약 체결 97.06 ISO9002 인증 획득(Q10080) 99.03 제 33회 조세의 날 성실납세자 국무총리 표창 수상 00.06 자연산화막 제거기능을 갖춘 화학기상침적장비에 대한 실용신안등록 00.08 일본 국제전기세미컨덕트서비스㈜와 부품판매계약 장비의 개조, 이설 및 부품 판매계약 00.10 국산화장비 양산용 LP-Oxidation 1호기 출하 00.11 기업부설연구소 설립 02.02 플라즈마를 이용한 화학기상증착장비에 대한 실용신안 등록 및 튜브의 내부에 공정가스를 공급해서 공정을 진행하는 반도체제조장비에 대한 실용신안 03.02 국내 소자업체에 반도체장비 242대(누계) 출하 주요연혁

5-3 경영진 및 인원현황 경영진 현황 인원 현황 R&D 및 기술직 인력 : 전체의 56% 차지 대표이사 이 길 재 대표이사 이 길 재 한양대 졸업 삼성 Japan 부장 삼성물산 부장 니콘정밀 부사장 경영진 현황 삼성전자 반도체부문 FAB 공정기술 부장 양창집 상무이사 삼성전자 반도체부문 자재부장 삼성전자 본사 업무부장 장재영 부사장 日 히타치국제전기 영업부장 스즈키테츠오 대표이사 부사장 약력 성명 직책 인원 현황 연구직 23명(30.0%) 생산직 15명 (19.5%) 관리영업직 17명 (22.0%) 기타 2명 (2.5%) 기술직 20명(26.0%) (전체인원 77명) R&D 및 기술직 인력 : 전체의 56% 차지

감 사 합 니 다 국제엘렉트릭코리아㈜